[0052] 下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0053] 实施例1
[0054] 一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法,包括以下步骤:
[0055] (1)取玻璃基板,依次采用洗洁精、去离子水、异丙醇和丙酮分别进行超声清洗20分钟,然后氮气吹干;在玻璃基板上采用磁控溅射法制备厚度为100nm的氧化铟锡薄膜,得到氧化铟锡阳极;
[0056] (2)将氧化铟锡阳极进行臭氧化处理5分钟后,浸入浓度为0.1mol/L的乙二胺溶液中,浸入5分钟后,取出,50℃真空干燥24小时;
[0057] (3)随后,将氧化铟锡阳极浸入浓度为5mmol/L的全氟己酸的十六烷溶液中,浸泡10分钟后,取出,氮气吹干,即得修饰氧化铟锡阳极,所述修饰氧化铟锡阳极的氧化铟锡薄膜表面具有修饰层,修饰层为乙二胺与全氟己酸反应形成的一层自组装薄膜。该修饰层的物质结构为:
[0058]
[0059] 本实施例制得的修饰氧化铟锡阳极,其表面具有乙二胺与全氟己酸反应形成的一层自组装薄膜,提高了阳极表面功函。未经修饰的氧化铟锡阳极的表面功函一般为4.7eV,本实施例制备得到的修饰氧化铟锡阳极的表面功函为5.6eV。
[0060] 实施例2
[0061] 一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法,包括以下步骤:
[0062] (1)取玻璃基板,依次采用去离子水、异丙醇和丙酮分别进行超声清洗20分钟,然后氮气吹干;在玻璃基板上采用磁控溅射法制备厚度为70nm的氧化铟锡薄膜,得到氧化铟锡阳极;
[0063] (2)将氧化铟锡阳极进行臭氧化处理5分钟后,浸入浓度为1mol/L的乙二胺溶液中,浸入10分钟后,取出,60℃真空干燥20小时;
[0064] (3)随后,将氧化铟锡阳极浸入浓度为2mmol/L的全氟辛酸的十四烷溶液中,浸泡20分钟后,取出,氮气吹干,即得修饰氧化铟锡阳极,修饰氧化铟锡阳极的氧化铟锡薄膜表面具有修饰层,修饰层为乙二胺与全氟辛酸反应形成的一层自组装薄膜。该修饰层的物质结构为:
[0065]
[0066] 本实施例制备得到的修饰氧化铟锡阳极的表面功函为5.4eV。
[0067] 实施例3
[0068] 一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法,包括以下步骤:
[0069] (1)取玻璃基板,依次采用去离子水、异丙醇和丙酮分别进行超声清洗20分钟,然后氮气吹干;在玻璃基板上采用磁控溅射法制备厚度为200nm的氧化铟锡薄膜,得到氧化铟锡阳极;
[0070] (2)将氧化铟锡阳极进行臭氧化处理5分钟后,浸入浓度为2mol/L的乙二胺溶液中,浸入2分钟后,取出,80℃真空干燥12小时;
[0071] (3)随后,将氧化铟锡阳极浸入浓度为10mmol/L的全氟癸酸的十二烷溶液中,浸泡5分钟后,取出,氮气吹干,即得修饰氧化铟锡阳极,修饰氧化铟锡阳极的氧化铟锡薄膜表面具有修饰层,修饰层为乙二胺与全氟癸酸反应形成的一层自组装薄膜。该修饰层的物质结构为:
[0072]
[0073] 本实施例制备得到的修饰氧化铟锡阳极的表面功函为5.5eV。
[0074] 实施例4
[0075] 一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法,包括以下步骤:
[0076] (1)取玻璃基板,依次采用去离子水、异丙醇和丙酮分别进行超声清洗20分钟,然后氮气吹干;在玻璃基板上采用磁控溅射法制备厚度为200nm的氧化铟锡薄膜,得到氧化铟锡阳极;
[0077] (2)将氧化铟锡阳极进行臭氧化处理5分钟后,浸入浓度为0.01mol/L的乙二胺溶液中,浸入10分钟后,取出,50℃真空干燥24小时;
[0078] (3)随后,将氧化铟锡阳极浸入浓度为8mmol/L的全氟十二酸的十一烷溶液中,浸泡10分钟后,取出,氮气吹干,即得修饰氧化铟锡阳极,所述修饰氧化铟锡阳极的氧化铟锡薄膜表面具有修饰层,修饰层为乙二胺与全氟十二酸反应形成的一层自组装薄膜。该修饰层的物质结构为:
[0079]
[0080] 本实施例制备得到的修饰氧化铟锡阳极的表面功函为5.7eV。
[0081] 从上述实施例结果可以看出,与普通的ITO阳极相比较,本发明实施例经过表面处理后的阳极,由于在ITO表面形成了一个单分子薄膜,该薄膜由于含有强吸电子的含氟基团,使该薄膜在ITO界面形成一个偶极层,从而能够提高阳极的表面功函,例如从4.7eV提高到了5.4eV以上,甚至达到了5.7eV,提高效果非常显著。
[0082] 实施例5
[0083] 一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述阳极为本发明实施例1制备的修饰氧化铟锡阳极。
[0084] 具体地,本实施例中,空穴注入层的材质为酞菁铜(CuPc),厚度为20nm;空穴传输层的材质为N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB),厚度为40nm;发光层的材质为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)掺杂10%质量分数的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)形成的混合材料,表示为Ir(ppy)3:TPBi(10%),厚度为10nm;电子传输层的电子传输材料为4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen),厚度为40nm;电子注入层的材质为LiF,厚度为1nm;阴极为Ag,厚度为100nm。
[0085] 本实施例有机电致发光器件的结构为:修饰ITO阳极/CuPc(20nm)/NPB(40nm)/Ir(ppy)3:TPBi(10%,10nm)/Bphen(40nm)/LiF(1nm)/Ag(100nm)。
[0086] 图1是本实施例的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示,该有机电致发光器件的结构包括,修饰ITO阳极10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50、电子注入层60和阴极70。其中,修饰ITO阳极10包括ITO阳极101和修饰层102,修饰层102为乙二胺与全氟己酸反应形成的一层自组装单分子层薄膜。
[0087] 与现有有机电致发光器件相比,本实施例有机电致发光器件由于采用了修饰氧化铟锡阳极,阳极表面功函提高了,空穴注入效率得到改善,从而使得器件的启动电压明显降低。现有有机电致发光器件的结构为:普通未修饰ITO阳极/CuPc(20nm)/NPB(40nm)/Ir(ppy)3:TPBi(10%,10nm)/Bphen(40nm)/LiF(1nm)/Ag(100nm)。现有有机电致发光器件的启动电压为3.1eV,本实施例有机电致发光器件的启动电压为2.4eV。
[0088] 图2是本实施例的有机电致发光器件与现有发光器件的电流密度与电压的关系图。其中,曲线1为本实施例有机电致发光器件的电流密度与电压的关系图;曲线2为现有有机电致发光器件的电流密度与电压的关系图。从图中可以看出,在相同的启动电压下,本实施例有机电致发光器件能获得更高的注入电流,从而使器件具有更高的发光效率。现有有机电致发光器件的发光效率为10.2lm/W,本实施例有机电致发光器件的发光效率为19.4lm/W。这是由于本实施例有机电致发光器件采用了修饰氧化铟锡阳极,提高了空穴的注入效率,因此能够获得更高的载流子注入效率,提高器件有机电致发光效率。
[0089] 实施例6
[0090] 一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述阳极为本发明实施例2制备的修饰氧化铟锡阳极。
[0091] 具体地,本实施例中,空穴注入层的材质为4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA),厚度为30nm;空穴传输层的材质为4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),厚度为30nm;发光层的材质为2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)掺杂20%质量分数的(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)形成的混合材料,表示为C545T:Alq3(20%),厚度为15nm;电子传输层的电子传输材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD),厚度为40nm;电子注入层的材质为NaF,厚度为1nm;阴极为Al-Mg,厚度为200nm。
[0092] 本实施例有机电致发光器件的结构为:修饰ITO阳极/m-MTDATA(30nm)/TCTA(30nm)/C545T:Alq3(20%,15nm)/PBD(40nm)/NaF(1nm)/Al-Mg(200nm)。
[0093] 本实施例有机电致发光器件的启动电压为2.3eV,本实施例有机电致发光器件的发光效率为22.1lm/W。
[0094] 实施例7
[0095] 一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述阳极为本发明实施例3制备的修饰氧化铟锡阳极。
[0096] 具体地,本实施例中,空穴注入层的材质为酞菁锌(ZnPc),厚度为40nm;空穴传输层的材质为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(TPD),厚度为20nm;发光层的材质为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)掺杂8%质量分数的4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)形成的混合材料,表示为Ir(ppy)3:TCTA(8%),厚度为20nm;电子传输层的电子传输材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi),厚度为40nm;电子注入层的材质为CsF,厚度为1nm;阴极为Al,厚度为70nm。
[0097] 本实施例有机电致发光器件的结构为:修饰ITO阳极/ZnPc(40nm)/TPD(20nm)/Ir(ppy)3:TCTA(8%,20nm)/TPBi(40nm)/CsF(1nm)/Al(70nm)。
[0098] 本实施例有机电致发光器件的启动电压为2.4eV,本实施例有机电致发光器件的发光效率为17.7lm/W。
[0099] 实施例8
[0100] 一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述阳极为本发明实施例4制备的修饰氧化铟锡阳极。
[0101] 具体地,本实施例中,空穴注入层的材质为酞菁氧钛(TiOPc),厚度为20nm;空穴传输层的材质为N,N,N′,N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD),厚度为30nm;发光层的材质为4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯(DPVBi),厚度为15nm;电子传输层的电子传输材料为1,2,4-三唑衍生物(TAZ),厚度为40nm;电子注入层的材质为LiF,厚度为1nm;阴极为Al-Mg,厚度为100nm。
[0102] 本实施例有机电致发光器件的结构为:修饰ITO阳极/TiOPc(20nm)/MeO-TPD(30nm)/DPVBi(15nm)/TAZ(40nm)/LiF(1nm)/Al-Mg(100nm)。
[0103] 本实施例有机电致发光器件的启动电压为2.6eV,本实施例有机电致发光器件的发光效率为12.1lm/W。
[0104] 以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。