[0033] 下面通过具体实施例对本发明的技术方案作以进一步描述说明。
[0034] 如果无特殊说明，本发明的实施例中说采用的原料均为本领域常用的原料，实施例中所采用的方法，均为本领域的常规方法。
[0035] 实施例1
[0036] 一种自支撑金属纳米孔薄膜的制备方法，所述的制备方法包括以下步骤：
[0037] S.1 清洗处理氮化硅自支撑薄膜基板，其中清洗步骤如下：
[0038] （1）将氮化硅自支撑薄膜基板浸入丙酮中，超声清洗10分钟，然后用蒸馏水清洗三遍；
[0039] （2）然后再将氮化硅自支撑薄膜基板浸入60%双氧水与98%浓硫酸体积比为1:1的混合液中，浸泡15分钟；
[0040] （3）取出后置于水中超声10分钟，流水洗净，得到清洁的自支撑薄膜基板；
[0041] S.2在氮化硅自支撑薄膜基板正面电子束蒸发蒸镀厚度为10nm的铝膜；
[0042] S.3 在表面旋涂PMMA电子束曝光胶，然后置于200℃热板上烘烤30分钟，PMMA的厚度为100nm；
[0043] S.4 进行电子束曝光，显影，得到PMMA纳米孔阵，所述曝光参数如下：加速电压30KV，面曝光剂量为300μC/cm2，线曝光剂量为1000pC/cm2；所述的显影过程中显影剂为体积比为1:8.5的MIBK与IPA混合液，显影时间为150秒，定影液为IPA，定影时间30秒；
[0044] S.5 利用反应离子刻蚀，依次刻蚀铝膜和氮化硅自支撑薄膜基板；
[0045] S.6 利用氯仿和铝腐蚀液去除残余的PMMA和铝；
[0046] S.7 在正面蒸镀金金属层；
[0047] S.8 在背面利用反应离子刻蚀去除氮化硅自支撑薄膜基板，得到金属纳米孔自支撑薄膜。
[0048] 实施例2
[0049] 一种自支撑金属纳米孔薄膜的制备方法，所述的制备方法包括以下步骤：
[0050] S.1 清洗处理氧化硅自支撑薄膜基板，其中清洗步骤如下：
[0051] （1）将氧化硅自支撑薄膜基板浸入丙酮中，超声清洗10-15分钟，然后用蒸馏水清洗三遍；
[0052] （2）然后再将氧化硅自支撑薄膜基板浸入60%双氧水与98%浓硫酸体积比为1:1的混合液中，浸泡25分钟；
[0053] （3）取出后置于水中超声15分钟，流水洗净，得到清洁的氧化硅自支撑薄膜基板；
[0054] S.2在氧化硅自支撑薄膜基板正面热蒸发蒸镀厚度为10nm的铝膜；
[0055] S.3 在表面旋涂PMMA电子束曝光胶，然后置于200℃热板上烘烤30分钟，PMMA的厚度为100nm；
[0056] S.4 进行电子束曝光，显影，得到PMMA纳米孔阵，所述曝光参数如下：加速电压30KV，面曝光剂量为300μC/cm2，线曝光剂量为1000pC/cm2；所述的显影过程中显影剂为体积比为2.5:8.5的MIBK与IPA混合液，显影时间为60秒，定影液为IPA，定影时间15秒；
[0057] S.5 利用反应离子刻蚀，依次刻蚀铝膜和氧化硅自支撑薄膜基板；
[0058] S.6 利用乙酸和铝腐蚀液去除残余的PMMA和铝；
[0059] S.7 在氧化硅自支撑薄膜基板正面蒸镀银金属层；
[0060] S.8 在背面利用反应离子刻蚀去除氧化硅自支撑薄膜基板，得到金属纳米孔自支撑薄膜。
[0061] 实施例3
[0062] 一种自支撑金属纳米孔薄膜的制备方法，所述的制备方法包括以下步骤：
[0063] S.1 清洗处理氮化硅自支撑薄膜基板，其中清洗步骤如下：
[0064] （1）将氮化硅自支撑薄膜基板浸入丙酮中，超声清洗12分钟，然后用蒸馏水清洗三遍；
[0065] （2）然后再将氮化硅自支撑薄膜基板浸入60%双氧水与98%浓硫酸体积比为1:1的混合液中，浸泡20分钟；
[0066] （3）取出后置于水中超声12分钟，流水洗净，得到清洁的氮化硅自支撑薄膜基板；
[0067] S.2在氮化硅自支撑薄膜基板正面磁控溅射蒸镀厚度为10nm的铝膜；
[0068] S.3 在表面旋涂PMMA电子束曝光胶，然后置于200℃热板上烘烤30分钟，PMMA的厚度为100nm；
[0069] S.4 进行电子束曝光，显影，得到PMMA纳米孔阵，所述曝光参数如下：加速电压2 2
30KV，面曝光剂量为300μC/cm ，线曝光剂量为1000pC/cm ；所述的显影过程中显影剂为体积比为2:8.5的MIBK与IPA混合液，显影时间为120秒，定影液为IPA，定影时间20秒；
[0070] S.5 利用反应离子刻蚀，依次刻蚀铝膜和氮化硅自支撑薄膜基板；
[0071] S.6 利用乙酸乙酯和铝腐蚀液去除残余的PMMA和铝；
[0072] S.7 在正面蒸镀金金属层；
[0073] S.8 在背面利用反应离子刻蚀去除氮化硅自支撑薄膜基板，得到金属纳米孔自支撑薄膜。
[0074] 实施例4
[0075] 一种自支撑金属纳米孔薄膜的制备方法，所述的制备方法包括以下步骤：
[0076] S.1 清洗处理氮化硅自支撑薄膜基板，其中清洗步骤如下：
[0077] （1）将氮化硅自支撑薄膜基板浸入丙酮中，超声清洗13分钟，然后用蒸馏水清洗三遍；
[0078] （2）然后再将自支撑薄膜基板浸入60%双氧水与98%浓硫酸体积比为1:1的混合液中，浸泡18分钟；
[0079] （3）取出后置于水中超声12分钟，流水洗净，得到清洁的自支撑薄膜基板；
[0080] S.2在氮化硅自支撑薄膜基板正面电子束蒸发蒸镀厚度为10nm的铝膜；
[0081] S.3 在表面旋涂PMMA电子束曝光胶，然后置于200℃热板上烘烤30分钟，PMMA的厚度为100nm；
[0082] S.4 进行电子束曝光，显影，得到PMMA纳米孔阵，所述曝光参数如下：加速电压30KV，面曝光剂量为300μC/cm2，线曝光剂量为1000pC/cm2；所述的显影过程中显影剂为体积比为1.5:8.5的MIBK与IPA混合液，显影时间为100秒，定影液为IPA，定影时间25秒；
[0083] S.5 利用反应离子刻蚀，依次刻蚀铝膜和氮化硅自支撑薄膜基板；
[0084] S.6 利用丙酮和铝腐蚀液去除残余的PMMA和铝；
[0085] S.7 在氮化硅自支撑薄膜基板正面蒸镀银金属层；
[0086] S.8 在背面利用反应离子刻蚀去除自支撑薄膜基板，得到金属纳米孔自支撑薄膜。
[0087] 实施例5
[0088] 一种自支撑金属纳米孔薄膜的制备方法，所述的制备方法包括以下步骤：
[0089] S.1 清洗处理氧化硅自支撑薄膜基板，其中清洗步骤如下：
[0090] （1）将氧化硅自支撑薄膜基板浸入丙酮中，超声清洗15分钟，然后用蒸馏水清洗三遍；
[0091] （2）然后再将自支撑薄膜基板浸入60%双氧水与98%浓硫酸体积比为1:1的混合液中，浸泡15分钟；
[0092] （3）取出后置于水中超声10分钟，流水洗净，得到清洁的氧化硅自支撑薄膜基板；
[0093] S.2在氧化硅自支撑薄膜基板热蒸发蒸镀厚度为10nm的铝膜；
[0094] S.3 在表面旋涂PMMA电子束曝光胶，然后置于200℃热板上烘烤30分钟，PMMA的厚度为100nm；
[0095] S.4 进行电子束曝光，显影，得到PMMA纳米孔阵，所述曝光参数如下：加速电压30KV，面曝光剂量为300μC/cm2，线曝光剂量为1000pC/cm2；所述的显影过程中显影剂为体积比为2:8.5的MIBK与IPA混合液，显影时间为80秒，定影液为IPA，定影时间15秒；
[0096] S.5 利用反应离子刻蚀，依次刻蚀铝膜和自支撑薄膜基板；
[0097] S.6 利用苯甲醚和铝腐蚀液去除残余的PMMA和铝；
[0098] S.7 在正面氧化硅自支撑薄膜基板蒸镀金金属层；
[0099] S.8 在背面利用反应离子刻蚀去除氧化硅自支撑薄膜基板，得到金属纳米孔自支撑薄膜。
