[0034] 下述结合附图对本发明作进一步说明。
[0035] 如图1所示，具有掺杂氧化物金属渐变层的耐高温电极，包括衬底1、耐高温氧化物层2、掺杂氧化物金属渐变层3和薄膜层组；衬底1上沉积耐高温氧化物层2；耐高温氧化物层2上沉积间距设置的n层掺杂氧化物金属渐变层3，n≥2；每个掺杂氧化物金属渐变层3上沉积若干薄膜层组；若薄膜层组的数量大于1，则各薄膜层组上下堆叠；薄膜层组由从上至下排布的掺杂氧化物金属渐变层3和薄膜层4组成；掺杂氧化物金属渐变层3的材料为掺杂氧化物的金属。
[0036] 作为一个优选实施例，衬底1的材料采用硅酸镓镧。
[0037] 作为一个优选实施例，耐高温氧化层的材料为Al2O3、ZrO2、SiO2、Y2O3或HfO2。
[0038] 作为一个优选实施例，耐高温氧化层的厚度为5nm～30nm。
[0039] 作为一个优选实施例，掺杂氧化物金属渐变层3中的金属材料为Pt、Rh、Ir等耐高熔点金属中的一种或者多种按任意配比组合。
[0040] 作为一个优选实施例，掺杂氧化物金属渐变层3的厚度为20～300nm。
[0041] 作为一个优选实施例，掺杂氧化物金属渐变层3中氧化物的掺杂浓度处处相等。
[0042] 作为一个优选实施例，掺杂氧化物金属渐变层3中氧化物的掺杂浓度渐变，最低掺杂浓度为0.01％，最高掺杂浓度为10％。
[0043] 作为一个更优选实施例，当掺杂氧化物金属渐变层3中氧化物的掺杂浓度从中间位置向上或向下均逐渐降低时，薄膜层4的材料为金属，如图3所示，高氧化物掺杂浓度层6上下位置均设有低氧化物掺杂浓度层5；当掺杂氧化物金属渐变层3中氧化物的掺杂浓度从中间位置向上或向下均逐渐升高时，薄膜层4的材料为氧化物，如图2所示，低氧化物掺杂浓度层5上下位置均设有高氧化物掺杂浓度层6。
[0044] 该具有掺杂氧化物金属渐变层的耐高温电极的制备方法，具体如下：
[0045] 实施例1：
[0046] 步骤一、对衬底依次用丙酮、酒精和去离子水超声清洗5min，去除表面的有机污染物，再用氮气吹干。
[0047] 步骤二、将经步骤一处理后的衬底放入原子层沉积系统(型号为美国KurtJ.Lesker公司的ALD150LX)中，抽真空，沉积20nm的耐高温氧化物层。
[0048] 步骤三、在耐高温氧化物层上涂满光刻胶(型号为AR‑P5350)，用匀胶‑热板一体机(型号为美国CEE的APOGEE X‑PRO II)完成匀胶与烘烤，再使用光刻机(型号为德国Karl Suss公司的MA6/BA6)进行光刻，形成掩膜，放入显影液(型号为AR300‑26)与水按1:7比例混合的混合液中22s，最后用去离子水洗涤完成显影，得到掺杂氧化物金属渐变层图案。
[0049] 步骤四、将经步骤三光刻处理后的样片放入磁控溅射系统(型号为美国DENTON公司的DISCOVERY635)的基片台上，然后将基片台放入真空室中，进行金属靶材与氧化物靶材的共溅射，在耐高温氧化物层上得到100nm厚的掺杂氧化物金属渐变全覆盖层，掺杂氧化物金属渐变全覆盖层中氧化物的掺杂浓度从中间位置向上或向下均逐渐降低；其中，金属靶材的功率固定不变，氧化物靶材的功率随时间周期变化，从500w降低到300w再升高到500w。
[0050] 步骤五、将步骤四处理后的样片放在磁控溅射系统的基片台上，然后将基片台放入真空室中，在掺杂氧化物金属渐变全覆盖层上溅射10nm厚的金属薄膜全覆盖层。
[0051] 步骤六、将步骤五处理后的样片放在磁控溅射系统的基片台上，然后将基片台放入真空室中，进行金属靶材与氧化物靶材的共溅射，在金属薄膜全覆盖层上得到100nm厚的掺杂氧化物金属渐变全覆盖层，掺杂氧化物金属渐变全覆盖层中氧化物的掺杂浓度从中间位置向上或向下均逐渐降低。
[0052] 步骤七、将经步骤六处理后的样片泡在丙酮溶液中，超声3分钟，因为丙酮与光刻胶互溶，使得掺杂氧化物金属渐变全覆盖层上除掺杂氧化物金属渐变层图案位置以外的多余电极以及金属薄膜全覆盖层上除掺杂氧化物金属渐变层图案位置以外的多余电极脱离，从而得到掺杂氧化物金属渐变层和薄膜层。
[0053] 实施例2：
[0054] 在实施例1基础上，步骤四中，金属靶材为Pt靶材，氧化物靶材为Al2O3靶材。
[0055] 实施例2制备的具有掺杂氧化物金属渐变层的耐高温电极，经过测试，在1200℃下保持1h依旧能维持良好的表面形貌，如图4所示，虽然有一些微小孔洞，但并不影响电极的连续性。从而可以看出本发明的电极结构，耐高温性能强，具有良好的应用前景。
[0056] 实施例3：
[0057] 步骤一、对衬底依次用丙酮、酒精和去离子水超声清洗5min，去除表面的有机污染物，再用氮气吹干。
[0058] 步骤二、将经步骤一处理后的衬底放入原子层沉积系统中，抽真空，沉积20nm的耐高温氧化物层。
[0059] 步骤三、在耐高温氧化物层上涂满光刻胶，用匀胶‑热板一体机完成匀胶与烘烤，再使用光刻机进行光刻，形成掩膜，放入显影液与水按1:7比例混合的混合液中22s，最后用去离子水洗涤完成显影，得到掺杂氧化物金属渐变层图案。
[0060] 步骤四、将经步骤三光刻处理后的样片放入磁控溅射系统(型号为美国DENTON公司的DISCOVERY635)的基片台上，然后将基片台放入真空室中，进行金属靶材与氧化物靶材的共溅射，在耐高温氧化物层上得到100nm厚的掺杂氧化物金属渐变全覆盖层，掺杂氧化物金属渐变全覆盖层中氧化物的掺杂浓度从中间位置向上或向下均逐渐升高；其中，金属靶材的功率固定不变，氧化物靶材的功率随时间周期变化，从500w降低到300w再升高到500w。
[0061] 步骤五、将步骤四处理后的样片放在磁控溅射系统的基片台上，然后将基片台放入真空室中，在掺杂氧化物金属渐变全覆盖层上溅射10nm厚的氧化物薄膜全覆盖层。
[0062] 步骤六、将步骤五处理后的样片放在磁控溅射系统的基片台上，然后将基片台放入真空室中，进行金属靶材与氧化物靶材的共溅射，在氧化物薄膜全覆盖层上得到100nm厚的掺杂氧化物金属渐变全覆盖层，掺杂氧化物金属渐变全覆盖层中氧化物的掺杂浓度从中间位置向上或向下均逐渐升高。
[0063] 步骤七、将经步骤六处理后的样片泡在丙酮溶液中，超声3分钟，因为丙酮与光刻胶互溶，使得掺杂氧化物金属渐变全覆盖层上除掺杂氧化物金属渐变层图案位置以外的多余电极以及氧化物薄膜全覆盖层上除掺杂氧化物金属渐变层图案位置以外的多余电极脱离，从而得到掺杂氧化物金属渐变层和薄膜层。
[0064] 实施例3制备的电极的扫描电子显微镜图与图4无实质性的差别，虽有一些小孔洞出现，但电极依旧保持连续性。
