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一种多晶硅熔丝结构的制造方法
一种多晶硅熔丝结构的制造方法
发明专利
有效专利
一种半导体器件
申请日:
2016-12-02
当前状态:
授权
国际分类号:
H01L23/525
发明人:
不公告发明人
申请人:
乐清市风杰电子科技有限公司
可编程多晶硅熔丝结构的制造方法
可编程多晶硅熔丝结构的制造方法
发明专利
实质审查
申请日:
2016-12-02
当前状态:
实质审查
国际分类号:
H01L21/768
发明人:
不公告发明人
申请人:
乐清市风杰电子科技有限公司
一种可编程熔丝结构
一种可编程熔丝结构
发明专利
有效专利
申请日:
2016-12-02
当前状态:
授权
国际分类号:
H01L23/525
发明人:
王浩
申请人:
南通壹选工业设计有限公司
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