[0017] 下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
[0018] 除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
[0019] 图1是根据本发明的垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法流程图。如图所示，本发明的垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法包括如下步骤：
[0020] 步骤101：准备表面清洁的玻璃基片；
[0021] 步骤102：利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法，在玻璃基片表面镀敷MnO层，其中，MnO层的厚度为10-15nm；
[0022] 步骤103：利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法，在MnO层上镀敷第一MnGa层，其中，第一MnGa层的厚度为15-25nm；
[0023] 步骤104：利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一MnGa层上镀敷第一Pt层，其中，第一Pt层的厚度为10-15nm；
[0024] 步骤105：利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一Pt层上镀敷第一FePt层，其中，第一FePt层的厚度为20-30nm；
[0025] 步骤106：利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层，其中，第二MnGa层的厚度为25-45nm；
[0026] 步骤107：利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二MnGa层上镀敷FeCo层，其中，FeCo层厚度为10-20nm；
[0027] 步骤108：利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在FeCo层上镀敷第二FePt层，其中，第二FePt层厚度为15-25nm；
[0028] 步骤109：利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二FePt层上镀敷Cr层，其中，Cr层厚度为10-20nm。
[0029] 实施例1
[0030] 以如下方法制备垂直磁记录薄膜材料：准备表面清洁的玻璃基片；利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法，在玻璃基片表面镀敷MnO层，其中，MnO层的厚度为10nm；利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法，在MnO层上镀敷第一MnGa层，其中，第一MnGa层的厚度为15nm；利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一MnGa层上镀敷第一Pt层，其中，第一Pt层的厚度为10nm；利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一Pt层上镀敷第一FePt层，其中，第一FePt层的厚度为20nm；利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层，其中，第二MnGa层的厚度为25nm；利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二MnGa层上镀敷FeCo层，其中，FeCo层厚度为10nm；利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在FeCo层上镀敷第二FePt层，其中，第二FePt层厚度为15nm；利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二FePt层上镀敷Cr层，其中，Cr层厚度为10nm。其中，利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法在玻璃基片表面镀敷MnO层的具体工艺为：溅射靶材为MnO靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量40sccm，溅射频率为50Hz，溅射电压为200V，溅射功率为200W，溅射占空比为30％，基片温度为300℃。其中，利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法在MnO层上镀敷第一MnGa层的具体工艺为：溅射靶材为MnGa靶材，其中，MnGa靶材的Mn和Ga的原子百分比为60:40，溅射气氛为氩气，氩气流量40sccm，溅射频率为150Hz，溅射电压为300V，溅射功率为400W，溅射占空比为30％，基片温度为400℃。其中，利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法在第一MnGa层上镀敷第一Pt层的具体工艺为：溅射靶材为Pt靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量40sccm，溅射频率为
100Hz，溅射电压为100V，溅射功率为100W，溅射占空比为70％，基片温度为200℃。其中，利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法在第一Pt层上镀敷第一FePt层的具体工艺为：溅射靶材为FePt靶材，其中，FePt靶材的Fe和Pt的原子百分比为65:35，溅射气氛为氩气，氩气流量40sccm，溅射频率为300Hz，溅射电压为400V，溅射功率为150W，溅射占空比为20％，基片温度为300℃。利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层的具体工艺为：溅射靶材为MnGa靶材，其中，MnGa靶材的Mn和Ga的原子百分比为50:
50，溅射气氛为氩气，氩气流量40sccm，溅射频率为200Hz，溅射电压为150V，溅射功率为
200W，溅射占空比为50％，基片温度为400℃。利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二MnGa层上镀敷FeCo层的具体工艺为：溅射靶材为FeCo靶材，其中，FeCo靶材的Fe和Co的原子百分比为50:50，溅射气氛为氩气，氩气流量40sccm，溅射频率为100Hz，溅射电压为
150V，溅射功率为200W，溅射占空比为50％，基片温度为200℃。利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在FeCo层上镀敷第二FePt层的具体工艺为：溅射靶材为FePt靶材，其中，FePt靶材的Fe和Pt的原子百分比为50:50，溅射气氛为氩气，氩气流量40sccm，溅射频率为
200Hz，溅射电压为300V，溅射功率为250W，溅射占空比为20％，基片温度为300℃。利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二FePt层上镀敷Cr层的具体工艺为：溅射靶材为Cr靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量40sccm，溅射频率为100Hz，溅射电压为150V，溅射功率为100W，溅射占空比为50％，基片温度为150℃。
[0031] 实施例2
[0032] 以如下方法制备垂直磁记录薄膜材料：准备表面清洁的玻璃基片；利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法，在玻璃基片表面镀敷MnO层，其中，MnO层的厚度为15nm；利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法，在MnO层上镀敷第一MnGa层，其中，第一MnGa层的厚度为25nm；利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一MnGa层上镀敷第一Pt层，其中，第一Pt层的厚度为15nm；利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一Pt层上镀敷第一FePt层，其中，第一FePt层的厚度为30nm；利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层，其中，第二MnGa层的厚度为45nm；利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二MnGa层上镀敷FeCo层，其中，FeCo层厚度为20nm；利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在FeCo层上镀敷第二FePt层，其中，第二FePt层厚度为25nm；利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二FePt层上镀敷Cr层，其中，Cr层厚度为20nm。其中，利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法在玻璃基片表面镀敷MnO层的具体工艺为：溅射靶材为MnO靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量60sccm，溅射频率为100Hz，溅射电压为400V，溅射功率为400W，溅射占空比为50％，基片温度为400℃。其中，利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法在MnO层上镀敷第一MnGa层的具体工艺为：溅射靶材为MnGa靶材，其中，MnGa靶材的Mn和Ga的原子百分比为60:40，溅射气氛为氩气，氩气流量60sccm，溅射频率为200Hz，溅射电压为500V，溅射功率为500W，溅射占空比为50％，基片温度为500℃。其中，利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法在第一MnGa层上镀敷第一Pt层的具体工艺为：溅射靶材为Pt靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量60sccm，溅射频率为
150Hz，溅射电压为200V，溅射功率为200W，溅射占空比为80％，基片温度为300℃。其中，利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法在第一Pt层上镀敷第一FePt层的具体工艺为：溅射靶材为FePt靶材，其中，FePt靶材的Fe和Pt的原子百分比为65:35，溅射气氛为氩气，氩气流量60sccm，溅射频率为500Hz，溅射电压为500V，溅射功率为250W，溅射占空比为40％，基片温度为400℃。利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层的具体工艺为：溅射靶材为MnGa靶材，其中，MnGa靶材的Mn和Ga的原子百分比为50:
50，溅射气氛为氩气，氩气流量60sccm，溅射频率为250Hz，溅射电压为200V，溅射功率为
300W，溅射占空比为60％，基片温度为500℃。利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二MnGa层上镀敷FeCo层的具体工艺为：溅射靶材为FeCo靶材，其中，FeCo靶材的Fe和Co的原子百分比为50:50，溅射气氛为氩气，氩气流量60sccm，溅射频率为150Hz，溅射电压为
200V，溅射功率为300W，溅射占空比为70％，基片温度为300℃。利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在FeCo层上镀敷第二FePt层的具体工艺为：溅射靶材为FePt靶材，其中，FePt靶材的Fe和Pt的原子百分比为50:50，溅射气氛为氩气，氩气流量60sccm，溅射频率为
200-300Hz，溅射电压为400V，溅射功率为300W，溅射占空比为40％，基片温度为400℃。利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二FePt层上镀敷Cr层的具体工艺为：溅射靶材为Cr靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量60sccm，溅射频率为150Hz，溅射电压为200V，溅射功率为150W，溅射占空比为70％，基片温度为200℃。
[0033] 实施例3
[0034] 以如下方法制备垂直磁记录薄膜材料：准备表面清洁的玻璃基片；利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法，在玻璃基片表面镀敷MnO层，其中，MnO层的厚度为12nm；利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法，在MnO层上镀敷第一MnGa层，其中，第一MnGa层的厚度为18nm；利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一MnGa层上镀敷第一Pt层，其中，第一Pt层的厚度为12nm；利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一Pt层上镀敷第一FePt层，其中，第一FePt层的厚度为22nm；利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层，其中，第二MnGa层的厚度为30nm；利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二MnGa层上镀敷FeCo层，其中，FeCo层厚度为12nm；利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在FeCo层上镀敷第二FePt层，其中，第二FePt层厚度为18nm；利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二FePt层上镀敷Cr层，其中，Cr层厚度为12nm。其中，利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法在玻璃基片表面镀敷MnO层的具体工艺为：溅射靶材为MnO靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量45sccm，溅射频率为60Hz，溅射电压为250V，溅射功率为250W，溅射占空比为35％，基片温度为320℃。其中，利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法在MnO层上镀敷第一MnGa层的具体工艺为：溅射靶材为MnGa靶材，其中，MnGa靶材的Mn和Ga的原子百分比为60:40，溅射气氛为氩气，氩气流量45sccm，溅射频率为160Hz，溅射电压为320V，溅射功率为420W，溅射占空比为35％，基片温度为420℃。其中，利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法在第一MnGa层上镀敷第一Pt层的具体工艺为：溅射靶材为Pt靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量45sccm，溅射频率为
120Hz，溅射电压为120V，溅射功率为120W，溅射占空比为72％，基片温度为220℃。其中，利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法在第一Pt层上镀敷第一FePt层的具体工艺为：溅射靶材为FePt靶材，其中，FePt靶材的Fe和Pt的原子百分比为65:35，溅射气氛为氩气，氩气流量45sccm，溅射频率为350Hz，溅射电压为420V，溅射功率为180W，溅射占空比为25％，基片温度为320℃。利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层的具体工艺为：溅射靶材为MnGa靶材，其中，MnGa靶材的Mn和Ga的原子百分比为50:
50，溅射气氛为氩气，氩气流量45sccm，溅射频率为210Hz，溅射电压为160V，溅射功率为
220W，溅射占空比为52％，基片温度为420℃。利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二MnGa层上镀敷FeCo层的具体工艺为：溅射靶材为FeCo靶材，其中，FeCo靶材的Fe和Co的原子百分比为50:50，溅射气氛为氩气，氩气流量45sccm，溅射频率为110Hz，溅射电压为
160V，溅射功率为220W，溅射占空比为55％，基片温度为220℃。利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在FeCo层上镀敷第二FePt层的具体工艺为：溅射靶材为FePt靶材，其中，FePt靶材的Fe和Pt的原子百分比为50:50，溅射气氛为氩气，氩气流量45sccm，溅射频率为
220Hz，溅射电压为320V，溅射功率为260W，溅射占空比为25％，基片温度为320℃。利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二FePt层上镀敷Cr层的具体工艺为：溅射靶材为Cr靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量45sccm，溅射频率为110Hz，溅射电压为160V，溅射功率为110W，溅射占空比为55％，基片温度为160℃。
[0035] 实施例4
[0036] 以如下方法制备垂直磁记录薄膜材料：准备表面清洁的玻璃基片；利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法，在玻璃基片表面镀敷MnO层，其中，MnO层的厚度为13nm；利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法，在MnO层上镀敷第一MnGa层，其中，第一MnGa层的厚度为20nm；利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一MnGa层上镀敷第一Pt层，其中，第一Pt层的厚度为13nm；利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一Pt层上镀敷第一FePt层，其中，第一FePt层的厚度为25nm；利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层，其中，第二MnGa层的厚度为35nm；利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二MnGa层上镀敷FeCo层，其中，FeCo层厚度为15nm；利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在FeCo层上镀敷第二FePt层，其中，第二FePt层厚度为20nm；利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二FePt层上镀敷Cr层，其中，Cr层厚度为15nm。其中，利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法在玻璃基片表面镀敷MnO层的具体工艺为：溅射靶材为MnO靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量50sccm，溅射频率为80Hz，溅射电压为300V，溅射功率为300W，溅射占空比为40％，基片温度为350℃。其中，利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法在MnO层上镀敷第一MnGa层的具体工艺为：溅射靶材为MnGa靶材，其中，MnGa靶材的Mn和Ga的原子百分比为60:40，溅射气氛为氩气，氩气流量50sccm，溅射频率为180Hz，溅射电压为400V，溅射功率为450W，溅射占空比为40％，基片温度为450℃。其中，利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法在第一MnGa层上镀敷第一Pt层的具体工艺为：溅射靶材为Pt靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量50sccm，溅射频率为
130Hz，溅射电压为150V，溅射功率为150W，溅射占空比为75％，基片温度为250℃。其中，利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法在第一Pt层上镀敷第一FePt层的具体工艺为：溅射靶材为FePt靶材，其中，FePt靶材的Fe和Pt的原子百分比为65:35，溅射气氛为氩气，氩气流量50sccm，溅射频率为400Hz，溅射电压为450V，溅射功率为200W，溅射占空比为30％，基片温度为350℃。利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层的具体工艺为：溅射靶材为MnGa靶材，其中，MnGa靶材的Mn和Ga的原子百分比为50:
50，溅射气氛为氩气，氩气流量50sccm，溅射频率为230Hz，溅射电压为180V，溅射功率为
250W，溅射占空比为55％，基片温度为450℃。利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二MnGa层上镀敷FeCo层的具体工艺为：溅射靶材为FeCo靶材，其中，FeCo靶材的Fe和Co的原子百分比为50:50，溅射气氛为氩气，氩气流量50sccm，溅射频率为120Hz，溅射电压为
180V，溅射功率为250W，溅射占空比为60％，基片温度为250℃。利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在FeCo层上镀敷第二FePt层的具体工艺为：溅射靶材为FePt靶材，其中，FePt靶材的Fe和Pt的原子百分比为50:50，溅射气氛为氩气，氩气流量50sccm，溅射频率为
250Hz，溅射电压为350V，溅射功率为270W，溅射占空比为30％，基片温度为350℃。利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二FePt层上镀敷Cr层的具体工艺为：溅射靶材为Cr靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量50sccm，溅射频率为130Hz，溅射电压为170V，溅射功率为130W，溅射占空比为60％，基片温度为180℃。
[0037] 实施例5
[0038] 以如下方法制备垂直磁记录薄膜材料：准备表面清洁的玻璃基片；利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法，在玻璃基片表面镀敷MnO层，其中，MnO层的厚度为14nm；利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法，在MnO层上镀敷第一MnGa层，其中，第一MnGa层的厚度为22nm；利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一MnGa层上镀敷第一Pt层，其中，第一Pt层的厚度为14nm；利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一Pt层上镀敷第一FePt层，其中，第一FePt层的厚度为27nm；利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层，其中，第二MnGa层的厚度为40nm；利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二MnGa层上镀敷FeCo层，其中，FeCo层厚度为18nm；利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在FeCo层上镀敷第二FePt层，其中，第二FePt层厚度为22nm；利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二FePt层上镀敷Cr层，其中，Cr层厚度为17nm。其中，利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法在玻璃基片表面镀敷MnO层的具体工艺为：溅射靶材为MnO靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量55sccm，溅射频率为90Hz，溅射电压为350V，溅射功率为350W，溅射占空比为45％，基片温度为370℃。其中，利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法在MnO层上镀敷第一MnGa层的具体工艺为：溅射靶材为MnGa靶材，其中，MnGa靶材的Mn和Ga的原子百分比为60:40，溅射气氛为氩气，氩气流量55sccm，溅射频率为190Hz，溅射电压为450V，溅射功率为470W，溅射占空比为45％，基片温度为470℃。其中，利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法在第一MnGa层上镀敷第一Pt层的具体工艺为：溅射靶材为Pt靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量55sccm，溅射频率为
140Hz，溅射电压为180V，溅射功率为180W，溅射占空比为77％，基片温度为270℃。其中，利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法在第一Pt层上镀敷第一FePt层的具体工艺为：溅射靶材为FePt靶材，其中，FePt靶材的Fe和Pt的原子百分比为65:35，溅射气氛为氩气，氩气流量55sccm，溅射频率为450Hz，溅射电压为470V，溅射功率为230W，溅射占空比为35％，基片温度为370℃。利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层的具体工艺为：溅射靶材为MnGa靶材，其中，MnGa靶材的Mn和Ga的原子百分比为50:
50，溅射气氛为氩气，氩气流量55sccm，溅射频率为240Hz，溅射电压为190V，溅射功率为
170W，溅射占空比为57％，基片温度为480℃。利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二MnGa层上镀敷FeCo层的具体工艺为：溅射靶材为FeCo靶材，其中，FeCo靶材的Fe和Co的原子百分比为50:50，溅射气氛为氩气，氩气流量55sccm，溅射频率为140Hz，溅射电压为
190V，溅射功率为270W，溅射占空比为65％，基片温度为270℃。利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在FeCo层上镀敷第二FePt层的具体工艺为：溅射靶材为FePt靶材，其中，FePt靶材的Fe和Pt的原子百分比为50:50，溅射气氛为氩气，氩气流量55sccm，溅射频率为
280Hz，溅射电压为380V，溅射功率为290W，溅射占空比为35％，基片温度为370℃。利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二FePt层上镀敷Cr层的具体工艺为：溅射靶材为Cr靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量55sccm，溅射频率为140Hz，溅射电压为190V，溅射功率为140W，溅射占空比为65％，基片温度为190℃。
[0039] 为了突出本发明实施例取得的技术效果，以下给出了对比例1-17。出于说明书简洁的目的，对比例只给出与实施例1不同的参数，其余参数与步骤默认与实施例1相同。
[0040] 对比例1
[0041] 不在MnO层上镀敷第一MnGa层，直接在MnO层上镀敷第一Pt层。
[0042] 对比例2
[0043] 不在第一Pt层上镀敷第一FePt层，直接在第一Pt层施上镀敷第二MnGa层。
[0044] 对比例3
[0045] 不在第二MnGa层上镀敷FeCo层，直接在第二MnGa层上镀敷FeCo层第二FePt层。
[0046] 对比例4
[0047] 第一MnGa层的厚度为15-25nm。
[0048] 对比例5
[0049] 第一FePt层的厚度为20-30nm。
[0050] 对比例6
[0051] 第二MnGa层的厚度为25-45nm。
[0052] 对比例7
[0053] 第二FePt层厚度为15-25nm。
[0054] 对比例8
[0055] 利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法在玻璃基片表面镀敷MnO层的具体工艺为：溅射频率为50-100Hz，溅射电压为200-400V，溅射功率为200-400W，溅射占空比为30-50％。
[0056] 对比例9
[0057] 利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法在MnO层上镀敷第一MnGa层的具体工艺为：溅射频率为150-200Hz，溅射电压为300-500V，溅射功率为400-500W，溅射占空比为30-50％。
[0058] 对比例10
[0059] 利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法在MnO层上镀敷第一MnGa层的具体工艺为：基片温度为400-500℃。
[0060] 对比例11
[0061] 利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法在第一MnGa层上镀敷第一Pt层的具体工艺为：溅射靶材为Pt靶材，溅射气氛为氩气，氩气流量40-60sccm，溅射频率为100-150Hz，溅射电压为100-200V，溅射功率为100-200W，溅射占空比为70-80％，基片温度为
200-300℃。
[0062] 对比例12
[0063] 利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法在第一Pt层上镀敷第一FePt层的具体工艺为：溅射频率为300-500Hz，溅射电压为400-500V，溅射功率为150-250W，溅射占空比为20-40％。
[0064] 对比例13
[0065] 利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法在第一Pt层上镀敷第一FePt层的具体工艺为：基片温度为300-400℃。
[0066] 对比例14
[0067] 利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层的具体工艺为：溅射频率为200-250Hz，溅射电压为150-200V，溅射功率为200-300W，溅射占空比为50-60％。
[0068] 对比例15
[0069] 利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层的具体工艺为：基片温度为400-500℃。
[0070] 对比例16
[0071] 利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二MnGa层上镀敷FeCo层的具体工艺为：溅射频率为100-150Hz，溅射电压为150-200V，溅射功率为200-300W，溅射占空比为50-70％。
[0072] 对比例17
[0073] 利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在FeCo层上镀敷第二FePt层的具体工艺为溅射频率为200-300Hz，溅射电压为300-400V，溅射功率为250-300W，溅射占空比为20-40％，基片温度为300-400℃。
[0074] 对实施例1-5和对比例1-17测试磁场方向垂直于膜面时，材料的垂直矫顽力(单位为Oe)、垂直矩形比，同时测试磁场方向平行于膜面时，材料的平行矫顽力、平行矩形比。测试方式是本领域公知的VSM方法。测试结果见表1。
[0075] 表1
[0076]
[0077]
[0078] 前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。
