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C30B7/00:常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长
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C30B17/00:生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长，例如Necken-Kyropoulos法
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C30B23/00:冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
C30B25/00:反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B27/00:保护流体下的单晶生长
C30B28/00:制备具有一定结构的均匀多晶材料
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C30B30/00:利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B31/00:单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
C30B33/00:单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B35/00:未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的一般装置
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C30B1/12:·生长期间的压力处理法
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一种多孔铜基晶须材料的制备方法
一种多孔铜基晶须材料的制备方法
发明专利
实质审查
本发明属于铜晶须的制备
申请日：
2020-10-17
当前状态：
实质审查
国际分类号：
C30B29/62
、
C30B29/02
、
C30B1/00
、
C22C1/04
、
B22F3/11
、
C23F1/36
、
C23C14/06
、
C23C14/28
、
C25F3/04
、
B01J32/00
发明人：
左海珍
申请人：
左海珍
一种在室温下快速制备大尺寸高品质单层石墨烯的方法
一种在室温下快速制备大尺寸高品质单层石墨烯的方法
发明专利
有效专利
申请日：
2019-06-03
当前状态：
授权
国际分类号：
C30B23/00
、
C30B29/02
、
C23C14/28
、
C23C14/06
发明人：
卢晨曦,叶高翔,李领伟,余森江,赵晓宇
申请人：
杭州电子科技大学
一种合成小尺寸金属纳米晶的方法
一种合成小尺寸金属纳米晶的方法
发明专利
有效专利
纳米晶材料的制备
申请日：
2020-03-18
当前状态：
授权
国际分类号：
C30B7/14
、
C30B29/02
发明人：
刘继宪,薛静,李海龙,王瑶,唐建国
申请人：
青岛大学
3D石墨烯
3D石墨烯
发明专利
实质审查
申请日：
2018-08-24
当前状态：
实质审查
国际分类号：
C01B32/184
、
C30B1/02
、
C30B29/02
发明人：
马尔科·卡菲奥,克劳斯·马阔特
申请人：
RD石墨烯有限公司
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