[0027] 为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
[0028] 需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0029] 下面结合附图对本发明做进一步详细描述：
[0030] 实施例1
[0031] 1)将三氟甲磺酸铜和氯化镍加入1,4‑丁二醇中，配制成溶液A，铜离子浓度为0.01mol/L，镍离子浓度为0.005mol/L；
[0032] 将硫代氨基脲加入去离子水中，配制成浓度为0.01mol/L的溶液B；
[0033] 2)将溶液B按照体积比1：0.4滴加至溶液A中，得到混合液；滴加时间为10分钟，滴加完成后搅拌0.5小时；
[0034] 3)将混合液在40℃加热11小时，反应结束后，去离子水、乙醇洗涤3次，50℃真空干燥12小时，得到分层结构CuS纳米花。
[0035] 参见图1，图1为本发明制备的CuS纳米花的XRD图，从图1可以确定CuS纳米花物相组成，具有较高的纯度。
[0036] 参见图2，图2为实施例1产物的扫描电镜图，其中制得的CuS纳米材料形貌特征鲜明，呈规整的纳米花状，直径大约为400nm。
[0037] 参见图3，图3为产物的透射电镜图，从图中可以看出CuS二维纳米片自组装成独特的分层结构CuS纳米花。
[0038] 参见图4，图4为CuS纳米花的EDS图，从图中可以看出，Cu、S、Sn元素分布比较均匀，Sn元素在图1中并未出现，因此，推测Sn元素可能是以离子的形式掺杂到了CuS晶格中。
[0039] 参见图5，图5给出了CuS纳米花作为钠离子电池负极材料的充放电图，其中，在电流密度为1.0A/g下，放电比容量、充电比容量分别为478mAh/g、471mAh/g。
[0040] 实施例2
[0041] 1)将酒石酸铜和氯化钯加入1,4‑丁二醇中，配制成溶液A，铜离子浓度为0.02mol/L，钯离子浓度为0.01mol/L；
[0042] 将L‑甲硫氨酸加入去离子水中，配制成浓度为0.02mol/L的溶液B；
[0043] 2)将溶液B按照体积比1：0.6滴加至溶液A中，得到混合液；滴加时间为20分钟，滴加完成后搅拌1小时；
[0044] 3)将混合液在50℃加热10小时，反应结束后，去离子水、乙醇洗涤6次，60℃真空干燥11小时，得到分层结构CuS纳米花。
[0045] 实施例3
[0046] 1)将葡萄糖酸铜和二氯化锡加入1,4‑丁二醇中，配制成溶液A，铜离子浓度为0.03mol/L，锡离子浓度为0.02mol/L；
[0047] 将2‑硫脲嘧啶加入去离子水中，配制成浓度为0.03mol/L的溶液B；
[0048] 2)将溶液B按照体积比1：0.8滴加至溶液A中，得到混合液；滴加时间为30分钟，滴加完成后搅拌0.5小时；
[0049] 3)将混合液在60℃加热9小时，反应结束后，去离子水、乙醇洗涤4次，70℃真空干燥10小时，得到分层结构CuS纳米花。
[0050] 实施例4
[0051] 1)将三氟甲磺酸铜和氯化镍加入1,4‑丁二醇中，配制成溶液A，铜离子浓度为0.04mol/L，镍离子浓度为0.01mol/L；
[0052] 将硫代氨基脲加入去离子水中，配制成浓度为0.01mol/L的溶液B；
[0053] 2)将溶液B按照体积比1：1滴加至溶液A中，得到混合液；滴加时间为10分钟，滴加完成后搅拌1小时；
[0054] 3)将混合液在70℃加热8小时，反应结束后，去离子水、乙醇洗涤5次，80℃真空干燥9小时，得到分层结构CuS纳米花。
[0055] 本发明利用廉价易得的原料及简便高效的制备条件完成了CuS纳米花的制备，并得到了独特的一种金属离子掺杂分层结构CuS纳米花，作为钠离子电池负极材料，具有较好的电化学性能。
[0056] 以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明权利要求书的保护范围之内。
