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寻找关于H01L45/00:无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备领域相关可售专利
H01L45/00领域相关在售专利
H01L大组
H01L21/00:专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L23/00:半导体或其他固态器件的零部件
H01L25/00:由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L27/00:由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L29/00:专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件
H01L31/00:对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件
H01L33/00:至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件
H01L35/00:包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件
H01L37/00:不具有不同材料结点的热电器件；热磁器件，例如应用Nernst-Ettinghausen效应的；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L39/00:应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L41/00:一般压电器件；一般电致伸缩器件；一般磁致伸缩器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备；这些器件的零部件
H01L43/00:应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L45/00:无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L47/00:体负阻效应器件，例如耿氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L49/00:不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L51/00:使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L21/00小组
H01L21/02:·半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/64:·非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21/66:·在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21/67:·专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/70:·由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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用于人工神经网络中的N-Ti-Sb-Te基突触仿生器件
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发明专利
有效专利
申请日：
2018-06-22
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L45/00
、
G06N3/063
发明人：
任堃,赵哲昊,季振国
申请人：
杭州电子科技大学
一种基于磁相变逻辑信号源的运算器
一种基于磁相变逻辑信号源的运算器
发明专利
有效专利
信息技术逻辑器件
申请日：
2021-04-21
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L45/00
发明人：
张雪峰,任文玲,陈文潮,刘先国
申请人：
杭州电子科技大学
一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
发明专利
有效专利
微电子
申请日：
2015-04-27
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L45/00
、
C23C14/35
、
C23C14/16
、
C23C14/18
、
B82Y30/00
、
B82Y40/00
发明人：
胡益丰,朱小芹,吴世臣,邹华,袁丽,吴卫华,张建豪,眭永兴,沈大华
申请人：
江苏理工学院
一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料
一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料
发明专利
有效专利
申请日：
2018-08-09
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L45/00
发明人：
胡益丰,张锐,郭璇,尤海鹏,朱小芹,邹华
申请人：
江苏理工学院
一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途
一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途
发明专利
有效专利
微电子
申请日：
2017-02-24
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L45/00
、
B82Y30/00
、
B82Y10/00
发明人：
胡益丰,尤海鹏,朱小芹,邹华,袁丽,张剑豪,孙月梅,薛建忠,吴世臣,吴卫华,郑龙,翟良君
申请人：
江苏理工学院
一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其制备方法
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发明专利
有效专利
柔性信息存储
申请日：
2019-02-27
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L45/00
、
C23C14/35
、
C23C14/08
、
C23C14/06
发明人：
胡益丰,徐永康,朱小芹,邹华
申请人：
江苏理工学院
用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
发明专利
失效专利
申请日：
2015-04-27
当前状态：
权利终止
国际分类号：
H01L45/00
、
C23C14/35
、
C23C14/18
发明人：
胡益丰,潘佳浩,吴小丽,朱小芹,吴世臣,邹华,袁丽,吴卫华,张建豪,眭永兴
申请人：
江苏理工学院
一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料
一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料
发明专利
有效专利
微电子
申请日：
2015-04-27
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L45/00
、
B82Y30/00
、
C23C14/18
、
C23C14/35
、
C23C14/16
、
B82Y40/00
发明人：
胡益丰,朱小芹,吴世臣,邹华,袁丽,吴卫华,张建豪,眭永兴,沈大华
申请人：
江苏理工学院
用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
发明专利
有效专利
申请日：
2015-04-27
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L45/00
、
C23C14/35
、
C23C14/18
发明人：
胡益丰,潘佳浩,吴小丽,朱小芹,吴世臣,邹华,袁丽,吴卫华,张建豪,眭永兴
申请人：
江苏理工学院
Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用
Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用
发明专利
有效专利
微电子
申请日：
2018-06-14
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L45/00
发明人：
胡益丰,尤海鹏,朱强华,臧千强,张锐,郭璇,朱小芹,邹华
申请人：
江苏理工学院
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