搜索一下
登录/注册
首页
>
专利
>
寻找关于H01L29/10:具有连接到1个不通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的领域相关可售专利
H01L29/10领域相关在售专利
H01L大组
H01L21/00:专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L23/00:半导体或其他固态器件的零部件
H01L25/00:由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L27/00:由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L29/00:专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件
H01L31/00:对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件
H01L33/00:至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件
H01L35/00:包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件
H01L37/00:不具有不同材料结点的热电器件；热磁器件，例如应用Nernst-Ettinghausen效应的；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L39/00:应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L41/00:一般压电器件；一般电致伸缩器件；一般磁致伸缩器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备；这些器件的零部件
H01L43/00:应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L45/00:无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L47/00:体负阻效应器件，例如耿氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L49/00:不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L51/00:使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L21/00小组
H01L21/02:·半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/64:·非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21/66:·在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21/67:·专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/70:·由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
找到
11
个相关信息
一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法
一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法
发明专利
有效专利
[0001]本发明属材料制备
申请日：
2020-11-03
当前状态：
授权
国际分类号：
C30B25/16
、
C30B28/14
、
C30B29/46
、
C30B29/64
、
H01L29/10
发明人：
陈飞,姜夏,苏伟涛
申请人：
杭州电子科技大学
双Finfet晶体管及其制备方法
双Finfet晶体管及其制备方法
发明专利
有效专利
半导体制造
申请日：
2014-01-15
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L21/336
、
H01L21/28
、
H01L29/78
、
H01L29/423
、
H01L29/10
发明人：
亢勇,陈邦明
申请人：
上海新储集成电路有限公司
一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管
一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管
发明专利
有效专利
申请日：
2019-10-30
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/778
、
H01L29/10
、
H01L29/06
发明人：
王颖,费新星,包梦恬,于成浩
申请人：
杭州电子科技大学
石墨烯条带异质结双栅TFET及其开关特性提升方法
石墨烯条带异质结双栅TFET及其开关特性提升方法
发明专利
有效专利
场效应晶体管
申请日：
2018-06-22
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/739
、
H01L29/10
、
H01L29/06
、
H01L29/165
、
H01L21/331
发明人：
王晶,封路,阮良浩,赵文生,张海鹏
申请人：
杭州电子科技大学
一种半椭圆氧化沟槽LDMOS晶体管
一种半椭圆氧化沟槽LDMOS晶体管
发明专利
有效专利
申请日：
2020-10-20
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/78
、
H01L29/06
、
H01L29/10
发明人：
胡月,丁怡,张惠婷,程瑜华,王高峰
申请人：
杭州电子科技大学温州研究院有限公司
、
杭州电子科技大学
一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管
一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管
发明专利
有效专利
申请日：
2016-04-20
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/772
、
H01L29/06
、
H01L29/10
发明人：
王颖,曹菲,王艳福,于成浩
申请人：
杭州电子科技大学
一种肖特基结隧穿场效应晶体管
一种肖特基结隧穿场效应晶体管
发明专利
有效专利
申请日：
2016-04-20
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/10
、
H01L29/423
、
H01L29/739
发明人：
王颖,曹菲,王艳福,于成浩
申请人：
杭州电子科技大学
基于SOI工艺的背栅漏/源半浮前栅P-MOSFET射频开关器件
基于SOI工艺的背栅漏/源半浮前栅P-MOSFET射频开关器件
发明专利
有效专利
半导体
申请日：
2013-12-26
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/78
、
H01L29/10
、
H01L29/08
发明人：
刘军,洪慧,孙玲玲
申请人：
杭州电子科技大学
漏/源区介质/PN结隔离前栅P-MOSFET射频开关器件
漏/源区介质/PN结隔离前栅P-MOSFET射频开关器件
发明专利
有效专利
半导体
申请日：
2013-12-30
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/78
、
H01L29/10
、
H01L29/08
发明人：
刘军
申请人：
杭州电子科技大学
基于SOI工艺的背栅漏/源半浮前栅N-MOSFET射频开关低损耗器件
基于SOI工艺的背栅漏/源半浮前栅N-MOSFET射频开关低损耗器件
发明专利
有效专利
半导体
申请日：
2013-12-26
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/78
、
H01L29/10
、
H01L29/08
发明人：
刘军,孙玲玲
申请人：
杭州电子科技大学
首页
上一页
1
2
下一页
尾页
同类专利
1
双极晶体管的制作方法
2
沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法
3
一种用于晶体管制造的具有剔除功能的成型装置
4
一种钙钛矿太阳电池光吸收层纳米溶胶镀膜液及制备方法
5
一种钙钛矿太阳电池纳米二氧化钛溶胶和骨架膜的制备方法
6
一种太阳电池玻璃低效减反射膜的增效方法
7
一种钙钛矿太阳电池空穴传输层复合镀膜液及制备方法
8
经编机压电贾卡元件
9
一种超结结构的制作方法
10
含二噻吩苯并噻二唑单元的聚合物的制备方法
版权所有：盲专网 ©2023 zlpt.xyz
蜀ICP备2023003576号
