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一种具有双峰金字塔绒面结构的单晶硅片
一种具有双峰金字塔绒面结构的单晶硅片
发明专利
有效专利
单晶硅片制备
申请日:
2018-01-19
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B29/06
、
C30B33/10
发明人:
蔡国华
申请人:
温岭汉德高分子科技有限公司
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