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一种(La1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
一种(La1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
发明专利
有效专利
材料学
申请日:
2017-07-24
当前状态:
授权
国际分类号:
C25D9/06
发明人:
武晓鹂,张铁,龙飞,郑国源,邹正光
申请人:
桂林理工大学
一种(Gd1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
一种(Gd1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
发明专利
有效专利
材料学
申请日:
2017-07-24
当前状态:
授权
国际分类号:
C25D9/06
、
C03C17/34
发明人:
武晓鹂,张铁,龙飞,蓝晶月,吴一
申请人:
桂林理工大学
一种利用LRH的煅烧记忆性制备片状稀土氧化物薄膜的方法
一种利用LRH的煅烧记忆性制备片状稀土氧化物薄膜的方法
发明专利
有效专利
材料学
申请日:
2017-10-09
当前状态:
授权
国际分类号:
C25D9/08
、
C01F17/00
发明人:
武晓鹂,黄俊杰,尹凯,王瑶瑶,陈璐,杨怡萱,赵周桥,张铁
申请人:
桂林理工大学
一种(Y1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
一种(Y1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
发明专利
有效专利
材料学
申请日:
2017-07-24
当前状态:
授权
国际分类号:
C01G39/00
发明人:
武晓鹂,张铁,龙飞,王瑶瑶,邹正光
申请人:
桂林理工大学
一种Tb2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
一种Tb2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
发明专利
有效专利
材料学
申请日:
2017-07-24
当前状态:
授权
国际分类号:
C25D9/06
、
C03C17/34
发明人:
武晓鹂,龙飞,张铁,黄俊杰,吴一
申请人:
桂林理工大学
一种稀土四氟化物NalnF4薄膜及其制备方法
一种稀土四氟化物NalnF4薄膜及其制备方法
发明专利
有效专利
材料学
申请日:
2019-09-10
当前状态:
授权
国际分类号:
C25D9/04
、
C25D5/48
、
C03C17/34
发明人:
武晓鹂,张鹤,黄俊杰,韦玉莹,任珂,刘远立
申请人:
桂林理工大学
一种稀土层状氢氧化物薄膜的直接制备方法
一种稀土层状氢氧化物薄膜的直接制备方法
发明专利
有效专利
材料学
申请日:
2017-10-09
当前状态:
授权
国际分类号:
C25D9/08
、
B82Y40/00
、
B82Y30/00
发明人:
武晓鹂,黄俊杰,周杰伟,蓝晶月,唐晓玲,潘冰冰,张铁
申请人:
桂林理工大学
一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
发明专利
有效专利
材料学
申请日:
2017-07-24
当前状态:
授权
国际分类号:
C01G39/00
发明人:
武晓鹂,龙飞,张铁,王吉林,吴一
申请人:
桂林理工大学
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