搜索一下
登录/注册
首页
>
专利
>
寻找关于C30B29/22:复合氧化物领域相关可售专利
C30B29/22领域相关在售专利
C30B大组
C30B1/00:直接自固体的单晶生长
C30B3/00:共析材料的定向分层
C30B5/00:凝胶的单晶生长
C30B7/00:常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长
C30B9/00:使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
C30B11/00:正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
C30B13/00:区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼
C30B15/00:熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B17/00:生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长，例如Necken-Kyropoulos法
C30B19/00:液相外延层生长
C30B21/00:共晶材料的定向凝固
C30B23/00:冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
C30B25/00:反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B27/00:保护流体下的单晶生长
C30B28/00:制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/00:以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B30/00:利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B31/00:单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
C30B33/00:单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B35/00:未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的一般装置
C30B1/00小组
C30B1/02:·热处理法，例如应变退火
C30B1/10:·固相反应法或多相扩散法
C30B1/12:·生长期间的压力处理法
找到
1
个相关信息
一种铜酸镧（La2CuO4）薄膜的制备方法
一种铜酸镧（La2CuO4）薄膜的制备方法
发明专利
有效专利
申请日：
2011-11-23
当前状态：
授权
国际分类号：
C30B29/22
、
C30B7/14
、
C23C26/00
、
B05C3/09
发明人：
黄剑锋,李意峰,侯艳超,曹丽云,吴建鹏
申请人：
陕西科技大学
同类专利
1
一种多孔铜基晶须材料的制备方法
2
一种碳化硅晶体取下装置
3
一种太阳能电池片制造用扩散炉炉管
4
一种光伏用多晶硅消泡式制绒方法
5
一种具有双峰金字塔绒面结构的单晶硅片
6
一种P型氮化镓材料空穴激活的方法
7
半导体照明外延结构形成方法
8
三维镥聚合物及其制备方法
9
一种单晶硅加工用高温加工装置
10
一种多晶炉热场拆装作业平台
版权所有：盲专网 ©2023 zlpt.xyz
蜀ICP备2023003576号
