发明内容
[0007] 本发明的目的是提供一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片制备方法。
[0008] 为了达到上述的技术效果，本发明采取以下技术方案：
[0009] 一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片制备，包括以下步骤：
[0010] (1)将事先裁好的ITO导电玻璃分别用分析纯丙酮、分析纯乙醇和二次水各超声清洗3min，并置于50℃烘箱中烘干；将烘干后洁净的ITO置于巯基硅烷的乙醇溶液中浸泡，并用分析纯乙醇和二次水冲洗，置于50℃烘箱中烘干，待用。
[0011] (2)将1mol/L的HNO3水溶液与1％的HAuCl4水溶液按照体积比为9：1的比例混合均匀，得到电沉积液。以ITO、铂片电极、银氯化银电极分别作为工作电极、对电极与参比电极，置于上述的电沉积液中，用横电压沉积法，沉积电位为‑1.8V，沉积时间为1800s得到具有树枝状纳米金修饰ITO芯片，取出后用清水洗干净，再用氮气吹干。
[0012] (3)将步骤(2)中制备好的树枝状金ITO芯片置于温度为120℃的烘箱中，恒温热处理3h，芯片表面的树枝状金润湿态由亲水性转变为超疏水。并利用激光刻蚀机在超疏水树枝状金ITO芯片表面刻蚀8个具有超亲水圆弧的微阵列小孔，得到超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片。
[0013] 进一步技术方案是，所述的ITO导电玻璃为掺杂氧化铟锡的导电玻璃，芯片大小为1.0cm*3.0cm。
[0014] 进一步技术方案是，所述的电沉积反应为沉积电位‑1.8V，沉积时间1800s。
[0015] 进一步技术方案是，所述的热处理反应是在温度为120℃，时间为3h。
[0016] 进一步技术方案是，所述的超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片制备方法，其特征在所述的激光刻蚀频率20kHz，功率50％，脉冲宽度10ms。
[0017] 本发明提供了所述的的超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的制备方法制备而得到的超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片，其特征在于所述的超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片为具有超亲水圆弧图案与超疏水树枝状金表面的微阵列图案，圆弧直径为2mm，所述的树枝状纳米金表面形貌为主干长度长度10‑20μm，沿着主干以固定的角度生长出二级三级分支，分支直径在100‑200nm范围内变化，树枝状金膜厚度为5μm。
[0018] 进一步的技术方案是，所述的超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的疏水区树枝状金的疏水角≥150°，亲水区圆弧的疏水角≤5°。
[0019] 本发明方法的优点如下：
[0020] (1)本发明方法制备的树枝状金芯片制备过程简单，效率高，无需任何表面活性剂与模板，树枝状金表面纯净无污染。
[0021] (2)本发明方法通过简单的热处理方法，巧妙的将疏水态的金表面转变为超疏水的金表面，方法简便无污染。
[0022] (3)本发明方法利用激光刻蚀技术，通过激光刻蚀制备超亲水圆环，构建超疏水/超亲水混合微阵列，具有良好的液滴管理能力，实现单液滴检测，浓缩液滴，提高灵敏度。
