[0019] 实施例1：
[0020] 按照(Mg0.499Si0.5)AlON4/3：0.001Eu2+称取MgCO3、SiO2、Si3N4、AlN和Eu2O3，MgCO3、SiO2、 Si3N4、AlN和Eu2O3的摩尔比为0.499：0.25：1/12：1：0.0005；加入MgF2和MgCl2的混合物作为助熔剂，其总质量为上述五种原料的总质量的2％(其中，MgF2的质量为原料总质量的1％，MgCl2的质量为原料总质量的1％)。将上述原料充分研磨并与助溶剂混合均匀后，放置坩埚中，在高温炉内于CO气氛下，在1450℃焙烧7小时，后缓慢冷却到室温，得到氮氧化物蓝绿色荧光粉。
[0021] 从图1中可以看出，本实施例得到的荧光粉的激发谱为一宽谱，覆盖了紫外、紫光和蓝光区域，激发峰位于381nm附近，光谱峰值高，说明本实施例的荧光粉可以被紫外、紫光和蓝光芯片有效激发。当激发波长为381nm时，从图2中可以看出，本实施例的荧光粉的发射为宽带蓝绿光发射，发射峰位于460nm附近，说明本实施例的荧光粉适合做紫外、紫光和蓝光激发的蓝绿色荧光粉。从图3中可以看出，本实施例的荧光粉的XRD的衍射峰强度高且与标准图谱吻合较好，说明本实施例的荧光粉具有较高的结晶度和纯度。
[0022] 实施例2：
[0023] 按照(Mg0.49Si0.5)AlON4/3：0.01Eu2+称取MgCO3、SiO2、Si3N4、AlN和Eu2O3，MgCO3、SiO2、 Si3N4、AlN和Eu2O3的摩尔比为0.49：0.25：1/12：1：0.005；加入MgF2和AlF3的混合物作为助熔剂，其总质量为上述五种原料的总质量的5％(MgF2的质量为原料总质量的1％，AlF3的质量为原料总质量的4％)。将上述原料充分研磨并与助溶剂混合均匀后，放置坩埚中，在高温炉内于 5％H2+95％N2(体积比)的氮氢混合气氛下，在1475℃焙烧5小时，后缓慢冷却到室温，得到氮氧化物蓝绿色荧光粉。
[0024] 本实施例得到的荧光粉激发谱为一宽谱，覆盖了紫外、紫光和蓝光区域，激发峰位于381nm 附近，光谱峰值高，说明本实施例的荧光粉可以被紫外、紫光和蓝光芯片有效激发。当激发波长为381nm时，本实施例的荧光粉的发射为宽带蓝绿光发射，发射峰位于460nm附近，说明本实施例的荧光粉适合做紫外、紫光和蓝光激发的蓝绿色荧光粉。从图3中可以看出，本实施例的荧光粉的XRD的衍射峰强度高且与标准图谱吻合较好，说明本实施例的荧光粉具有较高的结晶度和纯度。
[0025] 实施例3：
[0026] 按照(Mg0.4Si0.5)AlON4/3：0.1Eu2+称取MgCO3、SiO2、Si3N4、AlN和Eu2O3，MgCO3、SiO2、 Si3N4、AlN和Eu2O3的摩尔比为0.4：0.25：1/12：1：0.005；加入MgCl2和AlF3的混合物作为助熔剂，其总质量为上述五种原料总质量的7％(MgCl2的质量为原料总质量的3％，AlF3的质量为原料总质量的4％)。将上述原料充分研磨并与助熔剂混合均匀后，放置坩埚中，在高温炉内于 5％H2+95％N2(体积比)的氮氢混合气氛下，在1500℃焙烧2小时，后缓慢冷却到室温，得到氮氧化物蓝绿色荧光粉。
[0027] 本实施例得到的荧光粉激发谱为一宽谱，覆盖了紫外、紫光和蓝光区域，激发峰位于381nm 附近，光谱峰值高，说明本实施例的荧光粉可以被紫外、紫光和蓝光芯片有效激发。当激发波长为381nm时，本实施例的荧光粉的发射为宽带蓝绿光发射，发射峰位于460nm附近，说明本实施例的荧光粉适合做紫外、紫光和蓝光激发的蓝绿色荧光粉。从图3中可以看出，本实施例的荧光粉的XRD的衍射峰强度高且与标准图谱吻合较好，说明本实施例的荧光粉具有较高的结晶度和纯度。
[0028] 实施例4：
[0029] 按照(Mg0.99Si)ON4/3：0.01Eu2+称取MgCO3、Si3N4和Eu2O3，MgCO3、Si3N4和Eu2O3的摩尔比为0.99：1/3：0.005，加入MgF2和MgCl2的混合物作为助熔剂，其总质量为原料总质量的5％(其中，MgF2的质量为原料总质量的3％，MgCl2的质量为原料总质量的2％)。将上述三种原料充分研磨并与混合助溶剂混合均匀后，放置坩埚中，在高温炉内于CO气氛下，在1500℃焙烧2小时，后缓慢冷却到室温，得到氮氧化物蓝绿色荧光粉。
[0030] 本实施例得到的荧光粉激发谱为一宽谱，覆盖了紫外、紫光和蓝光区域，激发峰位于381nm 附近，光谱峰值高，说明本实施例的荧光粉可以被紫外、紫光和蓝光芯片有效激发。当激发波长为381nm时，本实施例的荧光粉的发射为宽带蓝绿光发射，发射峰位于460nm附近，说明本实施例的荧光粉适合做紫外、紫光和蓝光激发的蓝绿色荧光粉。从图3中可以看出，本实施例的荧光粉的XRD的衍射峰强度高且与标准图谱吻合较好，说明本实施例的荧光粉具有较高的结晶度和纯度。
[0031] 实施例5：
[0032] 按照(Mg0.99Si)O2N2/3：0.01Eu2+称取MgCO3、SiO2、Si3N4和Eu2O3，MgCO3、SiO2、Si3N4和 Eu2O3的摩尔比为0.99：1/2：1/6：0.005；加入MgF2和MgCl2的混合物作为助熔剂，其总质量为原料总质量的7％(其中，MgF2的质量为原料总质量的1％，MgCl2的质量为原料总质量的6％)。将上述四种原料充分研磨并与混合助溶剂混合均匀后，放置坩埚中，在高温炉内于
5％H2+95％N2 (体积比)的氮氢混合气氛下，在1450℃焙烧7小时，后缓慢冷却到室温，得到氮氧化物蓝绿色荧光粉。
[0033] 本实施例得到的荧光粉激发谱为一宽谱，覆盖了紫外、紫光和蓝光区域，激发峰位于381nm 附近，光谱峰值高，说明本实施例的荧光粉可以被紫外、紫光和蓝光芯片有效激发。当激发波长为381nm时，本实施例的荧光粉的发射为宽带蓝绿光发射，发射峰位于460nm附近，说明本实施例的荧光粉适合做紫外、紫光和蓝光激发的蓝绿色荧光粉。本实施例的荧光粉的XRD的衍射峰强度高且与标准图谱吻合较好，说明本实施例的荧光粉具有较高的结晶度和纯度。
[0034] 实施例6：
[0035] 按照(Mg0.99Si)Al2ON10/3：0.01Eu2+称取MgCO3、Si3N4、AlN和Eu2O3，MgCO3、Si3N4、AlN 和Eu2O3的摩尔比为0.99：1/3：2：0.005；加入MgCl2和AlF3的混合物作为助熔剂，其总质量为原料总质量的2％(MgCl2的质量为原料总质量的1％，AlF3的质量为原料总质量的1％)。将上述四种原料充分研磨并与混合助溶剂混合均匀后，放置坩埚中，在高温炉内于CO气氛下，在1500℃焙烧2小时，后缓慢冷却到室温，得到氮氧化物蓝绿色荧光粉。
[0036] 本实施例得到的荧光粉激发谱为一宽谱，覆盖了紫外、紫光和蓝光区域，激发峰位于381nm 附近，光谱峰值高，说明本实施例的荧光粉可以被紫外、紫光和蓝光芯片有效激发。当激发波长为381nm时，本实施例的荧光粉的发射为宽带蓝绿光发射，发射峰位于460nm附近，说明本实施例的荧光粉适合做紫外、紫光和蓝光激发的蓝绿色荧光粉。本实施例的荧光粉的XRD的衍射峰强度高且与标准图谱吻合较好，说明本实施例的荧光粉具有较高的结晶度和纯度。
[0037] 实施例7：
[0038] 按照(Mg0.99Si)Al2O2N8/3：0.01Eu2+称取MgCO3、SiO2、Si3N4、AlN和Eu2O3，MgCO3、SiO2、 Si3N4、AlN和Eu2O3的摩尔比为0.99：1/2：1/6：2：0.005；加入MgF2和MgCl2的混合物作为助熔剂，其总质量为原料总质量的7％(其中，MgF2的质量为原料总质量的3％，MgCl2的质量为原料总质量的4％)。将上述五种原料充分研磨混合均匀后，放置坩埚中，在高温炉内于5％H2+95％N2 (体积比)的氮氢混合气氛下，在1450℃焙烧7小时，后缓慢冷却到室温，得到氮氧化物蓝绿色荧光粉。
[0039] 本实施例得到的荧光粉激发谱为一宽谱，覆盖了紫外、紫光和蓝光区域，激发峰位于381nm 附近，光谱峰值高，说明本实施例的荧光粉可以被紫外、紫光和蓝光芯片有效激发。当激发波长为381nm时，本实施例的荧光粉的发射为宽带蓝绿光发射，发射峰位于460nm附近，说明本实施例的荧光粉适合做紫外、紫光和蓝光激发的蓝绿色荧光粉。本实施例的荧光粉的XRD的衍射峰强度高且与标准图谱吻合较好，说明本实施例的荧光粉具有较高的结晶度和纯度。
[0040] 实施例8：
[0041] 按照(Mg0.49Si0.5)AlON4/3：0.01Eu2+称取MgCO3、SiO2、Si3N4、AlN和Eu2O3，MgCO3、SiO2、 Si3N4、AlN和Eu2O3的摩尔比为0.49：1/4：1/12：1：0.005；加入MgCl2和AlF3的混合物作为助熔剂，其总质量为原料总质量的5％(其中，MgCl2的质量为原料总质量的2％，AlF3的质量为原料总质量的3％)。将上述五种原料充分研磨并与混合助溶剂混合均匀后，放置坩埚中，在高温炉内于5％H2+95％N2(体积比)的氮氢混合气氛下，在1450℃焙烧7小时，后缓慢冷却到室温，得到氮氧化物蓝绿色荧光粉。
[0042] 本实施例得到的荧光粉激发谱为一宽谱，覆盖了紫外、紫光和蓝光区域，激发峰位于381nm 附近，光谱峰值高，说明本实施例的荧光粉可以被紫外、紫光和蓝光芯片有效激发。当激发波长为381nm时，本实施例的荧光粉的发射为宽带蓝绿光发射，发射峰位于460nm附近，说明本实施例的荧光粉适合做紫外、紫光和蓝光激发的蓝绿色荧光粉。本实施例的荧光粉的XRD的衍射峰强度高且与标准图谱吻合较好，说明本实施例的荧光粉具有较高的结晶度和纯度。
[0043] 实施例9：
[0044] 按照(Mg0.49Si0.5)AlO2N2/3：0.01Eu2+称取MgCO3、SiO2、Al2O3、AlN和Eu2O3，MgCO3、SiO2、Al2O3、AlN和Eu2O3的摩尔比为0.49：1/2：1/6：2/3：0.005；加入MgF2和MgCl2的混合物作为助熔剂，其总质量为原料总质量的7％(MgF2的质量为原料总质量的5％，MgCl2的质量为原料总质量的2％)。将上述五种原料充分研磨并与混合助溶剂混合均匀后，放置坩埚中，在高温炉内于 CO气氛下，在1500℃焙烧2小时，后冷却到室温，得到氮氧化物蓝绿色荧光粉。
[0045] 本实施例得到的荧光粉激发谱为一宽谱，覆盖了紫外、紫光和蓝光区域，激发峰位于381nm 附近，光谱峰值高，说明本实施例的荧光粉可以被紫外、紫光和蓝光芯片有效激发。当激发波长为381nm时，本实施例的荧光粉的发射为宽带蓝绿光发射，发射峰位于460nm附近，说明本实施例的荧光粉适合做紫外、紫光和蓝光激发的蓝绿色荧光粉。本实施例的荧光粉的XRD的衍射峰强度高且与标准图谱吻合较好，说明本实施例的荧光粉具有较高的结晶度和纯度。
[0046] 实施例10：
[0047] 按照(Mg0.49Si0.5)Al3ON10/3：0.01Eu2+称取MgCO3、SiO2、Si3N4、AlN和Eu2O3，MgCO3、SiO2、 Si3N4、AlN和Eu2O3的摩尔比0.49：1/4：1/12：3：0.005；加入MgF2和AlF3的混合物作为助熔剂，其总质量为原料总质量的7％(MgF2的质量为原料总质量的2％，AlF3的质量为原料总质量的5％)。将上述五种原料充分研磨并与混合助溶剂混合均匀后，放置坩埚中，在高温炉内于CO气氛下，在1450℃焙烧7小时，后缓慢冷却到室温，得到氮氧化物蓝绿色荧光粉。
[0048] 本实施例得到的荧光粉激发谱为一宽谱，覆盖了紫外、紫光和蓝光区域，激发峰位于381nm 附近，光谱峰值高，说明本实施例的荧光粉可以被紫外、紫光和蓝光芯片有效激发。当激发波长为381nm时，本实施例的荧光粉的发射为宽带蓝绿光发射，发射峰位于460nm附近，说明本实施例的荧光粉适合做紫外、紫光和蓝光激发的蓝绿色荧光粉。本实施例的荧光粉的XRD的衍射峰强度高且与标准图谱吻合较好，说明本实施例的荧光粉具有较高的结晶度和纯度。
[0049] 实施例11：
[0050] 按照(Mg0.49Si0.5)Al3O2N8/3：0.01Eu2+称取MgCO3、SiO2、Al2O3、AlN和Eu2O3，MgCO3、SiO2、 Al2O3、AlN和Eu2O3的摩尔比为0.49：1/2：1/6：8/3：0.005，加入MgF2和AlF3的混合助熔剂，其总质量为原料总质量的2％(其中，MgF2的质量为原料总质量的1％，AlF3的质量为原料总质量的 1％)。将上述五种原料充分研磨并与混合助溶剂混合均匀后，放置坩埚中，在高温炉内于 5％H2+95％N2(体积比)的氮氢混合气氛下，在1500℃焙烧2小时，后冷却到室温，得到氮氧化物蓝绿色荧光粉。
[0051] 本实施例得到的荧光粉激发谱为一宽谱，覆盖了紫外、紫光和蓝光区域，激发峰位于381nm 附近，光谱峰值高，说明本实施例的荧光粉被紫外、紫光和蓝光芯片有效激发。当激发波长为 381nm时，本实施例的荧光粉的发射为宽带蓝绿光发射，发射峰位于460nm附近，说明本实施例的荧光粉适合做紫外、紫光和蓝光激发的蓝绿色荧光粉。本实施例的荧光粉的XRD的衍射峰强度高且与标准图谱吻合较好，说明本实施例的荧光粉具有较高的结晶度和纯度。
[0052] 上述实施例用来解释说明本发明，而不是对本发明进行限制，在本发明的精神和权利要求的保护范围内，对本发明作出的任何修改和改变，都落入本发明的保护范围。
