实施方案
[0013] 下面结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明。
[0014] 实施例1：
[0015] 1)将分析纯的硝酸镧(La(NO3)3·nH2O)加入80ml蒸馏水中磁力搅拌配制成La3+浓度为0.5mol/L的透明溶液A；
[0016] 2)向A溶液中加入分析纯的硝酸铜(Cu(NO3)3·3H2O)，使得La3+与Cu2+的摩尔比为2∶1，并不断搅拌，然后向溶液中加入草酸，使草酸与阳离子总和的摩尔比为1.2∶1，最后加入2滴乙酰丙酮，搅拌均匀后静置10h得溶液B；
[0017] 3)将经双氧水和硝酸活化处理后的硅基片浸入溶液B中；将B溶液放在紫外光-微波仪中照射5h后取出硅基片，将硅基片用丙酮清洗后放入干燥箱中，在80℃下干燥得单一物相的La2CuO4薄膜。
[0018] 由图1可以看出所制备的薄膜为单一相的La2CuO4，由图2可以看出，薄膜较为致密平整，孔隙较少。
[0019] 实施例2：
[0020] 1)将分析纯的硝酸镧(La(NO3)3·nH2O)加入70ml蒸馏水中磁力搅拌配制成La3+浓度为0.4mol/L的透明溶液A；
[0021] 2)向A溶液中加入分析纯的硝酸铜(Cu(NO3)3·3H2O)，使得La3+与Cu2+的摩尔比为2∶1，并不断搅拌，然后向溶液中加入草酸，使草酸与阳离子总和的摩尔比为2∶1，最后加入5滴乙酰丙酮，搅拌均匀后静置20h得溶液B；
[0022] 3)将经双氧水和硝酸活化处理后的硅基片浸入溶液B中；将B溶液放在紫外光-微波仪中照射20h后取出硅基片，将硅基片用丙酮清洗后放入干燥箱中，在100℃下干燥得单一物相的La2CuO4薄膜。
[0023] 实施例3：
[0024] 1)将分析纯的硝酸镧(La(NO3)3·nH2O)加入100ml蒸馏水中磁力搅拌配制成La3+浓度为0.6mol/L的透明溶液A；
[0025] 2)向A溶液中加入分析纯的硝酸铜(Cu(NO3)3·3H2O)，使得La3+与Cu2+的摩尔比为2∶1，并不断搅拌，然后向溶液中加入草酸，使草酸与阳离子总和的摩尔比为3∶1，最后加入8滴乙酰丙酮，搅拌均匀后静置15h得溶液B；
[0026] 3)将经双氧水和硝酸活化处理后的硅基片浸入溶液B中；将B溶液放在紫外光-微波仪中照射10h后取出硅基片，将硅基片用丙酮清洗后放入干燥箱中，在90℃下干燥得单一物相的La2CuO4薄膜。
[0027] 实施例4：
[0028] 1)将分析纯的硝酸镧(La(NO3)3·nH2O)加入60ml蒸馏水中磁力搅拌配制成La3+浓度为0.3mol/L的透明溶液A；
[0029] 2)向A溶液中加入分析纯的硝酸铜(Cu(NO3)3·3H2O)，使得La3+与Cu2+的摩尔比为2∶1，并不断搅拌，然后向溶液中加入草酸， 使草酸与阳离子总和的摩尔比为0.5∶1，最后加入1滴乙酰丙酮，搅拌均匀后静置5h得溶液B；
[0030] 3)将经双氧水和硝酸活化处理后的硅基片浸入溶液B中；将B溶液放在紫外光-微波仪中照射15h后取出硅基片，将硅基片用丙酮清洗后放入干燥箱中，在110℃下干燥得单一物相的La2CuO4薄膜。
