首页 > 专利 > 深圳市顺海科技有限公司 > 用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置专利详情

用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置   0    0

实质审查 查看PDF
专利申请流程有哪些步骤?
专利申请流程图
申请
申请号:指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。
申请日:提出专利申请之日。
2022-10-14
申请公布
申请公布指发明专利申请经初步审查合格后,自申请日(或优先权日)起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。
申请公布号:专利申请过程中,在尚未取得专利授权之前,国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。
申请公布日:申请公开的日期,即在专利公报上予以公开的日期。
2022-11-29
授权
授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由,授予发明专利权;或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由,授予实用新型专利权或外观设计专利权。
预估到期
发明专利权的期限为二十年,实用新型专利权期限为十年,外观设计专利权期限为十五年,均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。
2042-10-14
基本信息
有效性 实质审查 专利类型 发明专利
申请号 CN202211262483.3 申请日 2022-10-14
公开/公告号 CN115318529A 公开/公告日 2022-11-11
授权日 预估到期日 2042-10-14
申请年 2022年 公开/公告年 2022年
缴费截止日
分类号 B05B16/20B05B13/02B05B14/00B05B9/047G03F7/16B08B5/04H01L21/67 主分类号 B05B16/20
是否联合申请 独立申请 文献类型号 A
独权数量 1 从权数量 9
权利要求数量 10 非专利引证数量 0
引用专利数量 0 被引证专利数量 0
非专利引证
引用专利 被引证专利
专利权维持 99 专利申请国编码 CN
专利事件 事务标签 公开、实质审查
申请人信息
申请人 第一申请人
专利权人 深圳市顺海科技有限公司 当前专利权人 深圳市顺海科技有限公司
发明人 张丽 第一发明人 张丽
地址 广东省深圳市龙华新区清祥路宝能科技园9栋B座7楼J单元 邮编 518000
申请人数量 1 发明人数量 1
申请人所在省 广东省 申请人所在市 广东省深圳市
代理人信息
代理机构
专利代理机构是经省专利管理局审核,国家知识产权局批准设立,可以接受委托人的委托,在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。
上海旭新专利代理事务所 代理人
专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务,取得一定资格的人。
毛碧娟
摘要
本发明公开了用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,包括加工处理仓,所述加工处理仓底部的两侧设置有导流管,两组所述导流管的底部设置有回收仓,所述加工处理仓底部的中间位置处设置有驱动电机,所述驱动电机输出端设置有顶板。本发明通过顶板对放置杆上的晶片进行转动时,带动四组驱动板移动,使得驱动板的斜边对活塞杆向上顶,通过第一单向阀对储胶盒的内部进行加压,使得储胶盒的内部压力增加,会将储胶盒内部的胶水通过喷淋头进行喷出,由于多组驱动板之间呈一定间隔设置,使得活塞杆在活塞筒的内部上下移动,对储胶盒的内部进行间歇加压,使得光刻胶间歇的通过喷淋头喷出,大大减少光刻胶喷出的量。
  • 摘要附图
    用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置
  • 说明书附图:图1
    用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置
  • 说明书附图:图2
    用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置
  • 说明书附图:图3
    用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置
  • 说明书附图:图4
    用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置
  • 说明书附图:图5
    用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置
法律状态
序号 法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
1 2022-11-29 实质审查的生效 IPC(主分类): B05B 16/20 专利申请号: 202211262483.3 申请日: 2022.10.14
2 2022-11-11 公开
权利要求
权利要求书是申请文件最核心的部分,是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。
1.用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,包括加工处理仓(1),其特征在于:所述加工处理仓(1)底部的两侧设置有导流管(7),两组所述导流管(7)的底部设置有回收仓(5),所述加工处理仓(1)底部的中间位置处设置有驱动电机(6),所述驱动电机(6)输出端设置有顶板(11),所述顶板(11)内部的边缘处开设有通槽(8),所述通槽(8)的内侧设置有环形导料板(9),所述顶板(11)顶部的边缘处设置有四组驱动板(3),所述加工处理仓(1)顶部的中间位置处设置有四组放置杆(4),所述加工处理仓(1)顶部的中间位置处设置有喷涂机构(2),所述加工处理仓(1)顶部的两端设置有负压风机(12),两组所述负压风机(12)的输入端设置有吸尘管(13),两组所述吸尘管(13)的底部设置有集尘环(10)。

2.根据权利要求1所述的用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,其特征在于:所述喷涂机构(2)包括储胶盒(201)、喷淋头(202)、第一单向阀(203)、活塞筒(204)、复位弹簧(205)、活塞杆(206)、第二单向阀(207)和回收管(208),所述储胶盒(201)位于加工处理仓(1)顶部的中间位置处,所述储胶盒(201)两侧的底部设置有第一单向阀(203),两组所述第一单向阀(203)相互远离的一侧设置有活塞筒(204),所述活塞筒(204)内部的顶部设置有复位弹簧(205),所述复位弹簧(205)的底部设置有活塞杆(206),所述储胶盒(201)的底部设置有喷淋头(202),所述活塞筒(204)远离储胶盒(201)的一侧设置有第二单向阀(207),两组所述第二单向阀(207)的另一端连接有回收管(208)。

3.根据权利要求1所述的用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,其特征在于:所述放置杆(4)靠近顶板(11)圆心处四组弧形凹槽,且弧形凹槽内部的底部设置有橡胶垫。

4.根据权利要求2所述的用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,其特征在于:所述活塞筒(204)的底部延伸至加工处理仓(1)的内部,所述活塞筒(204)与第一单向阀(203)和第二单向阀(207)内部相互连通。

5.根据权利要求2所述的用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,其特征在于:所述活塞杆(206)有活塞和顶杆组成,且顶杆位于活塞的底部,且活塞与活塞筒(204)滑动适配。

6.根据权利要求2所述的用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,其特征在于:所述集尘环(10)位于四组放置杆(4)的上方,所述喷淋头(202)位于集尘环(10)的上方。

7.根据权利要求2所述的用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,其特征在于:所述回收管(208)的另一端与回收仓(5)的底部相互连接。

8.根据权利要求1所述的用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,其特征在于:所述加工处理仓(1)底部的边缘处设置有导流环,且导流环的内侧呈倾斜设置。

9.根据权利要求1所述的用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,其特征在于:所述通槽(8)内部两端设置有连接块,且连接块与环形导料板(9)固定连接。

10.根据权利要求1所述的用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,其特征在于:所述驱动电机(6)的外侧设置有电机仓,且电机仓的内侧设置有消音棉。
说明书

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体加工技术领域,具体为用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置。

背景技术

[0002] 半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用。在芯片制造时,需要大量的使用半导体晶片,而在半导体晶片加工过程中,光刻是比较重要的一个环节,进行光刻前需要对晶片进行涂抹光刻胶的处理,光刻胶是光刻成像的承载介质,其作用是利用光化学反应的原理将光刻系统中经过衍射、滤波后的光信息转化为化学能量,进而完成掩模图形的复制。
[0003] 当前的半导体晶片加工处理装置存在一些不足:1、在对半导体晶片进行喷胶时,一般通过水泵进行喷涂,但是喷涂时无法很好地
把控胶水喷出的量,导致对晶片的胶水残留大量的胶水,在通过离心的作用会将多余胶水甩掉,造成光刻胶的浪费。
[0004] 2、同时光刻胶在对晶片表面涂抹均匀完毕后,多余的光刻胶则会通过离心的作用甩掉,大量的光刻胶会直接滴落无法对其进行很好的利用,造成光刻胶的浪费,同时增加加工成本。
[0005] 3、在对半导体晶片进行加工之间,需要确保晶片表面干净无杂质和灰尘,防止在对晶片加工处理时,表面的灰尘对晶片处理造成影响,影响晶片加工最终的质量。

发明内容

[0006] 本发明的目的在于提供用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,以解决上述背景技术中提出的相关问题。
[0007] 为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,包括加工处理仓,所述加工处理仓底部的两侧设置有导流管,两组所述导流管的底部设置有回收仓,所述加工处理仓底部的中间位置处设置有驱动电机,所述驱动电机输出端设置有顶板,所述顶板内部的边缘处开设有通槽,所述通槽的内侧设置有环形导料板,所述顶板顶部的边缘处设置有四组驱动板,所述加工处理仓顶部的中间位置处设置有四组放置杆,所述加工处理仓顶部的中间位置处设置有喷涂机构,所述加工处理仓顶部的两端设置有负压风机,两组所述负压风机的输入端设置有吸尘管,两组所述吸尘管的底部设置有集尘环。
[0008] 优选的,所述喷涂机构包括储胶盒、喷淋头、第一单向阀、活塞筒、复位弹簧、活塞杆、第二单向阀和回收管,所述储胶盒位于加工处理仓顶部的中间位置处,所述储胶盒两侧的底部设置有第一单向阀,两组所述第一单向阀相互远离的一侧设置有活塞筒,所述活塞筒内部的顶部设置有复位弹簧,所述复位弹簧的底部设置有活塞杆,所述储胶盒的底部设置有喷淋头,所述活塞筒远离储胶盒的一侧设置有第二单向阀,两组所述第二单向阀的另一端连接有回收管。
[0009] 优选的,所述放置杆靠近顶板圆心处四组弧形凹槽,且奥凹槽内部的底部设置有橡胶垫。
[0010] 优选的,所述活塞筒的底部延伸至加工处理仓的内部,所述活塞筒与第一单向阀和第二单向阀内部相互连通。
[0011] 优选的,所述活塞杆有活塞和顶杆组成,且顶杆位于活塞的底部,且活塞与活塞筒滑动适配。
[0012] 优选的,所述集尘环位于四组放置杆的上方,所述喷淋头位于集尘环的上方。
[0013] 优选的,所述回收管的另一端与回收仓的底部相互连接。
[0014] 优选的,所述加工处理仓底部的边缘处设置有导流环,且导流环的内侧呈倾斜设置。
[0015] 优选的,所述通槽内部两端设置有连接块,且连接块与环形导料板固定连接。
[0016] 优选的,所述驱动电机的外侧设置有电机仓,且电机仓的内侧设置有消音棉。
[0017] 与现有技术相比,本发明提供了用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,具备以下有益效果:1、本发明通过顶板对放置杆上的晶片进行转动时,带动四组驱动板移动,使得驱
动板的斜边对活塞杆向上顶,通过第一单向阀对储胶盒的内部进行加压,使得储胶盒的内部压力增加,会将储胶盒内部的胶水通过喷淋头进行喷出,由于多组驱动板之间呈一定间隔设置,使得活塞杆在活塞筒的内部上下移动,对储胶盒的内部进行间歇加压,使得光刻胶间歇的通过喷淋头喷出,大大减少光刻胶喷出的量。
[0018] 2、本发明利用活塞杆在活塞筒的内部不断的上下移动,可以使得活塞筒内部的介质从第二单向阀端进入,从第一单向阀端挤出,从而使得回收管只能够单向向活塞筒的内部移动,从而将回收仓内部收集的光刻胶进行吸入至活塞筒的内部,再通过第一单向阀挤入至储胶盒的内部,回收利用,大大节省处理成本。
[0019] 3、本发明通过在加工处理仓的内部,顶板的上方设置有集尘环,可以使得集尘环通过两组负压风机将晶片白面附着的灰尘和周围环境中的灰尘进行全部吸入至吸尘管的内部,通过负压风机再排出加工处理仓的内部,保证了半导体晶片在进行加工处理时,不受外界环境的影响,减少灰尘对晶片加工的质量造成影响。

实施方案

[0022] 下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0023] 请参阅图1‑5,本发明提供技术方案:用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置,包括加工处理仓1,加工处理仓1底部的两侧设置有导流管7,两组导流管7的底部设置有回收仓5,加工处理仓1底部的中间位置处设置有驱动电机6,驱动电机6输出端设置有顶板11,顶板11内部的边缘处开设有通槽8,通槽8的内侧设置有环形导料板9,顶板11顶部的边缘处设置有四组驱动板3,加工处理仓1顶部的中间位置处设置有四组放置杆4,加工处理仓1顶部的中间位置处设置有喷涂机构2,加工处理仓1顶部的两端设置有负压风机12,两组负压风机12的输入端设置有吸尘管13,两组吸尘管13的底部设置有集尘环10。
[0024] 作为本实施例的优选方案:喷涂机构2包括储胶盒201、喷淋头202、第一单向阀203、活塞筒204、复位弹簧205、活塞杆206、第二单向阀207和回收管208,储胶盒201位于加工处理仓1顶部的中间位置处,储胶盒201两侧的底部设置有第一单向阀203,两组第一单向阀203相互远离的一侧设置有活塞筒204,活塞筒204内部的顶部设置有复位弹簧205,复位弹簧205的底部设置有活塞杆206,储胶盒201的底部设置有喷淋头202,活塞筒204远离储胶盒201的一侧设置有第二单向阀207,两组第二单向阀207的另一端连接有回收管208,可以对光刻胶均匀喷洒。
[0025] 作为本实施例的优选方案:放置杆4靠近顶板11圆心处四组弧形凹槽,且奥凹槽内部的底部设置有橡胶垫,使得放置杆4与晶片之间接触更加柔和。
[0026] 作为本实施例的优选方案:活塞筒204的底部延伸至加工处理仓1的内部,活塞筒204与第一单向阀203和第二单向阀207内部相互连通,便于对光刻胶的回收。
[0027] 作为本实施例的优选方案:活塞杆206有活塞和顶杆组成,且顶杆位于活塞的底部,且活塞与活塞筒204滑动适配,便于通过活塞筒204对储胶盒201内部加压。
[0028] 作为本实施例的优选方案:集尘环10位于四组放置杆4的上方,喷淋头202位于集尘环10的上方,使得集尘环对灰尘收集更加全面。
[0029] 作为本实施例的优选方案:回收管208的另一端与回收仓5的底部相互连接,便于对回收仓5内部的胶水回收利用。
[0030] 作为本实施例的优选方案:加工处理仓1底部的边缘处设置有导流环,且导流环的内侧呈倾斜设置,防止光刻胶残留在加工处理仓1的内部。
[0031] 作为本实施例的优选方案:通槽8内部两端设置有连接块,且连接块与环形导料板9固定连接,防止顶板11边缘出现脱落。
[0032] 作为本实施例的优选方案:驱动电机6的外侧设置有电机仓,且电机仓的内侧设置有消音棉,减少驱动电机6产生的噪音。
[0033] 实施例1,如图1和图5所示,再打开驱动电机6带动顶板11进行旋转,顶板11会通过放置杆4带动晶片进行旋转,同时四组驱动板3同时进行旋转,驱动板3在旋转时,驱动板3的斜边会与活塞杆206的底部进行接触,此时在驱动板3斜边的作用下,会将活塞杆206向上顶,活塞杆206通过活塞将活塞筒204内部的空气通过第一单向阀203挤入至储胶盒201的内部,对储胶盒201的内部进行加压,此时储胶盒201通过喷淋头202将光刻胶喷淋至晶片的表面,由于多组驱动板3之间呈一定间隔设置,使得活塞杆206在活塞筒204的内部上下移动,对储胶盒201的内部进行间歇加压,使得光刻胶间歇的通过喷淋头202喷出,大大减少光刻胶喷出的量。
[0034] 实施例2,如图1‑4所示,同时在喷淋头202喷淋的同时,旋转的晶片会将表面的光刻胶均匀的涂抹,多余的光刻胶,会被甩离至环形导料板9的表面,通过通槽8滴落至导流管7的内部,再通过回收仓5进行收集,当活塞杆206在复位弹簧205的弹力下会在活塞筒204内部向下移动,此时无法通过第一单向阀203向活塞筒204的内部补充介质,只能够通过第二单向阀207输入介质,此时回收管208只能够单向移动,从而对回收仓5内部收集的光刻胶进行吸附输送至活塞筒204的内部,再通过第一单向阀203输送至储胶盒201内部进行回收利用。
[0035] 工作原理:首先,将待处理的晶片放置在四组放置杆4的上方,打开两组负压风机12进行工作,两组负压风机12通过吸尘管13和集尘环10之间的相互配合,可以对加工处理仓1内部的灰尘以及晶片表面的灰尘进行吸附,可以提高晶片加工时不受外界环境的影响;
再打开驱动电机6带动顶板11进行旋转,顶板11会通过放置杆4带动晶片进行旋
转,同时四组驱动板3同时进行旋转,驱动板3在旋转时,驱动板3的斜边会与活塞杆206的底部进行接触,此时在驱动板3斜边的作用下,会将活塞杆206向上顶,活塞杆206通过活塞将活塞筒204内部的空气通过第一单向阀203挤入至储胶盒201的内部,对储胶盒201的内部进行加压,此时储胶盒201通过喷淋头202将光刻胶喷淋至晶片的表面,由于多组驱动板3之间呈一定间隔设置,使得活塞杆206在活塞筒204的内部上下移动,对储胶盒201的内部进行间歇加压,使得光刻胶间歇的通过喷淋头202喷出,大大减少光刻胶喷出的量;
同时在喷淋头202喷淋的同时,当活塞杆206在活塞筒204内部向下移动时,无法通
过第一单向阀203向活塞筒204的内部补充介质,只能够通过第二单向阀207输入介质,此时回收管208只能够单向移动,从而对回收仓5内部收集的光刻胶进行吸附输送至活塞筒204的内部,再通过第一单向阀203输送至储胶盒201内部进行回收利用。
[0036] 最后应当说明的是,以上内容仅用以说明本发明的技术方案,而非对本发明保护范围的限制,本领域的普通技术人员对本发明的技术方案进行的简单修改或者等同替换,均不脱离本发明技术方案的实质和范围。

附图说明

[0020] 图1为本发明的主视剖视图;图2为本发明的侧视剖视图;
图3为本发明的俯视图;
图4为本发明的顶板俯视图;
图5为本发明的驱动板立体图。
[0021] 图中:1、加工处理仓;2、喷涂机构;201、储胶盒;202、喷淋头;203、第一单向阀;204、活塞筒;205、复位弹簧;206、活塞杆;207、第二单向阀;208、回收管;3、驱动板;4、放置杆;5、回收仓;6、驱动电机;7、导流管;8、通槽;9、环形导料板;10、集尘环;11、顶板;12、负压风机;13、吸尘管。
版权所有:盲专网 ©2023 zlpt.xyz  蜀ICP备2023003576号