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一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机   0    0

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专利申请流程有哪些步骤?
专利申请流程图
申请
申请号:指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。
申请日:提出专利申请之日。
2021-04-28
申请公布
申请公布指发明专利申请经初步审查合格后,自申请日(或优先权日)起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。
申请公布号:专利申请过程中,在尚未取得专利授权之前,国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。
申请公布日:申请公开的日期,即在专利公报上予以公开的日期。
2021-09-03
授权
授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由,授予发明专利权;或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由,授予实用新型专利权或外观设计专利权。
预估到期
发明专利权的期限为二十年,实用新型专利权期限为十年,外观设计专利权期限为十五年,均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。
2041-04-28
基本信息
有效性 实质审查 专利类型 发明专利
申请号 CN202110467806.1 申请日 2021-04-28
公开/公告号 CN113262736A 公开/公告日 2021-08-17
授权日 预估到期日 2041-04-28
申请年 2021年 公开/公告年 2021年
缴费截止日
分类号 B01J19/10B01F11/02B01F13/02 主分类号 B01J19/10
是否联合申请 独立申请 文献类型号 A
独权数量 1 从权数量 5
权利要求数量 6 非专利引证数量 1
引用专利数量 14 被引证专利数量 0
非专利引证 1、田甜: "超疏水纳米二氧化硅表面的制备与性能研究", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士)工程科技Ⅰ辑》;
引用专利 GB478721A、DE949982C、WO9737730A1、US2007040476A1、US2008159063A1、CN101439275A、CN104312215A、CN109205917A、CN110152628A、CN111387481A、CN111620515A、CN111888995A、US2008156737A1、CN107961742A 被引证专利
专利权维持 99 专利申请国编码 CN
专利事件 事务标签 公开、实质审查
申请人信息
申请人 第一申请人
专利权人 林丽坪 当前专利权人 林丽坪
发明人 林丽坪 第一发明人 林丽坪
地址 福建省莆田市荔城区北高镇美澜村美澜848号 邮编 351148
申请人数量 1 发明人数量 1
申请人所在省 福建省 申请人所在市 福建省莆田市
代理人信息
代理机构
专利代理机构是经省专利管理局审核,国家知识产权局批准设立,可以接受委托人的委托,在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。
代理人
专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务,取得一定资格的人。
摘要
本发明公开了一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机,其结构包括混匀机构、顶盖、超声波发生器、出液管,混匀机构顶部设有顶盖,超声波发生器进行振荡,对混匀箱内部的物料进行混匀,通过振荡使得拨动机构对伸缩软管进行挤压,通过喷气孔进行喷射气压,拨板在挤压板外侧进行拨动,将振荡过程中往外侧进行分散的硅胶颗粒往中部进行推移,推板在传导底座外侧进行上下移动,同时超声波发生器产生的振荡通过安装槽进行传导,进入到传导孔内部,这时曝气孔内部的气压发生改变,推动开闭片绕着扭力轴往上进行转动,将曝气孔打开,进行曝气工作,将振荡过程中下落的硅胶颗粒往上进行推起,提高硅胶颗粒全面的分散混匀效果。
  • 摘要附图
    一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机
  • 说明书附图:图1
    一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机
  • 说明书附图:图2
    一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机
  • 说明书附图:图3
    一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机
  • 说明书附图:图4
    一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机
  • 说明书附图:图5
    一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机
  • 说明书附图:图6
    一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机
  • 说明书附图:图7
    一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机
法律状态
序号 法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
1 2021-09-03 实质审查的生效 IPC(主分类): B01J 19/10 专利申请号: 202110467806.1 申请日: 2021.04.28
2 2021-08-17 公开
权利要求
权利要求书是申请文件最核心的部分,是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。
1.一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机,其结构包括混匀机构(1)、顶盖(2)、超声波发生器(3)、出液管(4),所述混匀机构(1)顶部设有顶盖(2),所述超声波发生器(3)中部贯穿于顶盖(2)内部,并且超声波发生器(3)下端设在混匀机构(1)内侧底部,所述出液管(4)嵌在混匀机构(1)右下端并且相贯通,其特征在于:
所述混匀机构(1)包括混匀箱(11)、隔板(12)、返流机构(13)、上推机构(14),所述混匀箱(11)内部设有隔板(12),并且顶盖(2)安装在混匀箱(11)顶端内部,所述隔板(12)表面设有返流机构(13),所述上推机构(14)安装在混匀箱(11)内侧底部,并且超声波发生器(3)下端与上推机构(14)内部相连接,所述上推机构(14)外侧端与隔板(12)表面相抵触。

2.根据权利要求1所述的一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机,其特征在于:
所述返流机构(13)包括拨动机构(131)、伸缩软管(132)、喷气孔(133),所述拨动机构(131)右侧表面与伸缩软管(132)一端相固定,并且伸缩软管(132)另一端与隔板(12)表面相固定,所述喷气孔(133)嵌在拨动机构(131)内部,并且喷气孔(133)与伸缩软管(132)内部相贯通。

3.根据权利要求2所述的一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机,其特征在于:
所述拨动机构(131)包括挤压板(31a)、弹簧(31b)、挤压杆(31c)、拨板(31d)、凸块(31e),所述挤压板(31a)内部设有弹簧(31b),所述弹簧(31b)与挤压杆(31c)一端相焊接,并且挤压杆(31c)另一端与拨板(31d)内侧表面相固定,所述挤压杆(31c)采用间隙配合安装在挤压板(31a)内部,所述喷气孔(133)嵌在挤压板(31a)内部,所述拨板(31d)外侧表面设有凸块(31e)。

4.根据权利要求1所述的一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机,其特征在于:
所述上推机构(14)包括传导底座(141)、安装槽(142)、推移机构(143)、曝气机构(144),所述传导底座(141)焊接于混匀箱(11)内侧底部,并且传导底座(141)中部设有安装槽(142),所述超声波发生器(3)下端安装在安装槽(142)内部,所述推移机构(143)设在传导底座(141)外侧,所述曝气机构(144)嵌在传导底座(141)上端内部。

5.根据权利要求4所述的一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机,其特征在于:
所述推移机构(143)包括滑块(43a)、弹簧杆(43b)、遮板(43c)、推板(43d),所述滑块(43a)滑动安装在传导底座(141)外侧端内部,并且弹簧杆(43b)下端采用间隙配合贯穿于滑块(43a)内部,所述滑块(43a)外侧端与推板(43d)内侧端相焊接,所述推板(43d)内侧端上表面焊接有遮板(43c),并且遮板(43c)与传导底座(141)外侧端表面相抵触。

6.根据权利要求4所述的一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机,其特征在于:
所述曝气机构(144)包括传导孔(44a)、曝气孔(44b)、开闭片(44c)、扭力轴(44d),所述传导孔(44a)设在传导底座(141)内部,并且传导孔(44a)下端与安装槽(142)内部相贯通,所述曝气孔(44b)嵌在传导底座(141)上端内部,并且曝气孔(44b)与传导孔(44a)上端相贯通,所述曝气孔(44b)内部设有开闭片(44c),并且开闭片(44c)通过扭力轴(44d)与传导底座(141)内部相铰接。
说明书

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体新材料制备领域,更具体地说,尤其是涉及到一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机。

背景技术

[0002] 含酚废水处理材料制备时,需要对硅胶颗粒的硅烷化处理:将活化的硅球分散于甲醇溶液中,加入3‑氨丙基三乙氧硅烷,接着通过超声波混合机进行混匀后,40‑70℃下反应12‑24h得到氨基修饰的硅球,抽滤分离,甲醇清洗数次后40‑60℃真空干燥备用,但是由于超声波混合机在对硅胶颗粒、甲醇溶液和3‑氨丙基三乙氧硅烷进行超声混合时,超声波振动器安装在中部,而硅胶颗粒受到超声波的振荡后容易往外侧进行分散,分散后的硅胶颗粒难以再次靠近超声波振动器,只能在外侧分散,降低了超声波振动器周围的甲醇溶液、3‑氨丙基三乙氧硅烷与硅胶颗粒的混匀效果。

发明内容

[0003] 本发明实现技术目的所采用的技术方案是:该一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机,其结构包括混匀机构、顶盖、超声波发生器、出液管,所述混匀机构顶部设有顶盖,所述超声波发生器中部贯穿于顶盖内部,并且超声波发生器下端设在混匀机构内侧底部,所述出液管嵌在混匀机构右下端并且相贯通,所述混匀机构包括混匀箱、隔板、返流机构、上推机构,所述混匀箱内部设有隔板,并且顶盖安装在混匀箱顶端内部,所述隔板表面设有返流机构,所述上推机构安装在混匀箱内侧底部,并且超声波发生器下端与上推机构内部相连接,所述上推机构外侧端与隔板表面相抵触,所述超声波发生器和上推机构均设有三个,并且等距分布在混匀箱内部。
[0004] 作为本发明的进一步改进,所述返流机构包括拨动机构、伸缩软管、喷气孔,所述拨动机构右侧表面与伸缩软管一端相固定,并且伸缩软管另一端与隔板表面相固定,所述喷气孔嵌在拨动机构内部,并且喷气孔与伸缩软管内部相贯通,所述伸缩软管呈褶皱型结构,并且采用橡胶材质具有一定的回弹性。
[0005] 作为本发明的进一步改进,所述拨动机构包括挤压板、弹簧、挤压杆、拨板、凸块,所述挤压板内部设有弹簧,所述弹簧与挤压杆一端相焊接,并且挤压杆另一端与拨板内侧表面相固定,所述挤压杆采用间隙配合安装在挤压板内部,所述喷气孔嵌在挤压板内部,所述拨板外侧表面设有凸块,所述弹簧、挤压杆和拨板均设有两个,并且呈对称安装在挤压板前后两端。
[0006] 作为本发明的进一步改进,所述上推机构包括传导底座、安装槽、推移机构、曝气机构,所述传导底座焊接于混匀箱内侧底部,并且传导底座中部设有安装槽,所述超声波发生器下端安装在安装槽内部,所述推移机构设在传导底座外侧,所述曝气机构嵌在传导底座上端内部,所述推移机构共设有两个,并且呈左右对称安装在传导底座左右两端外侧。
[0007] 作为本发明的进一步改进,所述推移机构包括滑块、弹簧杆、遮板、推板,所述滑块滑动安装在传导底座外侧端内部,并且弹簧杆下端采用间隙配合贯穿于滑块内部,所述滑块外侧端与推板内侧端相焊接,所述推板内侧端上表面焊接有遮板,并且遮板与传导底座外侧端表面相抵触,所述推板呈倾斜角度安装在传导底座外侧。
[0008] 作为本发明的进一步改进,所述曝气机构包括传导孔、曝气孔、开闭片、扭力轴,所述传导孔设在传导底座内部,并且传导孔下端与安装槽内部相贯通,所述曝气孔嵌在传导底座上端内部,并且曝气孔与传导孔上端相贯通,所述曝气孔内部设有开闭片,并且开闭片通过扭力轴与传导底座内部相铰接,所述曝气孔共设有十二个,并且每个曝气孔内部设有两个开闭片和两个扭力轴。
[0009] 本发明的有益效果在于:
[0010] 1.超声波发生器进行振荡,对混匀箱内部的物料进行混匀,通过振荡使得拨动机构对伸缩软管进行挤压,改变内部的气压,通过喷气孔进行喷射气压,拨板在挤压板外侧进行拨动,将振荡过程中往外侧进行分散的硅胶颗粒往中部进行推移,提高硅胶颗粒靠近超声波发生器,从而确保超声波发生器对硅胶颗粒、甲醇溶液和3‑氨丙基三乙氧硅烷进行全面的混合均匀。
[0011] 2.滑块在弹簧杆上进行弹性挤压,带动了推板在传导底座外侧进行上下移动,同时超声波发生器产生的振荡通过安装槽进行传导,进入到传导孔内部,这时曝气孔内部的气压发生改变,推动开闭片绕着扭力轴往上进行转动,将曝气孔打开,进行曝气工作,将振荡过程中下落的硅胶颗粒往上进行推起,提高硅胶颗粒全面的分散混匀效果。

实施方案

[0020] 以下结合附图对本发明做进一步描述:
[0021] 实施例1:
[0022] 如附图1至附图4所示:
[0023] 本发明一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机,其结构包括混匀机构1、顶盖2、超声波发生器3、出液管4,所述混匀机构1顶部设有顶盖2,所述超声波发生器3中部贯穿于顶盖2内部,并且超声波发生器3下端设在混匀机构1内侧底部,所述出液管4嵌在混匀机构1右下端并且相贯通,所述混匀机构1包括混匀箱11、隔板12、返流机构13、上推机构14,所述混匀箱11内部设有隔板12,并且顶盖2安装在混匀箱11顶端内部,所述隔板12表面设有返流机构13,所述上推机构14安装在混匀箱11内侧底部,并且超声波发生器3下端与上推机构14内部相连接,所述上推机构14外侧端与隔板12表面相抵触,所述超声波发生器3和上推机构14均设有三个,并且等距分布在混匀箱11内部,利于对混匀箱11内部的硅胶颗粒、甲醇溶液和3‑氨丙基三乙氧硅烷进行有效的全面混匀。
[0024] 其中,所述返流机构13包括拨动机构131、伸缩软管132、喷气孔133,所述拨动机构131右侧表面与伸缩软管132一端相固定,并且伸缩软管132另一端与隔板12表面相固定,所述喷气孔133嵌在拨动机构131内部,并且喷气孔133与伸缩软管132内部相贯通,所述伸缩软管132呈褶皱型结构,并且采用橡胶材质具有一定的回弹性,利于进行挤压回弹的同时产生气压。
[0025] 其中,所述拨动机构131包括挤压板31a、弹簧31b、挤压杆31c、拨板31d、凸块31e,所述挤压板31a内部设有弹簧31b,所述弹簧31b与挤压杆31c一端相焊接,并且挤压杆31c另一端与拨板31d内侧表面相固定,所述挤压杆31c采用间隙配合安装在挤压板31a内部,所述喷气孔133嵌在挤压板31a内部,所述拨板31d外侧表面设有凸块31e,所述弹簧31b、挤压杆31c和拨板31d均设有两个,并且呈对称安装在挤压板31a前后两端,利于进行同步挤压,加快对往外侧进行分散的硅胶颗粒往超声波发生器3上进行回弹。
[0026] 本实施例的具体使用方式与作用:
[0027] 本发明中,将硅胶颗粒、甲醇溶液和3‑氨丙基三乙氧硅烷放入混匀箱11内部,接着盖上顶盖2,这时超声波发生器3伸入混匀箱11内部,而超声波发生器3的底部安装在上推机构14中端内部,接着启动超声波发生器3,超声波发生器3进行振荡,对混匀箱11内部的物料进行混匀,在进行混匀的过程中,通过振荡使得拨动机构131对伸缩软管132进行挤压,这时伸缩软管132进行伸缩,从而改变内部的气压,通过喷气孔133进行喷射气压,同时通过挤压杆31c对弹簧31b进行挤压,使得拨板31d在挤压板31a外侧进行拨动,将振荡过程中往外侧进行分散的硅胶颗粒往中部进行推移,提高硅胶颗粒靠近超声波发生器3,从而确保超声波发生器3对硅胶颗粒、甲醇溶液和3‑氨丙基三乙氧硅烷进行全面的混合均匀。
[0028] 实施例2:
[0029] 如附图5至附图7所示:
[0030] 其中,所述上推机构14包括传导底座141、安装槽142、推移机构143、曝气机构144,所述传导底座141焊接于混匀箱11内侧底部,并且传导底座141中部设有安装槽142,所述超声波发生器3下端安装在安装槽142内部,所述推移机构143设在传导底座141外侧,所述曝气机构144嵌在传导底座141上端内部,所述推移机构143共设有两个,并且呈左右对称安装在传导底座141左右两端外侧,利于将传导底座141左右两端下沉的硅胶颗粒往上进行推移,避免硅胶颗粒经过振荡下落,提高硅胶颗粒往上进行浮动的效果。
[0031] 其中,所述推移机构143包括滑块43a、弹簧杆43b、遮板43c、推板43d,所述滑块43a滑动安装在传导底座141外侧端内部,并且弹簧杆43b下端采用间隙配合贯穿于滑块43a内部,所述滑块43a外侧端与推板43d内侧端相焊接,所述推板43d内侧端上表面焊接有遮板43c,并且遮板43c与传导底座141外侧端表面相抵触,所述推板43d呈倾斜角度安装在传导底座141外侧,利于推板43d对硅胶颗粒的承托面积,同时提高对硅胶颗粒往上浮动的推力,确保硅胶颗粒下落后有效的往上浮起。
[0032] 其中,所述曝气机构144包括传导孔44a、曝气孔44b、开闭片44c、扭力轴44d,所述传导孔44a设在传导底座141内部,并且传导孔44a下端与安装槽142内部相贯通,所述曝气孔44b嵌在传导底座141上端内部,并且曝气孔44b与传导孔44a上端相贯通,所述曝气孔44b内部设有开闭片44c,并且开闭片44c通过扭力轴44d与传导底座141内部相铰接,所述曝气孔44b共设有十二个,并且每个曝气孔44b内部设有两个开闭片44c和两个扭力轴44d,利于超声波发生器3在进行振荡的过程中,产生的振动力,从而使得曝气孔44b内部产生曝气,将下落的硅胶颗粒往上进行曝气,提高硅胶颗粒全面的分散混匀效果。
[0033] 本实施例的具体使用方式与作用:
[0034] 本发明中,超声波发生器3产生振荡的同时,使得弹簧杆43b进行弹性形变,这时滑块43a在弹簧杆43b上进行弹性挤压,带动了推板43d在传导底座141外侧进行上下移动,同时通过遮板43c的上下移动,对弹簧杆43b处进行遮挡,避免弹簧杆43b长时间与液体发生接触,确保弹簧杆43b保持弹性,同时超声波发生器3产生的振荡通过安装槽142进行传导,进入到传导孔44a内部,这时曝气孔44b内部的气压发生改变,推动开闭片44c绕着扭力轴44d往上进行转动,将曝气孔44b打开,进行曝气工作,将振荡过程中下落的硅胶颗粒往上进行推起,提高硅胶颗粒全面的分散混匀效果,通过扭力轴44d能够使得开闭片44c自动复位,避免硅胶颗粒和液体进入到曝气孔44b内部。
[0035] 利用本发明所述技术方案,或本领域的技术人员在本发明技术方案的启发下,设计出类似的技术方案,而达到上述技术效果的,均是落入本发明的保护范围。

附图说明

[0012] 图1为本发明一种用于含酚废水处理的半导体新材料制备机的结构示意图。
[0013] 图2为本发明一种混匀机构的内部结构示意图。
[0014] 图3为本发明一种返流机构的结构示意图。
[0015] 图4为本发明一种拨动机构的俯视以及局部放大结构示意图。
[0016] 图5为本发明一种上推机构的立体结构示意图。
[0017] 图6为本发明一种推移机构的结构示意图。
[0018] 图7为本发明一种曝气机构的结构示意图。
[0019] 图中:混匀机构‑1、顶盖‑2、超声波发生器‑3、出液管‑4、混匀箱‑11、隔板‑12、返流机构‑13、上推机构‑14、拨动机构‑131、伸缩软管‑132、喷气孔‑133、挤压板‑31a、弹簧‑31b、挤压杆‑31c、拨板‑31d、凸块‑31e、传导底座‑141、安装槽‑142、推移机构‑143、曝气机构‑144、滑块‑43a、弹簧杆‑43b、遮板‑43c、推板‑43d、传导孔‑44a、曝气孔‑44b、开闭片‑44c、扭力轴‑44d。
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