[0023] 第一V形坑和第二V形坑之间的发出蓝光的多量子阱为InxGa1-xN/GaN量子阱，其中In组分为0.15
[0024] 第一V形坑的开口尺寸、第二V形坑的开口尺寸，以及第一V形坑和第二V形坑之间的多量子阱的尺寸均为纳米级别。
[0025] 第一V形坑和第二V形坑在多量子阱中均匀分布，第一V形坑的开口大小为50～300nm，第二V形坑的开口大小为50～300nm，第一和第二V形坑之间的多量子阱尺寸为50～
300nm。
[0026] 实施例1
[0027] 本发明公开一种氮化物半导体白光发光二极管，依次包括衬底100、缓冲层101、位错线102、纳米位错过滤模板层103、第一导电型半导体104、多量子阱105、V形坑(V-pits)106、第二导电型半导体107、WS2/MoS2超晶格二维材料108和GaS/InSe超晶格二维材料109，位错线102包括被阻挡过滤的位错线102a和向上延伸的位错线102b，V-pits 106包括第一V形坑106a和第二V形坑106b，还包括第一V形坑和第二V形坑之间的多量子阱，如图2所示，V形坑(V-pits)106经过纳米位错过滤模板103过滤被阻挡过滤的位错线102a后，只剩下少量向上延伸的位错线102b，从而在多量子阱105区域形成均匀分布的V-pits 106，V-pits 106以第一V形坑106a和第二V形坑106b为一组，在第一V形坑106a和第二V形坑106b之间的多量子阱发出蓝光，第一V形坑开口位置设有WS2/MoS2超晶格二维材料108发出红光，第二V形坑开口位置具有GaS/InSe超晶格二维材料109发出绿光，红绿蓝光混合射出白光，如图3所示。
[0028] 所述第一V形坑106a开口位置具有WS2/MoS2超晶格二维材料108，所述WS2/MoS2超晶格二维材料108由WS2二维材料和MoS2二维材料构成，每个二维材料的层数小于3层，使该第一V形坑射出红光。
[0029] 所述第二V形坑106b开口位置具有GaS/InSe超晶格二维材料109，所述GaS/InSe超晶格二维材料109由GaS二维材料和InSe二维材料构成，每个二维材料的层数小于3层，使该第二V形坑射出绿光。
[0030] 所述缓冲层101的位错经过纳米位错过滤模板层103后，被阻挡过滤的位错线102a不再往上延伸，仅剩下少量向上延伸的位错线102b，所述纳米位错过滤模板层103由尺寸为10nm
[0031] 所述第一V形坑106a和第二V形坑106b之间的多量子阱105为InxGa1-xN/GaN量子阱，其中In组分0.15
[0032] 所述第一V形坑106a和第二V形坑106b在多量子阱中105中均匀分布，第一V形坑106a的开口大小约50～300nm，第二V形坑106b的开口大小约50～300nm，第一和第二V形坑之间的多量子阱尺寸约50～300nm，通过控制V-pits的开口大小和第一、第二V形坑之间的多量子阱尺寸相等，保证红绿蓝的发光面积和发光强度接近。
[0033] 所述V形坑(V-pits)的开口尺寸、第一和第二V形坑之间的多量子阱的尺寸均为纳米级别，从而保证红绿蓝的发光色点尺寸在纳米级别。
[0034] 以上实施方式仅用于说明本发明，而并非用于限定本发明，本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做出各种修饰和变动，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应视权利要求书范围限定。
