[0044] 实施例1一种多孔铜基晶须材料的制备方法，其特征在于包括如下处理步骤：
（1）制备Cu-Al合金块体：(a)将30wt.% 2-3μm铜粉、60wt.% 7-8μm铝粉物理均匀混合;
(b)300Mpa 压制成型;(c)惰性气氛或还原气氛下高温烧结，烧结温度800oC，高温持续时间
1h，自然冷却，其中所述压制成型的保压时间5min；所述惰性气氛为N2，所述还原气氛为H2；
所述高温烧结的程序升温速率10oC/min。
[0045] （2）通过化学碱液腐蚀初步去合金化：所使用的腐蚀液为1M NaOH水溶液，腐蚀时间12h，温度为30oC，腐蚀过程中辅助超声除去气泡，腐蚀后多次去离子水洗涤。
[0046] （3）通过电化学酸液腐蚀深度去合金化：以步骤（2）获得的铜材为阳极，Pt片为阴极，以0.6M HNO3为电解液，腐蚀电压为0.3V，腐蚀时间2h，电化学腐蚀温度为常温。
[0047] （4）干燥，还原：干燥过程为使用乙醇-去离子水多次交替洗涤除去腐蚀液，真空干燥；还原过程为在5vol.%H2/N2下，于管式炉中还原处理60min。
[0048] （5）并以上述步骤（4）获得的多孔铜为衬底，进行脉冲激光烧灼硫化钨：步骤（4）获得的多孔铜为衬底置于真空室，使用Nd:YAG激光，使激光光束依经过全反射镜和聚焦透镜后聚焦在硫化钨靶材上，发生光烧蚀反应，熔融蒸发出靶材羽流，并沉积于多孔铜材表面，脉冲激光烧灼硫化钨的参数：Nd:YAG激光，激光束波长为525nm，输出最大单脉冲能量为50mj，重复频率为100Hz，光斑1mm；真空度小于×10-6Torr，温度为200oC，脉冲激光烧灼时间为30min；硫化钨靶材与衬底的距离为2cm。
[0049] （6）高温处理获得多孔铜基晶须材料：高温程序升温为10/min升至500oC，恒温时间为1h，自然冷却至室温，高温氛围为0.5vol.%H2/He混合气。
[0050] 最终，多孔铜基晶须材料为块状，非粉末，所述硫化钨WS2的纯度大于99.9%。
[0051] 实施例2一种多孔铜基晶须材料的制备方法，其特征在于包括如下处理步骤：
（1）制备Cu-Al合金块体：(a)将35wt.% 2-3μm铜粉、65wt.% 7-8μm铝粉物理均匀混合;
(b)350Mpa 压制成型;(c)惰性气氛或还原气氛下高温烧结，烧结温度900oC，高温持续时间
2h，自然冷却，其中所述压制成型的保压时间8min；所述惰性气氛为N2，所述还原气氛为H2；
所述高温烧结的程序升温速率10oC/min。
[0052] （2）通过化学碱液腐蚀初步去合金化：所使用的腐蚀液为1.5M NaOH水溶液，腐蚀时间18h，温度为33oC，腐蚀过程中辅助超声除去气泡，腐蚀后多次去离子水洗涤。
[0053] （3）通过电化学酸液腐蚀深度去合金化：以步骤（2）获得的铜材为阳极，Pt片为阴极，以0.65M HNO3为电解液，腐蚀电压为0.4V，腐蚀时间2.5h，电化学腐蚀温度为常温。
[0054] （4）干燥，还原：干燥过程为使用乙醇-去离子水多次交替洗涤除去腐蚀液，真空干燥；还原过程为在5vol.%H2/N2下，于管式炉中还原处理75min。
[0055] （5）并以上述步骤（4）获得的多孔铜为衬底，进行脉冲激光烧灼硫化钨：步骤（4）获得的多孔铜为衬底置于真空室，使用Nd:YAG激光，使激光光束依经过全反射镜和聚焦透镜后聚焦在硫化钨靶材上，发生光烧蚀反应，熔融蒸发出靶材羽流，并沉积于多孔铜材表面，脉冲激光烧灼硫化钨的参数：Nd:YAG激光，激光束波长为525nm，输出最大单脉冲能量为50mj，重复频率为100Hz，光斑1mm；真空度小于×10-6Torr，温度为250oC，脉冲激光烧灼时间为40min；硫化钨靶材与衬底的距离为2cm。
[0056] （6）高温处理获得多孔铜基晶须材料：高温程序升温为10/min升至600oC，恒温时间为3h，自然冷却至室温，高温氛围为0.5vol.%H2/He混合气。
[0057] 最终，多孔铜基晶须材料为块状，非粉末，所述硫化钨WS2的纯度大于99.9%。
[0058] 命名为S。
[0059] 实施例3一种多孔铜基晶须材料的制备方法，其特征在于包括如下处理步骤：
（1）制备Cu-Al合金块体：(a)将30-40wt.% 2-3μm铜粉、60-70wt.% 7-8μm铝粉物理均匀混合;(b) 400Mpa 压制成型;(c)惰性气氛或还原气氛下高温烧结，烧结温度950oC，高温持续时间3h，自然冷却，其中所述压制成型的保压时间10min；所述惰性气氛为N2，所述还原气o
氛为H2；所述高温烧结的程序升温速率10C/min。
[0060] （2）通过化学碱液腐蚀初步去合金化：所使用的腐蚀液为2M NaOH水溶液，腐蚀时间24h，温度为35oC，腐蚀过程中辅助超声除去气泡，腐蚀后多次去离子水洗涤。
[0061] （3）通过电化学酸液腐蚀深度去合金化：以步骤（2）获得的铜材为阳极，Pt片为阴极，以0.7M HNO3为电解液，腐蚀电压为0.5V，腐蚀时间3h，电化学腐蚀温度为常温。
[0062] （4）干燥，还原：干燥过程为使用乙醇-去离子水多次交替洗涤除去腐蚀液，真空干燥；还原过程为在5vol.%H2/N2下，于管式炉中还原处理90min。
[0063] （5）并以上述步骤（4）获得的多孔铜为衬底，进行脉冲激光烧灼硫化钨：步骤（4）获得的多孔铜为衬底置于真空室，使用Nd:YAG激光，使激光光束依经过全反射镜和聚焦透镜后聚焦在硫化钨靶材上，发生光烧蚀反应，熔融蒸发出靶材羽流，并沉积于多孔铜材表面，脉冲激光烧灼硫化钨的参数：Nd:YAG激光，激光束波长为525nm，输出最大单脉冲能量为50mj，重复频率为100Hz，光斑1mm；真空度小于×10-6Torr，温度为300oC，脉冲激光烧灼时间为50min；硫化钨靶材与衬底的距离为2cm。
[0064] （6）高温处理获得多孔铜基晶须材料：高温程序升温为10/min升至700oC，恒温时间为1-5h，自然冷却至室温，高温氛围为0.5vol.%H2/He混合气。
[0065] 最终，多孔铜基晶须材料为块状，非粉末，所述硫化钨WS2的纯度大于99.9%。
[0066] 对比例1一种多孔铜基晶须材料的制备方法，其特征在于包括如下处理步骤：
（1）制备Cu-Al合金块体：(a)将35wt.% 2-3μm铜粉、65wt.% 7-8μm铝粉物理均匀混合;
(b)350Mpa 压制成型;(c)惰性气氛或还原气氛下高温烧结，烧结温度900oC，高温持续时间
2h，自然冷却，其中所述压制成型的保压时间8min；所述惰性气氛为N2，所述还原气氛为H2；
所述高温烧结的程序升温速率10oC/min。
[0067] （2）通过电化学酸液腐蚀深度去合金化：获得的铜材为阳极，Pt片为阴极，以0.65M HNO3为电解液，腐蚀电压为0.4V，腐蚀时间2.5h，电化学腐蚀温度为常温。
[0068] （3）通过化学碱液腐蚀初步去合金化：所使用的腐蚀液为1.5M NaOH水溶液，腐蚀时间18h，温度为33oC，腐蚀过程中辅助超声除去气泡，腐蚀后多次去离子水洗涤。
[0069] （4）干燥，还原：干燥过程为使用乙醇-去离子水多次交替洗涤除去腐蚀液，真空干燥；还原过程为在5vol.%H2/N2下，于管式炉中还原处理75min。
[0070] （5）并以上述步骤（4）获得的多孔铜为衬底，进行脉冲激光烧灼硫化钨：步骤（4）获得的多孔铜为衬底置于真空室，使用Nd:YAG激光，使激光光束依经过全反射镜和聚焦透镜后聚焦在硫化钨靶材上，发生光烧蚀反应，熔融蒸发出靶材羽流，并沉积于多孔铜材表面，脉冲激光烧灼硫化钨的参数：Nd:YAG激光，激光束波长为525nm，输出最大单脉冲能量为50mj，重复频率为100Hz，光斑1mm；真空度小于×10-6Torr，温度为250oC，脉冲激光烧灼时间为40min；硫化钨靶材与衬底的距离为2cm。
[0071] （6）高温处理获得多孔铜基晶须材料：高温程序升温为10/min升至600oC，恒温时间为3h，自然冷却至室温，高温氛围为0.5vol.%H2/He混合气。
[0072] 最终，多孔铜基晶须材料为块状，非粉末，所述硫化钨WS2的纯度大于99.9%。
[0073] 命名为D-1。
[0074] 对比例2一种多孔铜基晶须材料的制备方法，其特征在于包括如下处理步骤：
（1）以商用泡沫铜为基材，进行除油预处理；
（2）泡沫铜为衬底，进行脉冲激光烧灼硫化钨：步骤（4）获得的多孔铜为衬底置于真空室，使用Nd:YAG激光，使激光光束依经过全反射镜和聚焦透镜后聚焦在硫化钨靶材上，发生光烧蚀反应，熔融蒸发出靶材羽流，并沉积于多孔铜材表面，脉冲激光烧灼硫化钨的参数：
Nd:YAG激光，激光束波长为525nm，输出最大单脉冲能量为50mj，重复频率为100Hz，光斑
1mm；真空度小于×10-6Torr，温度为250oC，脉冲激光烧灼时间为40min；硫化钨靶材与衬底的距离为2cm。
[0075] （6）高温处理获得多孔铜基晶须材料：高温程序升温为10/min升至600oC，恒温时间为3h，自然冷却至室温，高温氛围为0.5vol.%H2/He混合气。
[0076] 命名为D-2。
[0077] 对比例3一种多孔铜基晶须材料的制备方法，其特征在于包括如下处理步骤：
（1）制备Cu-Al合金块体：(a)将35wt.% 2-3μm铜粉、65wt.% 7-8μm铝粉物理均匀混合;
o
(b)350Mpa 压制成型;(c)惰性气氛或还原气氛下高温烧结，烧结温度900C，高温持续时间
2h，自然冷却，其中所述压制成型的保压时间8min；所述惰性气氛为N2，所述还原气氛为H2；
所述高温烧结的程序升温速率10oC/min。
[0078] （2）通过化学碱液腐蚀初步去合金化：所使用的腐蚀液为1.5M NaOH水溶液，腐蚀o时间18h，温度为33C，腐蚀过程中辅助超声除去气泡，腐蚀后多次去离子水洗涤。
[0079] （3）通过电化学酸液腐蚀深度去合金化：以步骤（2）获得的铜材为阳极，Pt片为阴极，以0.65M HNO3为电解液，腐蚀电压为0.4V，腐蚀时间2.5h，电化学腐蚀温度为常温。
[0080] （4）干燥，还原：干燥过程为使用乙醇-去离子水多次交替洗涤除去腐蚀液，真空干燥；还原过程为在5vol.%H2/N2下，于管式炉中还原处理75min。
[0081] （5）并以上述步骤（4）获得的多孔铜为衬底，进行脉冲激光烧灼硫化钨：步骤（4）获得的多孔铜为衬底置于真空室，使用Nd:YAG激光，使激光光束依经过全反射镜和聚焦透镜后聚焦在硫化钨靶材上，发生光烧蚀反应，熔融蒸发出靶材羽流，并沉积于多孔铜材表面，脉冲激光烧灼硫化钨的参数：Nd:YAG激光，激光束波长为525nm，输出最大单脉冲能量为50mj，重复频率为100Hz，光斑1mm；真空度小于×10-6Torr，温度为常温oC，脉冲激光烧灼时间为40min；硫化钨靶材与衬底的距离为2cm。
[0082] （6）高温处理获得多孔铜基晶须材料：高温程序升温为10/min升至600oC，恒温时间为3h，自然冷却至室温，高温氛围为0.5vol.%H2/He混合气。
[0083] 最终，多孔铜基晶须材料为块状，非粉末，所述硫化钨WS2的纯度大于99.9%。
[0084] 命名为D-3。
[0085] 表1样品的比表面积汇总如表1所示，S样品在进过初步和深度去合金后，获得的多孔铜的比表面积为52g/g，进过原位晶须处理，S样品的比表面积增加于76m2/g，D-1样品中将初步和深度去合金步骤更换，使得精细的产生介孔的电化学步骤无法发挥作用，获得的多孔铜的比表面积为19 m2/
2
g，经过原位的晶须生长，D-1样品的比表面积增加于32m/g，得益于晶须生长交错产生的介孔。D-2的样品，泡沫铜的比表面积仅为5 m2/g，主要为大孔结构，经过原位的晶须生长，D-2样品的比表面积增加于9m2/g；相比与D-3的PLD的温度为常温，导致其晶须生长较小，分布较稀疏，获得的介孔较少，相比与多孔铜的比表面积为52m2/g，比表面仅仅为57 m2/g，变化不明显。
[0086] 如附图1，通过初步去合金-深度去合金后获得多孔铜材的光学照片，所述多孔铜为三维网络多孔结构，且为整体块状结构。
[0087] 如附图2所示，在所述大孔的孔壁上原位生长出众多细丝状的晶须，所述晶须的交错生长，明显的改善了多孔铜的比表面积。
[0088] 如附图3所示，PLD200oC、高温处理500oC,处理时间15m，可以发现明显的原位凸起，为铜须生长的最初形态。
[0089] 如附图4所示，PLD250oC、高温处理600oC,处理时间3h获得的多孔铜晶须材料SEM图,形成一定程度的细丝晶须。
[0090] 如附图5所示，PLD300oC、高温处理700oC,处理时间5h获得的多孔铜晶须材料SEM图,随着时间和温度的增加，晶须超量增长。
[0091] 以上，虽然通过优选的实施例对本发明进行了例示性的说明，但本发明并不局限于这种特定的实施例，可以在记载于本发明的保护范围的范畴内实施适当的变更。
