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寻找关于C23C14/18:在其他无机物基体上领域相关可售专利
C23C14/18领域相关在售专利
C23C大组
C23C2/00:用熔融态覆层材料且不影响形状的热浸镀工艺；其所用的设备
C23C4/00:熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C6/00:基体上浇铸熔融材料的镀覆
C23C8/00:金属材料表面中仅渗入非金属元素的固渗
C23C10/00:金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗
C23C12/00:金属材料表面中至少渗入一种硅以外的非金属元素及至少一种金属元素或硅的固渗
C23C14/00:通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C16/00:通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C18/00:通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆（表面化学反应的入C23C 8/00、C23C 22/00）；接触镀
C23C20/00:通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C22/00:表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理，例如转化层、金属的钝化
C23C24/00:自无机粉末起始的镀覆
C23C26/00:不包含在C23C 2/00至C23C 24/00各组中的镀覆
C23C28/00:用不包含在C23C 2/00至C23C 26/00各大组中单一组的方法，或用包含在C23C小类的方法与C25D小类中方法的组合以获得至少二层叠加层的镀覆
C23C30/00:仅以金属材料组成为特征的金属材料镀覆，即不以镀覆工艺为特征
C23C2/00小组
C23C2/02:·待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域上镀覆
C23C2/04:·以覆层材料为特征的
C23C2/14:·过量熔融覆层的除去；覆层厚度的控制或调节
C23C2/26:·后处理
C23C2/30:·熔剂或融态槽液上的覆盖物
C23C2/32:·用施加于槽液或基体之振动能的
C23C2/34:·以待处理材料之形状为特征的
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个相关信息
具有强铁磁性的CaB6薄膜的制备方法
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发明专利
有效专利
[0001]本发明是关于信息功能材料
申请日：
2018-08-07
当前状态：
授权
国际分类号：
C23C14/35
、
C23C14/18
、
C23C14/16
、
C23C14/06
、
C03C17/36
发明人：
康丽纳
申请人：
泉州市康馨化工科技有限公司
一种金属螺旋微纳结构的制备方法
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发明专利
有效专利
金属微纳结构制备
申请日：
2018-12-07
当前状态：
授权
国际分类号：
G03F7/20
、
G03F7/16
、
C23C14/30
、
C23C14/18
、
C23C14/04
发明人：
刘凯,王天堃
申请人：
中山科立特光电科技有限公司
垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法
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发明专利
有效专利
磁性材料
申请日：
2018-08-07
当前状态：
授权
国际分类号：
C23C14/08
、
C23C14/16
、
C23C14/18
、
C23C14/35
、
G11B5/851
发明人：
吴华疆
申请人：
泉州凯华新材料科技有限公司
一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法
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发明专利
有效专利
材料
申请日：
2021-01-29
当前状态：
授权
国际分类号：
C23C14/16
、
C23C14/18
、
C23C16/34
发明人：
吕燕飞,彭雪,蔡庆锋,赵士超
申请人：
杭州电子科技大学
一种二维硫化钨基垂直异质结构材料的制备方法
一种二维硫化钨基垂直异质结构材料的制备方法
发明专利
有效专利
[0001]本发明属材料制备
申请日：
2019-08-19
当前状态：
授权
国际分类号：
C23C14/16
、
C23C14/18
、
C23C14/35
、
C23C14/58
发明人：
陈飞,苏伟涛
申请人：
杭州电子科技大学
一种手性金属微纳螺旋结构的制备方法
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发明专利
有效专利
申请日：
2018-12-07
当前状态：
授权
国际分类号：
C23C14/30
、
C23C14/10
、
C23C14/18
、
B82Y40/00
发明人：
刘凯,王天堃,李敖
申请人：
温州益蓉机械有限公司
一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
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发明专利
有效专利
微电子
申请日：
2015-04-27
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L45/00
、
C23C14/35
、
C23C14/16
、
C23C14/18
、
B82Y30/00
、
B82Y40/00
发明人：
胡益丰,朱小芹,吴世臣,邹华,袁丽,吴卫华,张建豪,眭永兴,沈大华
申请人：
江苏理工学院
用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
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发明专利
失效专利
申请日：
2015-04-27
当前状态：
权利终止
国际分类号：
H01L45/00
、
C23C14/35
、
C23C14/18
发明人：
胡益丰,潘佳浩,吴小丽,朱小芹,吴世臣,邹华,袁丽,吴卫华,张建豪,眭永兴
申请人：
江苏理工学院
一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料
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发明专利
有效专利
微电子
申请日：
2015-04-27
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L45/00
、
B82Y30/00
、
C23C14/18
、
C23C14/35
、
C23C14/16
、
B82Y40/00
发明人：
胡益丰,朱小芹,吴世臣,邹华,袁丽,吴卫华,张建豪,眭永兴,沈大华
申请人：
江苏理工学院
用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
发明专利
有效专利
申请日：
2015-04-27
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L45/00
、
C23C14/35
、
C23C14/18
发明人：
胡益丰,潘佳浩,吴小丽,朱小芹,吴世臣,邹华,袁丽,吴卫华,张建豪,眭永兴
申请人：
江苏理工学院
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