盲专网 - 一种可编程熔丝结构

专利申请流程有哪些步骤？

申请

申请号：指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。

申请日：提出专利申请之日。

2016-12-02

申请公布

申请公布指发明专利申请经初步审查合格后，自申请日（或优先权日）起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。

申请公布号：专利申请过程中，在尚未取得专利授权之前，国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。

申请公布日：申请公开的日期，即在专利公报上予以公开的日期。

2017-04-19

授权

授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由，授予发明专利权；或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由，授予实用新型专利权或外观设计专利权。

2019-02-05

预估到期

发明专利权的期限为二十年，实用新型专利权期限为十年，外观设计专利权期限为十五年，均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。

2036-12-02

基本信息

有效性	有效专利	专利类型	发明专利
申请号	CN201611096971.6	申请日	2016-12-02
公开/公告号	CN106531718B	公开/公告日	2019-02-05
授权日	2019-02-05	预估到期日	2036-12-02
申请年	2016年	公开/公告年	2019年
缴费截止日
分类号	H01L23/525	主分类号	H01L23/525
是否联合申请	独立申请	文献类型号	B
独权数量	1	从权数量	6
权利要求数量	7	非专利引证数量	0
引用专利数量	4	被引证专利数量	0
非专利引证
引用专利	CN1976035A、CN102130092A、CN103794549A、US2014/0239439A1	被引证专利
专利权维持	6	专利申请国编码	CN
专利事件	转让	事务标签	公开、实质审查、申请权转移、授权、权利转移

申请人信息

申请人	南通壹选工业设计有限公司	第一申请人	南通壹选工业设计有限公司
专利权人	南通壹选工业设计有限公司	当前专利权人	博兴县星烨物流有限公司
发明人	王浩	第一发明人	王浩
地址	江苏省南通市海安市城东镇晓星大道8号	邮编	226600
申请人数量	1	发明人数量	1
申请人所在省	江苏省	申请人所在市	江苏省南通市

代理人信息

代理机构

专利代理机构是经省专利管理局审核，国家知识产权局批准设立，可以接受委托人的委托，在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。

北京集智东方知识产权代理有限公司

代理人

专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务，取得一定资格的人。

张红、程立民

摘要

本发明提供了一种可编程熔丝结构，包括：衬底；在所述衬底上表面的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；位于浅沟槽隔离结构中的一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；其中，两第一电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的两端，两个第一垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第一深度。

摘要附图
说明书附图：图1
说明书附图：图2

法律状态

序号	法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1	2023-01-03	专利权的转移	登记生效日: 2022.12.22 专利权人由南通壹选工业设计有限公司变更为博兴县星烨物流有限公司地址由226600 江苏省南通市海安市城东镇晓星大道8号变更为256599 山东省滨州市博兴县经济开发区京博工业园闫高路X030与博华路交叉口向南600米路东
2	2019-02-05	授权
3	2019-01-15	专利申请权的转移	登记生效日: 2018.12.26 申请人由南通沃特光电科技有限公司变更为南通壹选工业设计有限公司地址由226300 江苏省南通市南通高新区新世纪大道266号科技之窗变更为226600 江苏省南通市海安市城东镇晓星大道8号
4	2017-04-19	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 23/525 专利申请号: 201611096971.6 申请日: 2016.12.02
5	2017-03-22	公开

权利要求

权利要求书是申请文件最核心的部分，是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。

1.一种可编程熔丝结构，包括：
衬底；
在所述衬底上表面的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；
位于浅沟槽隔离结构中的一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；
其中，两第一电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的两端，两个第一垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第一深度；所述浅沟槽隔离结构中还包括另一可编程熔丝结构。

2.根据权利要求1所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述可编程熔丝结构为多晶硅熔丝结构。

3.根据权利要求1所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述两第一电极的宽度大于所述第一垂直部分和所述第一水平部分的宽度。

4.根据权利要求3所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述第一垂直部分和所述第一水平部分的宽度相同。

5.根据权利要求1所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所浅沟槽隔离结构的隔离材料为氧化硅。

6.根据权利要求1所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述另一可编程熔丝包括两第二电极、分别连接两第二电极的两个第二垂直部分以及连接两个第二垂直部分的第二水平部分；其中，两第二电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的另一两端，两个第二垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第二长度，所述第二水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第二深度。

7.根据权利要求6所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述第二水平部分和所述第一水平部分呈一非零的夹角。

说明书

技术领域

[0001] 本发明涉及一种半导体器件，尤指涉及一种可编程熔丝结构。

背景技术

[0002] 常规的多晶硅熔丝的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有隔离结构；在所述衬底表面热氧化一层氧化硅；在所述氧化硅及隔离结构表面沉积多晶硅，对所述多晶硅进行掺杂；刻蚀所述多晶硅形成两头宽中间窄的熔丝结构.。该方法形成的熔丝结构，首先，不利于控制熔断的具体位置，可能会导致在衬底上的熔断，由于过热会影响衬底上其他器件的正常工作；其次，熔丝占用的衬底表面积较大，不利于高密度化的器件集成，且多个平行的熔丝间的电容电感较大，容易互相串扰。

发明内容

[0003] 基于解决上述问题，本发明提供了一种可编程熔丝结构，包括：

[0004] 衬底；

[0005] 在所述衬底上表面的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；

[0006] 位于浅沟槽隔离结构中的一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；

[0007] 其中，两第一电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的两端，两个第一垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第一深度。

[0008] 根据本发明的实施例，所述可编程熔丝结构为多晶硅熔丝结构。

[0009] 根据本发明的实施例，所述两电极的宽度大于所述垂直部分和所述水平部分的宽度。

[0010] 根据本发明的实施例，所述垂直部分和所述水平部分的宽度相同。

[0011] 根据本发明的实施例，所浅沟槽隔离结构的隔离材料为氧化硅。

[0012] 根据本发明的实施例，还包括在所述浅沟槽隔离结构中的另一可编程熔丝结构。

[0013] 根据本发明的实施例，所述另一可编程熔丝包括两第二电极、分别连接两第二电极的两个第二垂直部分以及连接两个第二垂直部分的第二水平部分；其中，两第二电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的另一两端，两个第二垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第二长度，所述第二水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第二深度。

[0014] 根据本发明的实施例，所述第二水平部分和所述第一水平部分呈一非零的夹角。

[0015] 本发明的技术方案，利用浅沟槽隔离结构中设置熔丝结构，节省衬底表面的占用面积，且利用浅沟槽隔离结构的隔离结构进行多个熔丝结构的互相隔离，简单易行；此外，多个熔丝结构在投影上具有一定的夹角，不会平行，干扰较小，并且，利用垂直部分的多晶硅的厚度较薄，电阻较大的特性，控制在此进行电熔断，实现精确控制熔断位置，避免对衬底的高温影响。

实施方案

[0018] 参见图1和2，本发明提供了一种可编程熔丝结构，包括：衬底1，一般而言，该衬底1为硅衬底，当然也可能是其他半导体衬底；在所述衬底1上表面的浅沟槽隔离结构2，所述浅沟槽隔离结构2具有氧化物隔离材料，且所述浅沟槽隔离结构2的顶面高于所述衬底1的上表面；位于浅沟槽隔离结构2中的一可编程熔丝，所述熔丝结构为多晶硅熔丝结构；所述可编程熔丝包括两第一电极3a和4a、分别连接两第一电极3a和4a的两个第一垂直部分6a和7a以及连接两个第一垂直部分6a和7a的第一水平部分5a；其中，两第一电极3a和4a位于所述浅沟槽隔离结构2的上表面的两端，两个第一垂直部分6a和7a沿着所述浅沟槽隔离结构2的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分5a被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构2中具有第一深度。

[0019] 还包括另一熔丝结构，所述述另一可编程熔丝包括两第二电极3b和4b、分别连接两第二电极3b和4b的两个第二垂直部分6b和7b以及连接两个第二垂直部分6b和7b的第二水平部分5b；其中，两第二电极3b和4b位于所述浅沟槽隔离结构2的上表面的另一两端，两个第二垂直部分6b和7b沿着所述浅沟槽隔离结构2的深度方向具有第二长度，所述第二水平部分5b被浅沟槽隔离结构2的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构2中具有第二深度。其中，所述第二水平部分和所述第一水平部分呈一非零的夹角，优选为90度。所述两第一和第二电极的宽度大于所述第一和第二垂直部分和所述第一和第二水平部分的宽度。所述第一和第二垂直部分和所述第一和第二水平部分的宽度相同。

[0020] 根据本发明的实施例，根据本发明的实施例，还包括在浅沟槽隔离结构中的多个其他熔丝结构，所述多个其他熔丝结构与所述熔丝结构相同，与之不同的是，水平部分的深度不同，具有不同在沟槽隔离结构中的深度。

[0021] 最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

附图说明

[0016] 图1为本发明可编程熔丝结构的剖面图；

[0017] 图2为本发明可编程熔丝结构的俯视图。

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技术领域

背景技术

发明内容

实施方案

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