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寻找关于C23C16/455:向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法领域相关可售专利
C23C16/455领域相关在售专利
C23C大组
C23C2/00:用熔融态覆层材料且不影响形状的热浸镀工艺；其所用的设备
C23C4/00:熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C6/00:基体上浇铸熔融材料的镀覆
C23C8/00:金属材料表面中仅渗入非金属元素的固渗
C23C10/00:金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗
C23C12/00:金属材料表面中至少渗入一种硅以外的非金属元素及至少一种金属元素或硅的固渗
C23C14/00:通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C16/00:通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C18/00:通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆（表面化学反应的入C23C 8/00、C23C 22/00）；接触镀
C23C20/00:通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C22/00:表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理，例如转化层、金属的钝化
C23C24/00:自无机粉末起始的镀覆
C23C26/00:不包含在C23C 2/00至C23C 24/00各组中的镀覆
C23C28/00:用不包含在C23C 2/00至C23C 26/00各大组中单一组的方法，或用包含在C23C小类的方法与C25D小类中方法的组合以获得至少二层叠加层的镀覆
C23C30/00:仅以金属材料组成为特征的金属材料镀覆，即不以镀覆工艺为特征
C23C2/00小组
C23C2/02:·待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域上镀覆
C23C2/04:·以覆层材料为特征的
C23C2/14:·过量熔融覆层的除去；覆层厚度的控制或调节
C23C2/26:·后处理
C23C2/30:·熔剂或融态槽液上的覆盖物
C23C2/32:·用施加于槽液或基体之振动能的
C23C2/34:·以待处理材料之形状为特征的
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个相关信息
一种耐高温的声表面波传感器叉指电极及其制备方法
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发明专利
有效专利
声表面波器件
申请日：
2021-03-25
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L41/29
、
H01L41/047
、
C23C16/40
、
C23C16/455
、
C23C14/35
、
C23C14/06
、
C23C14/04
、
C23C14/10
、
C23C14/08
、
C23C28/00
发明人：
轩伟鹏,章弥灵,陈金凯,董树荣,金浩,骆季奎
申请人：
杭州电子科技大学
开口石英舟及大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜的制备方法
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发明专利
有效专利
申请日：
2021-03-16
当前状态：
授权
国际分类号：
C23C16/30
、
C23C16/448
、
C23C16/455
发明人：
杨伟煌,陈相硕,宋佳豪,董林玺,王高峰,周昌杰
申请人：
杭州电子科技大学
具有掺杂氧化物金属渐变层的耐高温电极及其制备方法
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发明专利
有效专利
声表面波器件制造
申请日：
2021-03-31
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L41/047
、
H01L41/29
、
C23C14/00
、
C23C14/02
、
C23C14/08
、
C23C14/14
、
C23C14/35
、
C23C16/40
、
C23C16/455
、
C23C28/00
发明人：
轩伟鹏,章弥灵,陈金凯,董树荣,金浩,骆季奎
申请人：
杭州电子科技大学
一种高镍三元正极材料Al2O3/Al复合改性层的化学气相沉积制备方法
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发明专利
有效专利
高分子材料
申请日：
2020-01-07
当前状态：
授权
国际分类号：
C23C16/06
、
C23C16/40
、
C23C16/448
、
C23C16/455
、
C23C16/52
、
H01M4/36
、
H01M4/505
、
H01M4/525
、
H01M4/62
、
H01M10/0525
发明人：
陆潇晓,王寅峰,刘蓉,裘洁琼,席俊华,郭家瑞,桂培培,金浙广,胡畅
申请人：
杭州电子科技大学
、
浙江酷锐特表面技术有限公司
一种特定形貌二硫化钨的制备方法
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发明专利
有效专利
材料
申请日：
2019-12-28
当前状态：
授权
国际分类号：
C23C16/30
、
C23C16/455
、
C23C16/02
、
C01G41/00
发明人：
董孟孟,吕燕飞,赵士超
申请人：
杭州电子科技大学
NiS2增强石墨烯基SERS装置及其制备方法
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发明专利
有效专利
申请日：
2020-04-29
当前状态：
授权
国际分类号：
C23C28/00
、
C23C16/26
、
C23C16/30
、
C23C16/455
、
C23C14/18
、
C23C14/35
、
G01N21/65
发明人：
隋学森
申请人：
王玲娟
一种利用原子层沉积技术制备硫/碳@金属氧化物纳米管锂硫电池正极材料的方法
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发明专利
有效专利
申请日：
2019-08-23
当前状态：
授权
国际分类号：
H01M4/36
、
H01M4/38
、
H01M4/485
、
H01M4/62
、
H01M10/052
、
C23C16/40
、
C23C16/455
发明人：
蔡玉荣,马丹阳,蔡泽玮,张茜,王广舒
申请人：
浙江理工大学
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