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寻找关于H01L29/06:按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的领域相关可售专利
H01L29/06领域相关在售专利
H01L大组
H01L21/00:专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L23/00:半导体或其他固态器件的零部件
H01L25/00:由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L27/00:由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L29/00:专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件
H01L31/00:对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件
H01L33/00:至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件
H01L35/00:包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件
H01L37/00:不具有不同材料结点的热电器件；热磁器件，例如应用Nernst-Ettinghausen效应的；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L39/00:应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L41/00:一般压电器件；一般电致伸缩器件；一般磁致伸缩器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备；这些器件的零部件
H01L43/00:应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L45/00:无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L47/00:体负阻效应器件，例如耿氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L49/00:不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L51/00:使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L21/00小组
H01L21/02:·半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/64:·非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21/66:·在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21/67:·专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/70:·由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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一种超结结构的制作方法
一种超结结构的制作方法
发明专利
有效专利
半导体
申请日：
2018-10-25
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/06
发明人：
不公告发明人
申请人：
深圳市金鑫城纸品有限公司
超结金属氧化物场效应晶体管
超结金属氧化物场效应晶体管
发明专利
有效专利
申请日：
2017-12-13
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/78
、
H01L29/06
发明人：
不公告发明人
申请人：
深圳市晶特智造科技有限公司
复合多晶硅栅MOS器件及其制造方法
复合多晶硅栅MOS器件及其制造方法
发明专利
有效专利
半导体器件及制造
申请日：
2015-12-04
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/78
、
H01L21/336
、
H01L29/423
、
H01L29/06
发明人：
徐建彬
申请人：
上海斐讯数据通信技术有限公司
一种改善大信号跨导的高线性度GaNHEMT射频功率器件
一种改善大信号跨导的高线性度GaNHEMT射频功率器件
实用新型
有效专利
申请日：
2022-01-28
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/06
、
H01L29/778
发明人：
黄定龙,程知群,乐超
申请人：
杭州恒创微电子有限公司
、
杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构
一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构
发明专利
有效专利
半导体
申请日：
2020-01-09
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/739
、
H01L29/06
、
H01L21/331
发明人：
王颖,张孝冬,于成浩,曹菲
申请人：
杭州电子科技大学
带深L形基区的单侧斜面栅碳化硅MOSFET器件
带深L形基区的单侧斜面栅碳化硅MOSFET器件
实用新型
有效专利
功率半导体器件
申请日：
2021-11-09
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/78
、
H01L29/423
、
H01L29/06
、
H01L21/04
发明人：
董志华,刘辉,刘国华,程知群
申请人：
杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
、
杭州电子科技大学
一种GaN基高压整流共振隧穿二极管
一种GaN基高压整流共振隧穿二极管
发明专利
有效专利
化合物半导体量子器件
申请日：
2018-10-22
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/06
、
H01L29/88
发明人：
张海鹏,耿露,王晓媛,张忠海,林弥,陆雪杰
申请人：
杭州电子科技大学
一种多谐GaN/AlGaN共振隧穿二极管
一种多谐GaN/AlGaN共振隧穿二极管
发明专利
有效专利
化合物半导体量子器件
申请日：
2018-10-30
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/88
、
H01L29/20
、
H01L29/06
发明人：
程子峰,张海鹏,白建玲,张强,耿露
申请人：
杭州电子科技大学
一种低功耗GaN/AlGaN共振隧穿二极管
一种低功耗GaN/AlGaN共振隧穿二极管
发明专利
有效专利
化合物半导体量子器件
申请日：
2017-12-29
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/88
、
H01L29/06
发明人：
张海鹏,白建玲,林弥,张忠海,郝郗亮,吕伟锋
申请人：
杭州电子科技大学
一种利用全固态电池实现的增强型III-VHEMT器件
一种利用全固态电池实现的增强型III-VHEMT器件
发明专利
有效专利
申请日：
2018-04-29
当前状态：
授权
国际分类号：
H01L29/778
、
H01L29/06
、
H01L27/06
、
H01L21/335
发明人：
董志华,张辉,张佩佩,程知群,刘国华,李仕琦,蒋俊杰
申请人：
杭州电子科技大学
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