实施方案
[0021] 参见图1和2，本发明提供了一种可编程熔丝结构，包括：衬底1，一般而言，该衬底1为硅衬底，当然也可能是其他半导体衬底；在所述衬底1上表面的浅沟槽隔离结构2，所述浅沟槽隔离结构2具有氧化物隔离材料，且所述浅沟槽隔离结构2的顶面高于所述衬底1的上表面；位于浅沟槽隔离结构2中的一可编程熔丝，所述熔丝结构为多晶硅熔丝结构；所述可编程熔丝包括两第一电极3a和4a、分别连接两第一电极3a和4a的两个第一垂直部分6a和7a以及连接两个第一垂直部分6a和7a的第一水平部分5a；其中，两第一电极3a和4a位于所述浅沟槽隔离结构2的上表面的两端，两个第一垂直部分6a和7a沿着所述浅沟槽隔离结构2的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分5a被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构2中具有第一深度。
[0022] 还包括另一熔丝结构，所述述另一可编程熔丝包括两第二电极3b和4b、分别连接两第二电极3b和4b的两个第二垂直部分6b和7b以及连接两个第二垂直部分6b和7b的第二水平部分5b；其中，两第二电极3b和4b位于所述浅沟槽隔离结构2的上表面的另一两端，两个第二垂直部分6b和7b沿着所述浅沟槽隔离结构2的深度方向具有第二长度，所述第二水平部分5b被浅沟槽隔离结构2的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构2中具有第二深度。其中，所述第二深度大于所述第一深度，所述第二长度大于所述第一长度，所述第二水平部分和所述第一水平部分呈一非零的夹角。所述两第一和第二电极的宽度大于所述第一和第二垂直部分和所述第一和第二水平部分的宽度。所述第一和第二垂直部分和所述第一和第二水平部分的宽度相同。
[0023] 根据本发明的实施例，根据本发明的实施例，还包括在浅沟槽隔离结构中的多个其他熔丝结构，所述多个其他熔丝结构与所述熔丝结构相同，与之不同的是，水平部分的深度不同，具有不同在沟槽隔离结构中的深度。
[0024] 其具体的制造方法可参见图3-8，包括：
[0025] （1）参见图3，提供一衬底1，并在该衬底1上表面形成浅沟槽隔离沟槽；
[0026] （2）参见图4，在所述浅沟槽隔离沟槽中形成浅沟槽隔离结构9，所述浅沟槽隔离结构9的顶面高于所述衬底1的上表面；
[0027] （3）参见图5，在所述浅沟槽隔离结构9中形成一凹槽10，所述凹槽10的深度、宽度和长度均小于所述浅沟槽隔离结构；
[0028] （4）参见图6，在所述浅沟槽隔离结9构的上表面以及凹槽10中形成一可编程熔丝，所述熔丝结构为多晶硅熔丝结构；所述可编程熔丝包括两第一电极3a和4a、分别连接两第一电极3a和4a的两个第一垂直部分6a和7a以及连接两个第一垂直部分6a和7a的第一水平部分5a；其中，两第一电极3a和4a位于所述浅沟槽隔离结构2的上表面的两端，两个第一垂直部分6a和7a沿着所述浅沟槽隔离结构2的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分5a被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构2中具有第一深度；
[0029] （5）参见图7，在所述凹槽10中沉积所述隔离材料形成一隔离材料,11，所述隔离材料层11至少覆盖所述第一水平部分5a。具体的，形成所述隔离材料层11包括覆盖所述第一水平部分5a以及所述两个第一垂直部分6a和7a的一部分，即不完全填充所述凹槽10。
[0030] （6）参见图7，所述述另一可编程熔丝包括两第二电极3b和4b、分别连接两第二电极3b和4b的两个第二垂直部分6b和7b以及连接两个第二垂直部分6b和7b的第二水平部分5b；其中，两第二电极3b和4b位于所述浅沟槽隔离结构2的上表面的另一两端，两个第二垂直部分6b和7b沿着所述浅沟槽隔离结构2的深度方向具有第二长度，所述第二水平部分5b被浅沟槽隔离结构2的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构2中具有第二深度。
[0031] （7）参见图8，在所述凹槽10中进一步沉积所述隔离结构以形成隔离材料层12，以完全填充满所述凹槽，最终形成浅沟槽隔离结构2和两熔丝结构。
[0032] 最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
