[0021] 以下通过实施例对本发明的技术方案作进一步说明。
[0022] 实施例1Dy4CuCd材料的制备
[0023] S1、将稀土金属Dy与过渡金属单质Cu按摩尔比在4.02:1的比例均匀混合成原料，在氩气气氛下，利用电阻丝加热的方法加热至原料全部熔化后冷却获得合金锭，翻转后再次熔化后冷却，重复3次，获得均匀的Dy4Cu合金锭；
[0024] S2、将步骤S1制备出的Dy4Cu合金锭破碎成100微米颗粒后，与粒度在 60微米的Cd粉按1:1.04的摩尔比称量，并混合均匀，得到混合粉末；
[0025] S3、将步骤S2获得的混合粉末放入密封的模具中60MPa的压力下，加热至300℃保温10小时，冷却至室温后，获得致密的合金块；
[0026] S4、将步骤S3制得的合金块去除表面氧化层后，在氩气保护状态下加热到500℃，保温120小时，进行热处理，冷却至室温，获得Dy4CuCd材料。
[0027] 获得的Dy4CuCd材料在0～5T的磁场变化下，磁熵变值为17.6J/kg K。
[0028] 实施例2Tm4NiCd材料的制备
[0029] S1、将稀土金属Tm与过渡金属单质Ni按摩尔比在4.03:1的比例均匀混合成原料，在氩气气氛下，利用电阻丝加热的方法加热至原料全部熔化后冷却获得合金锭，翻转后再次熔化后冷却，重复5次，获得均匀的Tm4Ni合金锭；
[0030] S2、将步骤S1制备出的Tm4Ni合金锭破碎成150微米颗粒后，与粒度在 80微米的Cd粉按1:1.05的摩尔比称量，并混合均匀，得到混合粉末；
[0031] S3、将步骤S2获得的混合粉末放入密封的模具中100MPa的压力下，加热至330℃保温24小时，冷却至室温后，获得致密的合金块；
[0032] S4、将步骤S3制得的合金块去除表面氧化层后，在氩气保护状态下加热到600℃，保温100小时，进行热处理，冷却至室温，获得Tm4NiCd材料。
[0033] 获得的Tm4NiCd材料在0～5T的磁场变化下，磁熵变值为18.4J/kg K。
[0034] 实施例3Ho3Tm1NiCd材料的制备
[0035] S1、将稀土金属Ho和Tm与过渡金属单质Ni按摩尔比在3.02:1.02:1的比例均匀混合成原料，在氩气气氛下，利用电阻丝加热的方法加热至原料全部熔化后冷却获得合金锭，翻转后再次熔化后冷却，重复5次，获得均匀的Ho3Tm1Ni合金锭；
[0036] S2、将步骤S1制备出的Ho3Tm1Ni合金锭破碎成80微米颗粒后，与粒度在80微米的Cd粉按1:1.06的摩尔比称量，并混合均匀，得到混合粉末；
[0037] S3、将步骤S2获得的混合粉末放入密封的模具中120MPa的压力下，加热至320℃保温24小时，冷却至室温后，获得致密的合金块；
[0038] S4、将步骤S3制得的合金块去除表面氧化层后，在氩气保护状态下加热到550℃，保温120小时，进行热处理，冷却至室温，获得Ho3Tm1NiCd材料。
[0039] 获得的Ho3Tm1NiCd材料在0～5T的磁场变化下，磁熵变值为21.4J/kg K。
[0040] 实施例4Dy2Ho2CuCd材料的制备
[0041] S1、将稀土金属Dy和Ho与过渡金属单质Cu按摩尔比在2.02:2.02:1的比例均匀混合成原料，在氩气气氛下，利用电阻丝加热的方法加热至原料全部熔化后冷却获得合金锭，翻转后再次熔化后冷却，重复4次，获得均匀的 Dy2Ho2Cu合金锭；
[0042] S2、将步骤S1制备出的Dy2Ho2Cu合金锭破碎成160微米颗粒后，与粒度在80微米的Cd粉按1:1.05的摩尔比称量，并混合均匀，得到混合粉末；
[0043] S3、将步骤S2获得的混合粉末放入密封的模具中50MPa的压力下，加热至320℃保温10小时，冷却至室温后，获得致密的合金块；
[0044] S4、将步骤S3制得的合金块去除表面氧化层后，在氩气保护状态下加热到450℃，保温50小时，进行热处理，冷却至室温，获得Dy2Ho2CuCd材料。
[0045] 获得的Dy2Ho2CuCd材料在0～5T的磁场变化下，磁熵变值为19.7J/kg K。
[0046] 实施例5Dy1Tm3Ni0.5Cu0.5Cd材料的制备
[0047] S1、将稀土金属Dy和Tm与过渡金属单质Ni和Cu按摩尔比在 1.01:3.03:0.5:0.5的比例均匀混合成原料，在氩气气氛下，利用电阻丝加热的方法加热至原料全部熔化后冷却获得合金锭，翻转后再次熔化后冷却，重复4 次，获得均匀的Dy1Tm3Ni0.5Cu0.5合金锭；
[0048] S2、将步骤S1制备出的Dy1Tm3Ni0.5Cu0.5合金锭破碎成120微米颗粒后，与粒度在80微米的Cd粉按1:1.07的摩尔比称量，并混合均匀，得到混合粉末；
[0049] S3、将步骤S2获得的混合粉末放入密封的模具中120MPa的压力下，加热至300℃保温24小时，冷却至室温后，获得致密的合金块；
[0050] S4、将步骤S3制得的合金块去除表面氧化层后，在氩气保护状态下加热到600℃，保温100小时，进行热处理，冷却至室温，获得Dy1Tm3Ni0.5Cu0.5Cd 材料。
[0051] 获得的Dy1Tm3Ni0.5Cu0.5Cd材料在0～5T的磁场变化下，磁熵变值为 24.2J/kg K。
[0052] 实施例6Ho2Tm2Ni0.4Cu0.6Cd材料的制备
[0053] S1、将稀土金属Ho和Tm与过渡金属单质Ni和Cu按摩尔比在 2.03:2.02:0.4:0.6的比例均匀混合成原料，在氩气气氛下，利用电阻丝加热的方法加热至原料全部熔化后冷却获得合金锭，翻转后再次熔化后冷却，重复5 次，获得均匀的Ho2Tm2Ni0.4Cu0.6合金锭；
[0054] S2、将步骤S1制备出的Ho2Tm2Ni0.4Cu0.6合金锭破碎成100微米颗粒后，与粒度在60微米的Cd粉按1:1.07的摩尔比称量，并混合均匀，得到混合粉末；
[0055] S3、将步骤S2获得的混合粉末放入密封的模具中80MPa的压力下，加热至320℃保温20小时，冷却至室温后，获得致密的合金块；
[0056] S4、将步骤S3制得的合金块去除表面氧化层后，在氩气保护状态下加热到600℃，保温80小时，进行热处理，冷却至室温，获得Ho2Tm2Ni0.4Cu0.6Cd 材料。
[0057] 获得的Ho2Tm2Ni0.4Cu0.6Cd材料在0～5T的磁场变化下，磁熵变值为22.8J/kg K。
[0058] 因此，本发明采用上述RE4TCd磁制冷材料及其制备方法，具有较大的磁熵变，拓宽低温磁制冷材料的应用。
[0059] 最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。
