[0021] 以下通过具体实施方式对本发明作进一步的描述。
[0022] 家装用深色镜面高光泽铝合金,所述家装用深色镜面高光泽铝合金的组份如下:Al 65-80份、Mg 5-15份、Si 5-10份、Zn 1-5份、Cu 1-5份、Ti 1-5、Mn 1-3、Fe0.5-1。
[0023] 优化的,家装用深色镜面高光泽铝合金的组份如下:Al 78份、Mg8份、Si 5份、Zn 2份、Cu 1份、Ti 3、Mn 2.5、Fe0.5。
[0024] 优化的,家装用深色镜面高光泽铝合金的组份如下:Al 66份、Mg 12份、Si 7份、Zn 4份、Cu 3份、Ti 4、Mn 3、Fe1。
[0025] 优化的,家装用深色镜面高光泽铝合金的组份如下:Al 73份、Mg 6份、Si 6份、Zn 3份、Cu 5份、Ti 5、Mn 1、Fe1。
[0026] 家装用深色镜面高光泽铝合金的表面处理工艺,使用上述的家装用深色镜面高光泽铝合金,具体步骤如下:
[0027] 步骤1,清洗打磨,对铝合金材料表面清洁,并用砂纸进行打磨,清洁表面;
[0028] 步骤2,将铝合金材料置于装有电解液的不锈钢容器中,电解液如下的质量/体积浓度称取:10g/L-20g/L的磷酸二氢钠、5g/L-10g/L的铬酸、5g/L-10g/L的碳酸钠、5g/L-10g/L的苯并三氮唑、1g/L-5g/L的甘油、1g/L-5g/L尿素、0.5g/L-1g/L硫酸铜;
[0029] 步骤3,不锈钢容器与微弧氧化设备的负电极相连,微弧氧化设备的正电极与铝合金材料相连,并使铝合金材料完全浸入所述微弧氧化电解液中,然后进行微弧氧化处理,此时电流参数设定为电压控制在300v-400v之间、频率350HZ-500HZ、占空比为15-20%,处理时间为10-15min;
[0030] 步骤4,清洁,对处理后得到的家装用深色镜面高光泽铝合金进行清洗。
[0031] 具体实施例一:
[0032] 家装用深色镜面高光泽铝合金,所述家装用深色镜面高光泽铝合金的组份如下:l 78份、Mg8份、Si 5份、Zn 2份、Cu 1份、Ti 3、Mn 2.5、Fe0.5。
[0033] 家装用深色镜面高光泽铝合金的表面处理工艺,使用上述的家装用深色镜面高光泽铝合金,具体步骤如下:
[0034] 步骤1,清洗打磨,对铝合金材料表面清洁,并用砂纸进行打磨,清洁表面;
[0035] 步骤2,将铝合金材料置于装有电解液的不锈钢容器中,其中电解液如下的[0036] 质量/体积浓度称取:13g/L的磷酸二氢钠、8g/L的铬酸、6g/L的碳酸钠、[0037] 7g/L的苯并三氮唑、3g/L的甘油、2g/L尿素、0.5g/L硫酸铜;
[0038] 步骤3,不锈钢容器与微弧氧化设备的负电极相连,微弧氧化设备的正电极与铝合金材料相连,并使铝合金材料完全浸入所述微弧氧化电解液中,然后进行微弧氧化处理,此时电流参数设定为电压控制在380v、频率460HZ、占空比为16%,处理时间为11min,第1分钟电压升至180V,第6分钟电压升至280V,第7分钟电压升至300V,第10分钟电压升至380V,在380V电压保持1分钟;
[0039] 步骤4,清洁,对处理后得到的家装用深色镜面高光泽铝合金进行清洗。
[0040] 本实施例处理的高深色镜面高光泽铝合金表面形成有黑色的镜面陶瓷层,该黑色镜面陶瓷层表面光滑、反射性高,
[0041] 具体实施例二:
[0042] 家装用深色镜面高光泽铝合金的组份如下:Al 66份、Mg 12份、Si 7份、Zn 4份、Cu 3份、Ti 4、Mn 3、Fe1。
[0043] 家装用深色镜面高光泽铝合金的表面处理工艺,使用上述的家装用深色镜面高光泽铝合金,具体步骤如下:
[0044] 步骤1,清洗打磨,对铝合金材料表面清洁,并用砂纸进行打磨,清洁表面;
[0045] 步骤2,将铝合金材料置于装有电解液的不锈钢容器中,其中电解液如下的质量/体积浓度称取:18g/L的磷酸二氢钠、5g/L的铬酸、9g/L的碳酸钠、5g/L的苯并三氮唑、2g/L的甘油、5g/L尿素、0.7g/L硫酸铜;
[0046] 步骤3,不锈钢容器与微弧氧化设备的负电极相连,微弧氧化设备的正电极与铝合金材料相连,并使铝合金材料完全浸入所述微弧氧化电解液中,然后进行微弧氧化处理,此时电流参数设定为电压控制在310v、频率380HZ、占空比为20%,处理时间为14min,第1分钟电压升至110V,第6分钟电压升至180V,第10分钟电压升至260V,第14分钟电压升至310V,在310V电压保持2分钟;
[0047] 步骤4,清洁,对处理后得到的家装用深色镜面高光泽铝合金进行清洗。
[0048] 本实施例处理的高深色镜面高光泽铝合金表面形成有灰色的镜面陶瓷层,该灰色镜面陶瓷层表面光滑、反射性高。
[0049] 上述仅为本发明的一个具体实施方式,但本发明的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动,均应属于侵犯本发明保护范围的行为。