[0026] 以下将参照附图，对本发明的优选实施例进行详细的描述。
[0027] 实施例1
[0028] 本实施例钴纳米球的制备方法，包括以下步骤：
[0029] 1）称取0.25 g六水合氯化钴和0.05 g聚乙烯吡咯烷酮溶于15 ml去离子水和无水乙醇的混合液中配成溶液A；称取0.4 g氢氧化钠溶于5 ml去离子水中配成溶液B；再称取0.4 g硼氢化钠溶于5 ml去离子水中配成溶液C；
[0030] 2）将15 ml溶液A、5 ml溶液B和5 ml溶液C混合作为反应溶液并转移到高压釜中，置于160 ℃恒温鼓风干燥箱中反应20小时，得到钴纳米球；
[0031] 3）水热反应后，将悬浊反应液进行离心分离，然后用去离子水和无水乙醇洗涤沉淀物；
[0032] 4）将沉淀物放在真空干燥箱内50 ℃下干燥，烘干时间为5小时，最终得到黑色钴粉末。
[0033] 在六水合氯化钴溶液中加入一定量的表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮，目的是控制产物的形貌，同时还起到防止发生粒子团聚的作用；步骤3）和步骤4）的目的是将制备的钴纳米球从悬浊反应液中分离出来；本实施例制备的钴纳米球的扫描电镜图如图1所示，平均直径约为350 nm。
[0034] 实施例2
[0035] 本实施例钴纳米球的制备方法，包括以下步骤：
[0036] 1）称取0.25 g六水合氯化钴和0.06 g聚乙烯吡咯烷酮溶于15 ml去离子水和无水乙醇的混合液中配成溶液A；称取0.5 g氢氧化钠溶于5 ml去离子水中配成溶液B；再称取0.62 g硼氢化钠溶于5 ml去离子水中配成溶液C；
[0037] 2）将15 ml溶液A 、5 ml溶液B和5 ml溶液C混合作为反应溶液并转移到高压釜中，置于180 ℃恒温鼓风干燥箱中反应15小时，得到钴纳米球；
[0038] 3）水热反应后，将悬浊反应液进行离心分离，然后用去离子水和无水乙醇洗涤沉淀物；
[0039] 4）将沉淀物放在真空干燥箱内50 ℃下干燥，烘干时间为5小时，最终得到黑色钴粉末。
[0040] 在六水合氯化钴溶液中加入一定量的表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮，目的是控制产物的形貌，同时还起到防止发生粒子团聚的作用；步骤3）和步骤4）的目的是将制备的钴纳米球从悬浊反应液中分离出来；本实施例制备的钴纳米球的扫描电镜图如图2所示，平均直径约为400 nm。
[0041] 实施例3
[0042] 本实施例钴纳米球的制备方法，包括以下步骤：
[0043] 1）称取0.25 g六水合氯化钴和0.1 g 聚乙烯吡咯烷酮溶于15 ml去离子水和无水乙醇的混合液中配成溶液A；称取0.48 g氢氧化钠溶于5 ml去离子水中配成溶液B；再称取0.55 g硼氢化钠溶于5 ml去离子水中配成溶液C；
[0044] 2）将15 ml溶液A 、5 ml溶液B和5 ml溶液C混合作为反应溶液并转移到高压釜中，置于180 ℃恒温鼓风干燥箱中反应18小时，得到钴纳米球；
[0045] 3）水热反应后，将悬浊反应液进行离心分离，然后用去离子水和无水乙醇洗涤沉淀物；
[0046] 4）将沉淀物放在真空干燥箱内40 ℃下干燥，烘干时间为6小时，最终得到黑色钴粉末。
[0047] 在六水合氯化钴溶液中加入一定量的表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮，目的是控制产物的形貌，同时还起到防止发生粒子团聚的作用；步骤3）和步骤4）的目的是将制备的钴纳米球从悬浊反应液中分离出来；本实施例制备的钴纳米球的扫描电镜图如图3所示，平均直径约为250 nm。
[0048] 实施例4
[0049] 本实施例钴纳米球的制备方法，包括以下步骤：
[0050] 1）称取0.5 g六水合氯化钴和0.08 g 聚乙烯吡咯烷酮溶于15 ml去离子水和无水乙醇的混合液中配成溶液A；称取0.6 g氢氧化钠溶于5 ml去离子水中配成溶液B；再称取0.62 g硼氢化钠溶于5 ml去离子水中配成溶液C；
[0051] 2）将15 ml溶液A 、5 ml溶液B和5 ml溶液C混合作为反应溶液并转移到高压釜中，置于160 ℃恒温鼓风干燥箱中反应20小时，得到钴纳米球；
[0052] 3）水热反应后，将悬浊反应液进行离心分离，然后用去离子水和无水乙醇洗涤沉淀物；
[0053] 4）将沉淀物放在真空干燥箱内40 ℃下干燥，烘干时间为6小时，最终得到黑色钴粉末。
[0054] 在六水合氯化钴溶液中加入一定量的表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮，目的是控制产物的形貌，同时还起到防止发生粒子团聚的作用；步骤3）和步骤4）的目的是将制备的钴纳米球从悬浊反应液中分离出来；本实施例制备的钴纳米球的扫描电镜图如图4所示，平均直径约为900 nm。
[0055] 最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管通过参照本发明的优选实施例已经对本发明进行了描述，但本领域的普通技术人员应当理解，可以在形式上和细节上对其作出各种各样的改变，而不偏离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围。
