发明内容
[0022] 本发明的目的是提供基于电压调制的电致发光器件,通过该结构能够实现电压对发光光谱的快速调制。
[0023] 一种波长可调制的电致发光器件,其特征在于包括了电压调制单元A1与电致发光器件A2,发光器件 A2开启状态下,通过调节电压调制单元A1两端电压,实现对发光器件A2发射波长的调节。
[0024] 作为上述结构器件的进一步实施方式,所述的一种波长可调制的电致发光器件,其特征在于:调制结构A1由M1、S1、I1、M2构成,且对发光器件A2发射的光具有反射特性。
[0025] 作为上述结构器件的进一步实施方式,调制结构A1两端电极M1、M2为Ag、Sm、Yb、Au、Cu、 Fe、Ni、Al、Ba/Ag、Ca/Ag、Cs/Ag、Li/Ag、Mg/Ag、Sm/Ag、Yb/Ag、Al/Au、Ba/Au、Ca/Au、Cs/Au、 Li/Au、Mg/Au、Sm/Au、Yb/Au、Al/ITO、Ba/ITO、Ca/ITO、Cs/ITO、Li/ITO、Mg/ITO、Sm/ITO、Yb/ITO、 Al/IZO、Ba/IZO、Ca/IZO、Cs/IZO、Li/IZO、Mg/IZO、Sm/IZO、Yb/IZO、Al:Ba、Al:Cs、Al:Li、Al: Mg、Al:Sm、Al:Yb、Ag:Ba、Ag:Cs、Ag:Li、Ag:Mg、Ag:Sm、Ag:Yb、ITO、IZO、石墨烯中的一种或多种构成的复合结构。
[0026] 作为上述结构器件的进一步实施方式,调制结构A1端电极M1厚度不低于10nm。
[0027] 作为上述结构器件的进一步实施方式,调制结构A1端电极M2厚度在10nm~100nm之间。
[0028] 作为上述结构器件的进一步实施方式,所述的一种波长可调制的电致发光器件,其特征在于调制结构 A1中两端电极M1、M2为连续的薄膜结构或能够独立加载电压的栅状
薄膜结构。
[0029] 作为上述结构器件的进一步实施方式,调制结构A1中I1为SiO2、MgO、Al2O3、ZrO、CaO2、ZrSiO4、 HfSiO4、HfO2、SiC、SiN、ZnS、AlN、AlGaN、GaN中的一种,其厚度为1~100nm。
[0030] 作为上述结构器件的进一步实施方式,调制结构A1中S1为ITO、TiN、ZrN、IGZO、InP、GaN、 Si、Ge、SiGe、GaAs、GaP、InAs、InSb、PbS、InGaAs、Al:ZnO、Ga:ZnO中的一种,其厚度为1~ 100nm。
[0031] 作为上述结构器件的进一步实施方式,调制器件A1表面针对300nm~800nm波长光的平均反射率不低于30%。
[0032] 作为上述结构器件的进一步实施方式,发光器件A2由电极M2,O1,O2,……On-1,On构成的发光功能层和电极M3构成。
[0033] 作为上述结构器件的进一步实施方式,发光器件A2和调制器件A1具有共同的电极M2。
[0034] 作为上述结构器件的进一步实施方式,发光器件A2顶端光出射端面的电极M3为Ag、Sm、Yb、Au、 Cu、Fe、Ni、Al、Ba/Ag、Ca/Ag、Cs/Ag、Li/Ag、Mg/Ag、Sm/Ag、Yb/Ag、Al/Au、Ba/Au、Ca/Au、Cs/Au、 Li/Au、Mg/Au、Sm/Au、Yb/Au、Al/ITO、Ba/ITO、Ca/ITO、Cs/ITO、Li/ITO、Mg/ITO、Sm/ITO、Yb/ITO、 Al/IZO、Ba/IZO、Ca/IZO、Cs/IZO、Li/IZO、Mg/IZO、Sm/IZO、Yb/IZO、Al:Ba、Al:Cs、Al:Li、Al: Mg、Al:Sm、Al:Yb、Ag:Ba、Ag:Cs、Ag:Li、Ag:Mg、Ag:Sm、Ag:Yb、ITO、IZO、石墨烯中的一种或多种构成的复合结构,且厚度不大于100nm。
[0035] 本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
[0036] 本发明提出的光谱可调顶发射有机电致发光器件,克服了以往需要通过制备工艺复杂的发光材料来调谐波长。本发明制备的基于电压调制的可调控顶发射电致发光器件具
有高亮度、高显色指数、工序少、工艺简单的优点。本发明仅需改变电压就可实现相移调节发光光谱,实现光谱可调的顶发射电致发光器件。