实施方案
[0018] 传统量子阱103具有V形坑(V-pits)104的氮化物发光二极管如图1所示，包括衬底100、第一导电型半导体101，位错线102，多量子阱103，V形坑(V-pits)104，第二导电型半导体105，其中位错线穿过V形坑(V-pits)和量子阱区。
[0019] 本发明公开一种半导体白光发光二极管，如图2所示，依次包括衬底100、第一导电型半导体101，位错线102，多量子阱103，在多量子阱内成型的多个V形坑(V-pits)104，第二导电型半导体105，非掺杂的ZnO量子点106，CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱108，ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱109，多个所述V形坑(V-pits)由多组相邻设置的第一V形坑104a和第二V形坑104b组成，第一V形坑104a具有非掺杂的ZnO量子点106及其上方的CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱108组合发出红光；第二V形坑104b具有非掺杂的ZnO量子点106及其上方的ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱109组合发出绿光；第一V形坑和第二V形坑之间的多量子阱103发出蓝光；从而形成红光、绿光和蓝光混合的白光发光二极管，如图3所示。
[0020] 所述的第一V形坑104a具有非掺杂的ZnO量子点106及其上方的CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱108，利用CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱108控制量子尺寸和量子斯塔克效应调控波长，使第一V形坑上方出射红光；所述第二V形坑104b具有非掺杂的ZnO量子点106及其上方的ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱109，利用ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱109的量子尺寸和量子斯塔克效应调控波长，使第二V形坑上方出射绿光。
[0021] 所述的CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱108掺杂Mg，所述的ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱109掺杂Mg，空穴的激活能降低至100meV以下，空穴浓度大于1018cm-3，形成高的空穴注入效率。
[0022] 所述的非掺杂的ZnO量子点106为绝缘体，使V形坑(V-pits)延伸的位错线102线终止于V形坑(V-pits)104的尖端，所述非掺杂的ZnO量子点106不输运载流子，防止漏电产生。
[0023] 所述的第一V形坑104a和第二V形坑104b的开口尺寸为50～500nm，所述CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱108/107和ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱109/107的直径约40～400nm，小于V形坑(V-pits)的开口尺寸。
[0024] 所述的多量子阱103为InxGa1-xN/GaN量子阱，In组分0.15
[0025] 所述的CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱108的S组分0≤y≤1，ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱109/107的S组分0≤z≤1。
[0026] 多个所述V形坑(V-pits)在多量子阱区域均匀分布设置，以保证形成白光的红绿蓝光线间距均匀、色度纯净。
[0027] 以上实施方式仅用于说明本发明，而并非用于限定本发明，本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做出各种修饰和变动，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应视权利要求书范围限定。
