[0020] 以下参照附图1详细说明本发明所述方法的具体步骤。
[0021] 实施例1:
[0022] (1)将硅片在90℃的浓硫酸与双氧水的混合溶液中浸泡1小时,然后分别在丙醇、乙醇、去离子水中超声清洗15分钟以上,再用大量的去离子水冲洗干净,最后用氮气吹干。
[0023] (2)在清洗干净的硅片表面滴一滴水,将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)支撑的超薄多孔氧化铝模板粘附在硅面表面。然后将样品置于丙醇溶液中浸泡5-10分钟,去除PMMA层,将模板转移到硅衬底上,再用干净的丙醇溶液清洗一次,晾干。
[0024] (3)多孔氧化铝模板与衬底之间的粘附力较弱,将样品静置数小时,使模板与衬底间的粘附力进一步驰豫。
[0025] (4)将表面带有氧化铝模板的衬底转移至沉积腔内,模板朝向蒸发源,采用热蒸发方法沉积银,沉积速率为0.2 nm/s,沉积厚度为100 nm。由于模板与衬底间的粘附力被驰豫,银原子易于扩散到界面区,并优先在界面区成核,并逐渐在模板与衬底之间生长成纳米孔阵列。
[0026] (5)沉积完成后,利用胶带将模板剥离,即在衬底表面留下银纳米孔阵列。
[0027] 实施例2:
[0028] (1)将硅片在90℃的浓硫酸与双氧水的混合溶液中浸泡1小时,然后分别在丙醇、乙醇、去离子水中超声清洗15分钟以上,再用大量的去离子水冲洗干净,最后用氮气吹干。
[0029] (2)在清洗干净的硅片表面滴一滴水,将PMMA支撑的超薄多孔氧化铝模板粘附在硅面表面。然后将样品置于丙醇溶液中浸泡5-10分钟,去除PMMA层,将模板转移到硅衬底上,再用干净的丙醇溶液清洗一次,晾干。
[0030] (3)多孔氧化铝模板与衬底之间的粘附力较弱,通过低温退火加强模板与硅衬底之间的粘附力,低温退火通过加热板进行,退火温度为150℃,时间为4小时。
[0031] (4)将表面带有氧化铝模板的衬底转移至沉积腔内,模板朝向蒸发源,采用热蒸发方法沉积银,沉积速率为0.2 nm/s,沉积厚度为50 nm。由于模板与衬底间的粘附力被加强,银原子不易扩散到界面区,而是优先在模板与衬底形成的台阶区成核,并逐渐向孔中心区域生长,形成纳米环。
[0032] (5)沉积完成后,利用胶带将模板剥离,在衬底表面留下银纳米环阵列。
[0033] 实施例3:
[0034] (1)将硅片在90℃的浓硫酸与双氧水的混合溶液中浸泡1小时,然后分别在丙醇、乙醇、去离子水中超声清洗15分钟以上,再用大量的去离子水冲洗干净,最后用氮气吹干。
[0035] (2)在清洗干净的硅片表面滴一滴水,将PMMA支撑的超薄多孔氧化铝模板粘附在硅面表面。然后将样品置于丙醇溶液中浸泡5-10分钟,去除PMMA层,将模板转移到硅衬底上,再用干净的丙醇溶液清洗一次,晾干。
[0036] (3)多孔氧化铝模板与衬底之间的粘附力较弱,将样品静置数小时,使模板与衬底间的粘附力进一步驰豫。
[0037] (4)将表面带有氧化铝模板的衬底转移至沉积腔内,模板朝向蒸发源,采用热蒸发方法沉积金,沉积速率为0.2 nm/s,沉积厚度为100 nm。由于模板与衬底间的粘附力被驰豫,金原子易于扩散到界面区,并优先在界面区成核,并逐渐在模板与衬底之间生长成纳米孔阵列。
[0038] (5)沉积完成后,利用胶带将模板剥离,在衬底表面留下金纳米孔阵列。
[0039] 实施例4:
[0040] (1)将硅片在90℃的浓硫酸与双氧水的混合溶液中浸泡1小时,然后分别在丙醇、乙醇、去离子水中超声清洗15分钟以上,再用大量的去离子水冲洗干净,最后用氮气吹干。
[0041] (2)在清洗干净的硅片表面滴一滴水,将PMMA支撑的超薄多孔氧化铝模板粘附在硅面表面。然后将样品置于丙醇溶液中浸泡5-10分钟,去除PMMA层,将模板转移到硅衬底上,再用干净的丙醇溶液清洗一次,晾干。
[0042] (3)多孔氧化铝模板与衬底之间的粘附力较弱,通过低温退火加强模板与硅衬底之间的粘附力,低温退火通过加热板进行,退火温度为150℃,时间为4小时。
[0043] (4)将表面带有氧化铝模板的衬底转移至沉积腔内,模板朝向蒸发源,采用热蒸发方法沉积金,沉积速率为0.2 nm/s,沉积厚度为50 nm。由于模板与衬底间的粘附力被加强,金原子不易扩散到界面区,而是优先在模板与衬底形成的台阶区成核,并逐渐向孔中心区域生长,形成纳米环。
[0044] (5)沉积完成后,利用胶带将模板剥离,在衬底表面留下金纳米环阵列。