[0029] 下面就本发明的具体实施方式作进一步说明。
[0030] 如无特别说明,本发明中所采用的原料均可从市场上购得或是本领域常用的,如无特别说明,下述实施例中的方法均为本领域的常规方法。
[0031] 下述实施例中以二维铁锗碲薄片为例予以说明。
[0032] 实施例1
[0033] 一种二维铁磁材料的磁性可控调节方法,包括以下步骤:
[0034] (1)用机械剥离专用胶带即蓝膜对铁锗碲Fe3GeTe2单晶进行剥离,并将剥离出来的二维铁锗碲薄片转移到清洗好的涂覆氧化硅层的硅片上,并设置在氧化硅层上,氧化硅层厚度为300nm;二维铁锗碲薄片的厚度≤ 30nm,横向尺寸≤ 20µm;
[0035] (2)将分子量为130000g/mol的PVA与去离子水质量比为1:9混合,搅拌加热至60℃溶解得到PVA水溶液;将硅片放在匀胶机上,将PVA溶液滴涂在二维铁锗碲薄片上用于旋涂成膜,其中匀胶机转速为1000rpm,旋转时间为40s,放于真空干燥箱内70℃干燥1min形成包覆二维铁锗碲薄片的致密PVA薄膜,厚度为70µm;
[0036] (3)用胶水将PET衬底粘连在致密PVA薄膜上,PET衬底的厚度为125µm,胶水的厚度约为15µm,如图1(a)所示;用无磁镊子将PET衬底缓慢从衬底上剥落,此过程将带动二维铁锗碲薄片与氧化硅片的分离,如图1(b)所示,从而得到柔性基板,柔性基板的厚度≤ 300µm;(4)如图2所示,采用三点法在PET衬底侧对柔性基板施加弯曲应力,使柔性基板弯曲发生6.8%的应变,从而实现对二维铁锗碲薄片磁性的调节。
[0037] 实施例2
[0038] 一种二维铁磁材料的磁性可控调节方法,与实施例1的不同之处在于,步骤(4)中通过三点弯曲法使柔性基板发生5%的应变。
[0039] 实施例3
[0040] 一种二维铁磁材料的磁性可控调节方法,包括以下步骤:
[0041] (1)用机械剥离专用胶带即蓝膜对铁锗碲单晶进行剥离,将剥离出来的二维铁锗碲薄片转移到清洗好的涂覆氧化硅层的硅片上,并设置在氧化硅层上,氧化硅层厚度为100nm;二维铁锗碲薄片的厚度≤ 30nm,横向尺寸≤ 20µm;
[0042] (2)将分子量为80000g/mol的PVA与去离子水质量比为2:8混合,搅拌加热至60℃溶解得到PVA水溶液;将硅片放在匀胶机上,将PVA溶液滴涂在二维铁锗碲薄片上用于旋涂成膜,其中匀胶机转速为2000rpm,旋转时间为30s,放于真空干燥箱内80℃干燥1min形成包覆二维铁锗碲薄片的致密PVA薄膜,厚度为50µm;
[0043] (3)用胶水将PET衬底粘连在致密PVA薄膜上,PET衬底的厚度为100µm,胶水的厚度约为15µm;用无磁镊子将PET衬底缓慢从衬底上剥落,此过程将带动二维铁锗碲薄片与氧化硅片的分离,从而得到柔性基板,柔性基板的厚度≤ 300µm;
[0044] (4)采用三点法在PET衬底侧对柔性基板施加弯曲应力,使柔性基板弯曲发生3%的应变,从而实现对二维铁锗碲薄片磁性的调节。
[0045] 实施例4
[0046] 一种二维铁磁材料的磁性可控调节方法,包括以下步骤:
[0047] (1)用机械剥离专用胶带即蓝膜对铁锗碲单晶进行剥离,将剥离出来的二维铁锗碲薄片转移到清洗好的涂覆氧化硅层的硅片上,并设置在氧化硅层上,氧化硅层厚度为200nm;二维铁锗碲薄片的厚度≤ 30nm,横向尺寸≤ 20µm;
[0048] (2)将分子量为150000g/mol的PVA与去离子水质量比为0.5:9.5混合,搅拌加热至60℃溶解得到PVA水溶液;将硅片放在匀胶机上,将PVA溶液滴涂在二维铁锗碲薄片上用于旋涂成膜,其中匀胶机转速为500rpm,旋转时间为60s,放于真空干燥箱内60℃干燥5min形成包覆二维铁锗碲薄片的致密PVA薄膜,厚度为100µm;
[0049] (3)用胶水将PET衬底粘连在致密PVA薄膜上,PET衬底的厚度为150µm,胶水的厚度约为15µm;用无磁镊子将PET衬底缓慢从衬底上剥落,此过程将带动二维铁锗碲薄片与氧化硅片的分离,从而得到柔性基板,柔性基板的厚度≤ 300µm;
[0050] (4)采用三点法在PET衬底侧对柔性基板施加弯曲应力,将柔性基板弯曲发生7%的应变,从而实现对二维铁锗碲薄片磁性的调节。
[0051] 实施例5
[0052] 一种二维铁磁材料的磁性可控调节方法,包括以下步骤:
[0053] (1)用机械剥离专用胶带即蓝膜对铁锗碲单晶进行剥离,将剥离出来的二维铁锗碲薄片转移到清洗好的涂覆氧化硅层的硅片上,并设置在氧化硅层上,氧化硅层厚度为300nm;二维铁锗碲薄片的厚度≤ 30nm,横向尺寸≤ 20µm;
[0054] (2)按照主剂与固化剂质量比为10:1混合配制聚二甲基硅氧烷PDMS前驱体溶液,其中溶液为中等粘度混合液,所用PDMS为道康宁184PDMS;然后将硅片放在匀胶机上,将PDMS前驱体溶液滴涂在二维铁锗碲薄片上用于旋涂成膜,其中匀胶机转速为1000rpm,旋转时间为40s,放于真空干燥箱内70℃干燥5min形成包覆二维铁锗碲薄片的致密PDMS薄膜,厚度为70µm;
[0055] (3)用胶水将PET衬底粘连在致密PDMS薄膜上,PET衬底的厚度为125µm,胶水的厚度约为15µm;用无磁镊子将PET衬底缓慢从衬底上剥落,此过程将带动二维铁锗碲薄片与氧化硅片的分离,从而得到柔性基板,柔性基板的厚度≤ 300µm;
[0056] (4)采用三点法在PET衬底侧对柔性基板施加弯曲应力,使柔性基板弯曲发生5%的应变,从而实现对二维铁锗碲薄片磁性的调节。
[0057] 调控后的二维铁锗碲薄片的磁性强度和居里温度变化测试
[0058] 1、实施例1发生6.8%应变后的二维铁锗碲薄片和步骤(1)得到的原始二维铁锗碲薄片的300K 下的磁回滞线以及磁强度‑温度曲线见图3(a)和图3(b)所示。
[0059] 从图3中可以看出,通过本发明的调控方法既能够显著提升二维铁锗碲薄片室温下的磁性能,实现二维铁锗碲薄片的磁性可控、连续、重复调节,同时还能够显著提高其居里温度,居里温度达到室温以上。
[0060] 2、实施例2和实施例5发生5%应变后的二维铁锗碲薄片的300K下的磁回滞线以及 磁强度‑温度曲线见图4(a)和图4(b)所示。
[0061] 从图中可以看出采用PVA水溶液旋涂时应力的传递效率明显高于采用PDMS。这主要是因为选用PVA形成的致密膜的杨氏模量较高,可以达到GPa级别,与二维铁锗碲的杨氏模量相当,有利于机械应力的传递,而PDMS的杨氏模量在兆帕(MPa)级别,应力传递效果欠佳。