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一种基于FinFET器件的三字线存储单元
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发明专利
有效专利
申请日：
2017-06-19
当前状态：
授权
国际分类号：
G11C8/14
、
G11C11/418
发明人：
胡建平,杨会山
申请人：
宁波大学
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