[0032] 下面结合具体实施例对本发明作进一步说明，但本发明所要保护的范围并不限于此。
[0033] 实施例1
[0034] 一种二维材料纳米带或微米带的制备方法，具体包括下述步骤：
[0035] 首先将管式炉反应腔室抽真空至10-2Torr，并用200sccm的氩气吹扫至恢复常压状态。
[0036] 将生长用如图1所示的ST-X切型石英基底和Si/SiO2基底用大量去离子水冲洗，放入丙酮溶液中超声8min，取出基底，放入无水乙醇溶液中超声8min，再次取出基底，放入去离子水中超声8min，将清洗好的基底用惰性气体吹干，该处选用的是氮气。
[0037] 在真空腔室内，加热蒸发器中待形成薄膜的三氧化钨粉末材料，使其分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，沉积到预置基底Si/SiO2表面，凝固形成5nm均匀固态三氧化钨薄膜。
[0038] 在反应腔室内，将已经蒸镀了5nm厚三氧化钨的Si/SiO2预置基底放入石英舟中并置于管式炉反应腔室的加热区中心，然后将ST-X切型石英基底倒扣在预置基底上方，且两者间距小于1mm。
[0039] 称取200mg硫粉末放入石英舟中，并放置在反应腔室上风口处，与钨源之间的距离在10～20cm之间。
[0040] 实施例中所采用的钨源和硫源的纯度均在99.9％以上，选用的Si/SiO2基底表面平整且氧化层厚度为285nm。
[0041] 设置温度：通过加热圈加热保持生长衬底和钨源的温度为880℃，保持硫源的温度为200℃。
[0042] 温度设置好了之后，保持通入氩气气流在85sccm。生长时间为35min，生长完成之后关闭加热圈并在氩气环境中自然降温至室温，待到样品完全冷却，取出样品，得到如图2所示的取向一致的二硫化钨纳米带或微米带。
[0043] 实施例2
[0044] 一种二维材料纳米带或微米带的制备方法，具体包括下述步骤：
[0045] 首先将管式炉反应腔室抽真空至10-2Torr，并用200sccm的氩气吹扫至恢复常压状态。
[0046] 将生长用如图1所示的ST-X切型石英基底和Si/SiO2基底用大量去离子水冲洗，放入丙酮溶液中超声6min，取出基底，放入无水乙醇溶液中超声7min，再次取出基底，放入去离子水中超声6min，将清洗好的基底用惰性气体吹干，该处选用的是氮气。
[0047] 在真空腔室内，加热蒸发器中待形成薄膜的三氧化钨粉末材料，使其分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，沉积到预置基底Si/SiO2表面，凝固形成7nm均匀固态三氧化钨薄膜。
[0048] 在反应腔室内，将已经蒸镀了7nm厚三氧化钨的Si/SiO2预置基底放入石英舟中并置于管式炉反应腔室的加热区中心，然后将ST-X切型石英基底倒扣在预置基底上方，且两者间距小于1mm。
[0049] 称取200mg硫粉末放入石英舟中，并放置在反应腔室上风口处，与钨源之间的距离在10～20cm之间。
[0050] 实施例中所采用的钨源和硫源的纯度均在99.9％以上，选用的Si/SiO2基底表面平整且氧化层厚度为285nm。
[0051] 设置温度：通过加热圈加热保持生长衬底和钨源的温度为850℃，保持硫源的温度为170℃。
[0052] 温度设置好了之后，保持通入氩气气流在70sccm。生长时间为25min，生长完成之后关闭加热圈并在氩气环境中自然降温至室温，待到样品完全冷却，取出样品，得到取向一致的二硫化钨纳米带或微米带。
[0053] 实施例3
[0054] 一种二维材料纳米带或微米带的制备方法，具体包括下述步骤：
[0055] 首先将管式炉反应腔室抽真空至10-2Torr，并用200sccm的氩气吹扫至恢复常压状态。
[0056] 将生长用如图1所示的ST-X切型石英基底和Si/SiO2基底用大量去离子水冲洗，放入丙酮溶液中超声5min，取出基底，放入无水乙醇溶液中超声5min，再次取出基底，放入去离子水中超声5min，将清洗好的基底用惰性气体吹干，该处选用的是氮气。
[0057] 在真空腔室内，加热蒸发器中待形成薄膜的三氧化钨粉末材料，使其分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，沉积到预置基底Si/SiO2表面，凝固形成1nm均匀固态三氧化钨薄膜。
[0058] 在反应腔室内，将已经蒸镀了1nm厚三氧化钨的Si/SiO2预置基底放入石英舟中并置于管式炉反应腔室的加热区中心，然后将ST-X切型石英基底倒扣在预置基底上方，且两者间距小于1mm。
[0059] 称取200mg硫粉末放入石英舟中，并放置在反应腔室上风口处，与钨源之间的距离在10～20cm之间。
[0060] 实施例中所采用的钨源和硫源的纯度均在99.9％以上，选用的Si/SiO2基底表面平整且氧化层厚度为285nm。
[0061] 设置温度：通过加热圈加热保持生长衬底和钨源的温度为800℃，保持硫源的温度为150℃。
[0062] 温度设置好了之后，保持通入氩气气流在50sccm。生长时间为10min，生长完成之后关闭加热圈并在氩气环境中自然降温至室温，待到样品完全冷却，取出样品，得到取向一致的二硫化钨纳米带或微米带。
[0063] 实施例4
[0064] 一种二维材料纳米带或微米带的制备方法，具体包括下述步骤：
[0065] 首先将管式炉反应腔室抽真空至10-2Torr，并用200sccm的氩气吹扫至恢复常压状态。
[0066] 将生长用如图1所示的ST-X切型石英基底和Si/SiO2基底用大量去离子水冲洗，放入丙酮溶液中超声10min，取出基底，放入无水乙醇溶液中超声10min，再次取出基底，放入去离子水中超声10min，将清洗好的基底用惰性气体吹干，该处选用的是氮气。
[0067] 在真空腔室内，加热蒸发器中待形成薄膜的三氧化钨粉末材料，使其分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，沉积到预置基底Si/SiO2表面，凝固形成10nm均匀固态三氧化钨薄膜。
[0068] 在反应腔室内，将已经蒸镀了10nm厚三氧化钨的Si/SiO2预置基底放入石英舟中并置于管式炉反应腔室的加热区中心，然后将ST-X切型石英基底倒扣在预置基底上方，且两者间距小于1mm。
[0069] 称取200mg硫粉末放入石英舟中，并放置在反应腔室上风口处，与钨源之间的距离在10～20cm之间。
[0070] 实施例中所采用的钨源和硫源的纯度均在99.9％以上，选用的Si/SiO2基底表面平整且氧化层厚度为285nm。
[0071] 设置温度：通过加热圈加热保持生长衬底和钨源的温度为950℃，保持硫源的温度为250℃。
[0072] 温度设置好了之后，保持通入氩气气流在120sccm。生长时间为60min，生长完成之后关闭加热圈并在氩气环境中自然降温至室温，待到样品完全冷却，取出样品，得到取向一致的二硫化钨纳米带或微米带。
[0073] 实施例5
[0074] 一种二维材料纳米带或微米带的制备方法，具体包括下述步骤：
[0075] 首先将管式炉反应腔室抽真空至10-2Torr，并用200sccm的氩气吹扫至恢复常压状态。
[0076] 将生长用如图1所示的ST-X切型石英基底和Si/SiO2基底用大量去离子水冲洗，放入丙酮溶液中超声9min，取出基底，放入无水乙醇溶液中超声7min，再次取出基底，放入去离子水中超声8min，将清洗好的基底用惰性气体吹干，该处选用的是氮气。
[0077] 在真空腔室内，加热蒸发器中待形成薄膜的三氧化钨粉末材料，使其分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，沉积到预置基底Si/SiO2表面，凝固形成8nm均匀固态三氧化钨薄膜。
[0078] 在反应腔室内，将已经蒸镀了8nm厚三氧化钨的Si/SiO2预置基底放入石英舟中并置于管式炉反应腔室的加热区中心，然后将ST-X切型石英基底倒扣在预置基底上方，且两者间距小于1mm。
[0079] 称取200mg硫粉末放入石英舟中，并放置在反应腔室上风口处，与钨源之间的距离在10～20cm之间。
[0080] 实施例中所采用的钨源和硫源的纯度均在99.9％以上，选用的Si/SiO2基底表面平整且氧化层厚度为285nm。
[0081] 设置温度：通过加热圈加热保持生长衬底和钨源的温度为900℃，保持硫源的温度为220℃。
[0082] 温度设置好了之后，保持通入氩气气流在100sccm。生长时间为45min，生长完成之后关闭加热圈并在氩气环境中自然降温至室温，待到样品完全冷却，取出样品，得到取向一致的二硫化钨纳米带或微米带。
[0083] 虽然本发明已经以较佳的实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围的情况下，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或者修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案保护的范围内。
