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一种碳化硅功率器件堆叠栅介质及制造方法

申请日：2019-10-09 当前状态：授权国际分类号：H01L29/51 、H01L21/329

发明人：王颖,隋金池,曹菲,包梦恬,于成浩

申请人：杭州电子科技大学

AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法

申请日：2015-04-07 当前状态：授权国际分类号：H01L29/778 、H01L29/06 、H01L21/335

发明人：程知群,王凯,董志华,刘国华,周涛,柯华杰

申请人：杭州电子科技大学

低功耗宽频带二倍频器电路

申请日：2017-12-22 当前状态：授权国际分类号：H03B19/14

发明人：周明珠,姜文杰,苏国东,梁永明,王涛,王博威,李璇

申请人：杭州电子科技大学

一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法

申请日：2015-04-27 当前状态：授权国际分类号：H01L45/00 、C23C14/35 、C23C14/16 、C23C14/18 、B82Y30/00 、B82Y40/00

发明人：胡益丰,朱小芹,吴世臣,邹华,袁丽,吴卫华,张建豪,眭永兴,沈大华

申请人：江苏理工学院

一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途

申请日：2017-02-24 当前状态：授权国际分类号：H01L45/00 、B82Y30/00 、B82Y10/00

发明人：胡益丰,尤海鹏,朱小芹,邹华,袁丽,张剑豪,孙月梅,薛建忠,吴世臣,吴卫华,郑龙,翟良君

申请人：江苏理工学院

一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料

申请日：2015-04-27 当前状态：授权国际分类号：H01L45/00 、B82Y30/00 、C23C14/18 、C23C14/35 、C23C14/16 、B82Y40/00

发明人：胡益丰,朱小芹,吴世臣,邹华,袁丽,吴卫华,张建豪,眭永兴,沈大华

申请人：江苏理工学院

Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用

申请日：2018-06-14 当前状态：授权国际分类号：H01L45/00

发明人：胡益丰,尤海鹏,朱强华,臧千强,张锐,郭璇,朱小芹,邹华

申请人：江苏理工学院

用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法

申请日：2015-04-27 当前状态：授权国际分类号：H01L45/00 、B82Y30/00 、B82Y40/00 、C23C14/35 、C23C14/16 、C23C14/18

发明人：胡益丰,朱小芹,吴世臣,邹华,袁丽,吴卫华,张建豪,眭永兴,沈大华

申请人：江苏理工学院

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