[0032] 下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细描述。
[0033] 实施例1：
[0034] (1)先用循环伏安法对碳布在H2SO4溶液中处理，电压扫描范围‑1.2V‑1.2V，扫描速率0.1V/S。再将处理后的碳布在含1mM ZnCl2的电解液中采用两步恒压电沉积法制备ZnO纳米棒阵列模板，沉积温度80℃，第一步沉积电位‑1.3V，时间0.5S，第二步电位‑1.0V，时间3600S。
[0035] (2)将上述沉积有ZnO纳米棒阵列模板的碳布在含有10mM HAuCl4的H3BO3溶液中施加‑0.2V电压，在室温下进行电沉积30s。
[0036] (3)将上述碳纸在含0.5M Ni(NO3)2的H3BO3溶液中施加‑0.9V的电压下沉积60s。
[0037] (4)将上述材料在350℃煅烧2h。最后将材料放入6M NaOH溶液中分3次浸泡90min，然后用去离子水中分3次浸泡30min，除ZnO模板可得到具有核壳结构的柔性NiO/Au纳米管阵列电极。图1为根据本实施例制备的NiO/Au纳米管的SEM图，从图上可以明显看出制备的材料为管状结构，并且管径尺寸小于1μm。图2为根据本实施例制备的NiO/Au纳米管和纯NiO纳米管的XRD对比图，衍射峰在2＝37.3°，43.3°，62.9°，75.5°和79.4°，分别对应立方结构NiO的(111)，(200)，(220)，(311)和(222)晶面的衍射峰(JCPDS No.73‑1523)。同时观察到在2为38.2°，44.4°，64.6°和77.6°对应于立方相Au的(111),(200),(220),(311)和(222)晶面的衍射峰(JCPDS No.04‑0784)，进一步说明所制备的复合纳米管为NiO/Au纳米管。
[0038] 实施例2：
[0039] (1)先用循环伏安法对碳布在H2SO4溶液中处理，电压扫描范围‑1.2V‑1.2V，扫描速率0.1V/S。再将处理后的碳布在含2mM ZnSO4的电解液中采用两步恒压电沉积法制备ZnO纳米棒阵列模板，沉积温度70℃，第一步沉积电位‑1.4V，时间3S，第二步电位‑0.6V，时间4000S。
[0040] (2)将上述沉积有ZnO纳米棒阵列模板的碳布在含有5mM HAuCl4的H3BO3溶液中施加‑0.1V电压，在室温下进行电沉积50s。
[0041] (3)将上述碳纸在含0.3M NiCl2的H3BO3溶液中施加‑1.1V的电压下沉积20s。
[0042] (4)将上述材料在300℃煅烧4h。最后将材料放入5M NaOH溶液中分3次浸泡120min，然后用去离子水中分3次浸泡50min，除ZnO模板可得到具有核壳结构的柔性NiO/Au纳米管阵列电极。
[0043] 实施例3：
[0044] (1)先用循环伏安法对碳布在H2SO4溶液中处理，电压扫描范围‑1.2V‑1.2V，扫描速率0.1V/S。再将处理后的碳布在含3mM Zn(NO3)2的电解液中采用两步恒压电沉积法制备ZnO纳米棒阵列模板，沉积温度100℃，第一步沉积电位‑1.2V，时间0.3S，第二步电位‑1.1V，时间1000S。
[0045] (2)将上述沉积有ZnO纳米棒阵列模板的碳布在含有20mM HAuCl4的H3BO3溶液中施加‑0.4V电压，在室温下进行电沉积10s。
[0046] (3)将上述碳纸在含0.8M NiSO4的H3BO3溶液中施加‑0.8V的电压下沉积120s。
[0047] (4)将上述材料在500℃煅烧0.5h。最后将材料放入7M NaOH溶液中分3次浸泡80min，然后用去离子水中分3次浸泡30min，除ZnO模板可得到具有核壳结构的柔性NiO/Au纳米管阵列电极。
[0048] 实施例4：
[0049] (1)先用循环伏安法对碳布在H2SO4溶液中处理，电压扫描范围‑1.2V‑1.2V，扫描速率0.1V/S。再将处理后的碳布在含0.5mM ZnCl2的电解液中采用两步恒压电沉积法制备ZnO纳米棒阵列模板，沉积温度90℃，第一步沉积电位‑1.3V，时间1S，第二步电位‑0.9V，时间2100S。
[0050] (2)将上述沉积有ZnO纳米棒阵列模板的碳布在含有30mM HAuCl4的H3BO3溶液中施加‑0.2V电压，在室温下进行电沉积40s。
[0051] (3)将上述碳纸在含0.6M NiCl2的H3BO3溶液中施加‑0.9V的电压下沉积100s。
[0052] (4)将上述材料在400℃煅烧2h。最后将材料放入5M NaOH溶液中分3次浸泡100min，然后用去离子水中分3次浸泡40min，除ZnO模板可得到具有核壳结构的柔性NiO/Au纳米管阵列电极。
[0053] 实施例5：
[0054] (1)先用循环伏安法对碳布在H2SO4溶液中处理，电压扫描范围‑1.2V‑1.2V，扫描速率0.1V/S。再将处理后的碳布在含2mM Zn(NO3)2的电解液中采用两步恒压电沉积法制备ZnO纳米棒阵列模板，沉积温度90℃，第一步沉积电位‑1.3V，时间2S，第二步电位‑1.0V，时间2000S。
[0055] (2)将上述沉积有ZnO纳米棒阵列模板的碳布在含有15mM HAuCl4的H3BO3溶液中施加‑0.2V电压，在室温下进行电沉积40s
[0056] (3)将上述碳纸在含0.4M Ni(NO3)2的H3BO3溶液中施加‑0.9V的电压下沉积80s。
[0057] (4)将上述材料在450℃煅烧3.5h。最后将材料放入7M NaOH溶液中分3次浸泡90min，然后用去离子水中分3次浸泡30min，除ZnO模板可得到具有核壳结构的柔性NiO/Au纳米管阵列电极。
[0058] 应用实施例：
[0059] 将实施例1获得的NiO/Au纳米管阵列电极作为工作电极，Pt片电极作为对电极，银氯化银电极作为参比电极，在NaOH电解质溶液中测试有和没有葡萄糖存在的条件下电极的循环伏安曲线(图3)。作为对比，同时也测定了NiO纳米管的循环伏安曲线。从图3可以看出，不论是否存在葡萄糖，NiO/Au纳米管阵列电极比NiO纳米管具有更好的电化学响应。并且，加入葡萄糖后，NiO/Au纳米管阵列电极的氧化电流明显增大，说明其具有较好的葡萄糖氧化性能，适合用作葡萄糖传感电极。
[0060] 灵敏度和检测线性范围测定：
[0061] 将实施例1获得的NiO/Au纳米管阵列电极作为工作电极，Pt片电极作为对电极，银氯化银电极作为参比电极，在NaOH电解质溶液中测试在0.55V的电压条件下持续添加一定量葡萄糖测定的I‑T曲线(图4)。作为对比，同时也测定了NiO纳米管的I‑T曲线。NiO/Au纳米管阵列电极的电流信号明显随着葡萄糖的加入成比例的升高，并且其电流响应也显著高于NiO纳米管对葡萄糖的电流响应。图5为两电极相对应的葡萄糖浓度和电流响应的线性拟合‑1曲线，根据拟合斜率可以计算出NiO/Au纳米管阵列电极的灵敏度为5536.225A·mM ·cm‑2 ‑1 ‑2
，线性范围在1μM‑6mM之间。而NiO纳米管电极的灵敏度只有1614.059A·mM ·cm ，明显低于NiO/Au纳米管阵列电极。根据信噪比为3，算得NiO/Au纳米管阵列电极的检测限约为
0.25μM。因此NiO/Au纳米管阵列具有检测限低、灵敏度高、检测范围广等优点，是构建非酶葡萄糖传感器的理想电极材料。
[0062] 抗干扰测试：
[0063] 将实施例1获得的NiO/Au纳米管阵列电极作为工作电极，Pt片电极作为对电极，银氯化银电极作为参比电极，测试其对其他物质的抗干扰性能。图6为NiO/Au纳米管阵列电极在施加0.55V电压下，在0.1M NaOH溶液中连续添加0.5M葡萄糖和0.1M其他干扰物质(Ur、谷氨酸、赖氨酸、Cl‑、L‑亮氨酸、L‑缬氨酸和脯氨酸)测定的I‑T曲线。从图上可以看出，上述干扰物质对测试葡萄糖的信号基本没有影响，说明NiO/Au纳米管阵列电极具有良好的抗干扰性能。
[0064] 血清样品测试：
[0065] 将实施例1获得的NiO/Au纳米管阵列电极作为工作电极，Pt片电极作为对电极，银氯化银电极作为参比电极，测试其对真实血清样品的检测效果。图7为NiO/Au纳米管阵列电极在0.55V电位下，通过向0.1M NaOH溶液中连续交替添加葡萄糖和血清样品测得的I‑T曲线。从图上可以看出，NiO/Au纳米管阵列电极对实际血清样品中的葡萄糖也有良好的电流响应。另外，根据NiO/Au纳米管阵列电极测量的I‑T曲线可获得血清样品中葡萄糖浓度，并计算回收率。该电极测定血清中葡萄糖浓度的回收率在100.9％‑106.9％的可接受范围内。由此可得，NiO/Au纳米管阵列电极在实际检测葡萄糖方面具有很高的可行性。
[0066] 上述实施例并非是对于本发明的限制，本发明并非仅限于上述实施例，只要符合本发明要求，均属于本发明的保护范围。
