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寻找关于H02M1/088:用于对串联或并联半导体器件进行同时控制领域相关可售专利
H02M1/088领域相关在售专利
H02M大组
H02M1/00:变换装置的零部件
H02M3/00:直流功率输入变换为直流功率输出
H02M5/00:交流功率输入变换为交流功率输出，例如用于改变电压、用于改变频率、用于改变相数的
H02M7/00:交流功率输入变换为直流功率输出；直流功率输入变换为交流功率输出
H02M9/00:直流或交流功率输入变换为浪涌功率输出
H02M11/00:本小类其他各组不包含的电力变换系统
H02M1/00小组
H02M1/02:·专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1/06:·非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1/08:·为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1/10:·具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1/12:·减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M1/14:·减少直流输入或输出的波纹的装置
H02M1/16:·切换时分级供给电流的装置，例如应用饱合电抗器
H02M1/20:·动态变换器的接触构件
H02M1/32:·除自动断开以外的用于保护变换器的装置
H02M1/36:·用于启动和停止变换器的装置
H02M1/38:·用于防止开关同时导通的装置
H02M1/40:·用于防止磁饱和的装置
H02M1/42:·用于补偿或者调节变换器或者逆变器中的功率因数的电路或装置
H02M1/44:·用于补偿变换器或者逆变器中的电磁干扰的电路或装置
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个相关信息
一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路
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发明专利
有效专利
电力电子驱动
申请日：
2020-04-27
当前状态：
授权
国际分类号：
H02M1/088
、
H02M1/32
发明人：
杭丽君,李国文,童安平,曾庆威,何远彬,沈磊,张尧
申请人：
杭州电子科技大学
一种单片机控制逆变器工作的驱动脉冲数字实现方法
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发明专利
有效专利
申请日：
2014-03-07
当前状态：
授权
国际分类号：
H02M7/48
、
H02M1/088
发明人：
高明煜,詹鑫鑫,王振涛,李芸,黄继业
申请人：
杭州电子科技大学
一种基于二次电流模拟的LLC同步整流电路
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发明专利
有效专利
电子
申请日：
2021-07-16
当前状态：
授权
国际分类号：
H02M3/335
、
H02M1/088
发明人：
谢小高,于海明
申请人：
杭州电子科技大学
一种基于极限学习机的滑模变结构的单相逆变器控制系统及方法
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发明专利
有效专利
单相逆变器控制
申请日：
2021-05-14
当前状态：
授权
国际分类号：
H02M7/5387
、
H02M1/088
、
G05B11/42
发明人：
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申请人：
杭州电子科技大学
一种用于MMC的子模块电容电压均衡控制系统
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发明专利
有效专利
申请日：
2018-08-13
当前状态：
授权
国际分类号：
H02M1/088
、
H02M1/32
发明人：
王翠,朱能飞,崔晓斌,杨小品,张兴旺,曾瑄,欧阳俊铭
申请人：
南昌工程学院
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