[0003] 本发明的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优点。
[0004] 为了实现根据本发明的这些目的和其它优点，提供了一种HMX大单晶的快速制备方法，包括以下步骤：
[0005] 步骤一、将普通HMX晶体溶解于DMSO中形成高浓度结晶溶液；
[0006] 步骤二、将高浓度结晶溶液在0℃～30℃下静置12h～24h；
[0007] 步骤三、向静置后的高浓度结晶溶液中加入有机小分子不良溶剂，得到待结晶溶液；
[0008] 步骤四、在0℃～30℃下，将待结晶溶液静置，溶剂自然挥发，结晶3d～20d，然后过滤、洗涤、干燥，得到单质炸药HMX大尺寸单晶晶体。
[0009] 优选的是，所述步骤一中，高浓度结晶溶液中HMX的质量分数为20％～41％。
[0010] 优选的是，所述有机小分子不良溶剂为乙醇、异丙醇、正丙醇、正丁醇、正戊醇或乙酸乙酯中的一种或几种的混合。
[0011] 优选的是，所述步骤三中，待结晶溶液中有机小分子不良溶剂的质量分数为1～20％。
[0012] 优选的是，所述步骤三和步骤四之间还包括以下过程：将待结晶溶液进行超声处理10～15min。
[0013] 优选的是，所述超声的频率为50～120kHz，超声波功率密度为2000～3000W/L，超声采用间歇辐照，间歇辐照时的间歇时间为20～30s/10～15s。
[0014] 优选的是，所述步骤四中，在结晶3d～20d的中间过程中，将待结晶溶液置于脉冲磁场中，调节脉冲磁场强度、频率和温度，对待结晶溶液进行处理10～15min。
[0015] 优选的是，所述脉冲磁场强度为0.5～3.5特斯拉，频率为2～5次/分钟，温度为0℃～30℃。
[0016] 本发明至少包括以下有益效果：本发明通过在HMX高浓度结晶溶液中添加有机小分子不良溶剂的方法，利用溶剂自然挥发和晶体生长的自然趋动力，经过结晶制备了粒径为2mm～5mm的大尺寸多面体β-HMX单晶晶体，从而满足新的研究和应用需求，此外，采用超声和脉冲磁场对待结晶溶液进行处理，可以得到粒径分布更均匀，产率更高的大尺寸多面体β-HMX单晶晶体。此外，本发明制备β-HMX大尺寸单晶体的方法工艺流程简单，条件温和，过程安全，适宜工业化生产。
[0017] 本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。附图说明：
[0018] 图1为本发明实施例1制备的β-HMX晶体的产物照片；
[0019] 图2为本发明实施例2制备的β-HMX晶体的产物照片；
[0020] 图3为本发明实施例3制备的β-HMX晶体的产物照片；
[0021] 图4为本发明实施例4制备的β-HMX晶体的产物照片；
[0022] 图5为本发明实施例5制备的β-HMX晶体的产物照片；
[0023] 图6为本发明实施例6制备的β-HMX晶体的产物照片；
[0024] 图7为实施例1制备的β-HMX晶体和原料普通HMX晶体的红外光谱图；
[0025] 图8为实施例1制备的β-HMX晶体的热分析(DSC)曲线；
[0026] 图9为原料普通HMX晶体的热分析(DSC)曲线；
[0027] 图10为原料普通HMX晶体的显微镜图。具体实施方式：
[0028] 下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
[0029] 应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不配出一个或多个其它元件或其组合的存在或添加；且采用的普通HMX晶体并不限于实施例中给出的工业奥克托今。
[0030] 实施例1：
[0031] 一种HMX大单晶的快速制备方法，包括以下步骤：
[0032] 步骤一、将45.00g普通HMX晶体溶于100g分析纯DMSO中形成高浓度结晶溶液；采用的普通HMX晶体为工业奥克托今，粉状，β-晶型，形貌不规则、多缺陷，粒径分布为10～100μm；图10示出了普通HMX晶体的显微镜图(放大倍数500倍)；
[0033] 步骤二、将高浓度结晶溶液转移入结晶器中，置于通风橱内，在21℃～30℃下静置24h；
[0034] 步骤三、向静置后的高浓度结晶溶液中缓慢均匀加入15.0mL无水乙醇，得到待结晶溶液；
[0035] 步骤四、在21℃～30℃下，将待结晶溶液静置，溶剂自然挥发，结晶15d，然后过滤、去离子水洗涤、真空干燥，得到42.79g颗粒尺寸分布于2mm～5mm的β-HMX大尺寸多面体单晶晶体，产率95.09％；图1示出了实施例1的产物，晶体为透明或半透明多面体，由于前期产生晶核较多或结晶初期摇晃结晶液致使部分晶体粘连共生，导致部分晶体不透明；颗粒尺寸分布于2mm～5mm，为β-HMX晶体；图7为实施例1制备的β-HMX晶体和原料普通HMX晶体的红外光谱图；从图中可以看出，制备的单晶HMX的红外光谱图与原料β-HMX的红外光谱图完全重合，吸收峰位置完全一致，证明二者为同一种物质；图8实施例1制备的β-HMX晶体和原料普通HMX晶体的热分析(DSC)曲线。由图8可看出，制备的单晶HMX的熔融吸热峰消失，分解起始温度为179.6℃，分解峰温为282.7℃，分解起始温度和分解峰温比原料HMX略有提前，分解峰宽比原料HMX的略窄，说明单晶HMX的热分解比原料HMX更快速。
[0036] 实施例2：
[0037] 一种HMX大单晶的快速制备方法，包括以下步骤：
[0038] 步骤一、将4.34g普通HMX晶体溶于15.66g分析纯DMSO中形成高浓度结晶溶液；采用的普通HMX晶体为工业奥克托今，粉状，β-晶型，形貌不规则、多缺陷，粒径分布为10～100μm；
[0039] 步骤二、将高浓度结晶溶液转移入结晶器中，置于通风橱内，在21℃～28℃下静置24h；
[0040] 步骤三、向静置后的高浓度结晶溶液中缓慢均匀加入0.35g正戊醇，得到待结晶溶液；
[0041] 步骤四、在21℃～28℃下，将待结晶溶液静置，溶剂自然挥发，结晶5d，然后过滤、去离子水洗涤、真空干燥，得到4.10g颗粒尺寸分布于2mm～5mm的β-HMX大尺寸多面体单晶晶体，产率94.47％。图2示出了实施例2的产物，晶体为透明宝石状多面体，含少量共生晶体，颗粒尺寸分布于2mm～5mm，为β-HMX晶体。
[0042] 实施例3：
[0043] 一种HMX大单晶的快速制备方法，包括以下步骤：
[0044] 步骤一、将4.34g普通HMX晶体溶于15.66g分析纯DMSO中形成高浓度结晶溶液；采用的普通HMX晶体为工业奥克托今，粉状，β-晶型，形貌不规则、多缺陷，粒径分布为10～100μm；
[0045] 步骤二、将高浓度结晶溶液转移入结晶器中，置于通风橱内，在21℃～28℃下静置24h；
[0046] 步骤三、向静置后的高浓度结晶溶液中缓慢均匀加入0.45g异丙醇，得到待结晶溶液；
[0047] 步骤四、在21℃～28℃下，将待结晶溶液静置，溶剂自然挥发，结晶5d，然后过滤、去离子水洗涤、真空干燥，得到3.96g颗粒尺寸分布于2mm～3mm的β-HMX大尺寸多面体单晶晶体，晶体为透明、宝石状多面体，含少量有菱形晶面的晶体；产率91.24％。图3是示出了实施例3的产物，晶体为透明宝石状多面体，含少量有菱形晶面的晶体，为β-HMX晶体。
[0048] 实施例4：
[0049] 一种HMX大单晶的快速制备方法，包括以下步骤：
[0050] 步骤一、将4.34g普通HMX晶体溶于15.66g分析纯DMSO中形成高浓度结晶溶液；采用的普通HMX晶体为工业奥克托今，粉状，β-晶型，形貌不规则、多缺陷，粒径分布为10～100μm；
[0051] 步骤二、将高浓度结晶溶液转移入结晶器中，置于通风橱内，在21℃～28℃下静置24h；
[0052] 步骤三、向静置后的高浓度结晶溶液中缓慢均匀加入0.74g无水乙醇，得到待结晶溶液；
[0053] 步骤四、在21℃～28℃下，将待结晶溶液静置，溶剂自然挥发，结晶5d，然后过滤、去离子水洗涤、真空干燥，得到4.19g颗粒尺寸分布于2mm～5mm的β-HMX大尺寸多面体单晶晶体，晶体为透明宝石状多面体，趋向球形，含少量共生晶体；产率96.54％。图4示出了实施例4的产物，晶体为透明宝石状多面体，趋向球形，含少量共生晶体，颗粒尺寸分布于2mm～5mm，为β-HMX晶体。图5为实施例5的产物，晶体为透明宝石状多面体，趋向球形，颗粒尺寸分布于2mm～5mm，为β-HMX晶体。晶体粒径在2mm～4mm的颗粒居多，含少量有菱形晶面的晶体。
[0054] 实施例5：
[0055] 一种HMX大单晶的快速制备方法，包括以下步骤：
[0056] 步骤一、将4.34g普通HMX晶体溶于15.66g分析纯DMSO中形成高浓度结晶溶液；采用的普通HMX晶体为工业奥克托今，粉状，β-晶型，形貌不规则、多缺陷，粒径分布为10～100μm；
[0057] 步骤二、将高浓度结晶溶液转移入结晶器中，置于通风橱内，在21℃～28℃下静置24h；
[0058] 步骤三、向静置后的高浓度结晶溶液中缓慢均匀加入1.18g无水乙醇，得到待结晶溶液；
[0059] 步骤四、在21℃～28℃下，将待结晶溶液静置，溶剂自然挥发，结晶5d，然后过滤、去离子水洗涤、真空干燥，得到3.62g颗粒尺寸分布于2mm～3mm的β-HMX大尺寸多面体单晶晶体，晶体为透明多面体，趋向球形，粒径在2mm～3mm的颗粒居多，含少量有菱形晶面的晶体；产率83.41％。
[0060] 实施例6：
[0061] 一种HMX大单晶的快速制备方法，包括以下步骤：
[0062] 步骤一、将5.71g普通HMX晶体溶于14.29g分析纯DMSO中形成高浓度结晶溶液；采用的普通HMX晶体为工业奥克托今，粉状，β-晶型，形貌不规则、多缺陷，粒径分布为10～100μm；
[0063] 步骤二、将高浓度结晶溶液转移入结晶器中，置于通风橱内，在21℃～28℃下静置24h；
[0064] 步骤三、向静置后的高浓度结晶溶液中缓慢均匀加入3.11g乙酸乙酯，得到待结晶溶液；
[0065] 步骤四、在21℃～28℃下，将待结晶溶液静置，溶剂自然挥发，结晶5d，然后过滤、去离子水洗涤、真空干燥，得到5.62g颗粒尺寸分布于2mm～5mm的β-HMX大尺寸多面体单晶晶体，晶体为透明多面体，粒径在2mm～3mm的颗粒居多，含少量有菱形晶面的晶体；产率98.42％。图6为实施例6的产物，晶体为透明多面体，颗粒尺寸分布于2mm～5mm，为β-HMX晶体。晶体粒径在2mm～3mm的颗粒居多，含少量有菱形晶面的晶体。
[0066] 实施例7：
[0067] 一种HMX大单晶的快速制备方法，包括以下步骤：
[0068] 步骤一、将4.34g普通HMX晶体溶于15.66g分析纯DMSO中形成高浓度结晶溶液；采用的普通HMX晶体为工业奥克托今，粉状，β-晶型，形貌不规则、多缺陷，粒径分布为10～100μm；
[0069] 步骤二、将高浓度结晶溶液转移入结晶器中，置于通风橱内，在21℃～28℃下静置24h；
[0070] 步骤三、向静置后的高浓度结晶溶液中缓慢均匀加入0.35g正戊醇，得到待结晶溶液；将待结晶溶液进行超声处理12min；所述超声的频率为60kHz，超声波功率密度为3000W/L，超声采用间歇辐照，间歇辐照时的间歇时间为20s/10s，即在超声过程中超声20s，停止超声10s，依次进行；
[0071] 步骤四、在21℃～28℃下，将待结晶溶液静置，溶剂自然挥发，结晶5d，然后过滤、去离子水洗涤、真空干燥，得到4.25g颗粒尺寸分布于3mm～4mm的β-HMX大尺寸多面体单晶晶体，产率97.93％。
[0072] 实施例8：
[0073] 一种HMX大单晶的快速制备方法，包括以下步骤：
[0074] 步骤一、将4.34g普通HMX晶体溶于15.66g分析纯DMSO中形成高浓度结晶溶液；采用的普通HMX晶体为工业奥克托今，粉状，β-晶型，形貌不规则、多缺陷，粒径分布为10～100μm；
[0075] 步骤二、将高浓度结晶溶液转移入结晶器中，置于通风橱内，在21℃～28℃下静置24h；
[0076] 步骤三、向静置后的高浓度结晶溶液中缓慢均匀加入0.35g正戊醇，得到待结晶溶液；
[0077] 步骤四、在21℃～28℃下，将待结晶溶液静置，溶剂自然挥发，结晶2.5d，然后将待结晶溶液置于脉冲磁场中，调节脉冲磁场强度为1.5特斯拉、频率2次/分钟和温度21℃～28℃，对待结晶溶液进行处理10min，然后继续静置结晶2.5d，然后过滤、去离子水洗涤、真空干燥，得到4.2g颗粒尺寸分布于3mm～5mm的β-HMX大尺寸多面体单晶晶体，晶体为透明宝石状多面体，趋向球形；产率96.77％。
[0078] 实施例9：
[0079] 一种HMX大单晶的快速制备方法，包括以下步骤：
[0080] 步骤一、将4.34g普通HMX晶体溶于15.66g分析纯DMSO中形成高浓度结晶溶液；采用的普通HMX晶体为工业奥克托今，粉状，β-晶型，形貌不规则、多缺陷，粒径分布为10～100μm；
[0081] 步骤二、将高浓度结晶溶液转移入结晶器中，置于通风橱内，在21℃～28℃下静置24h；
[0082] 步骤三、向静置后的高浓度结晶溶液中缓慢均匀加入0.45g异丙醇，得到待结晶溶液；将待结晶溶液进行超声处理15min；所述超声的频率为80kHz，超声波功率密度为2500W/L，超声采用间歇辐照，间歇辐照时的间歇时间为30s/15s，即在超声过程中超声30s，停止超声15s，依次进行；
[0083] 步骤四、在21℃～28℃下，将待结晶溶液静置，溶剂自然挥发，结晶5d，然后过滤、去离子水洗涤、真空干燥，得到4.20g颗粒尺寸分布于3mm～4mm的β-HMX大尺寸多面体单晶晶体，晶体为透明、宝石状多面体；产率96.77％。
[0084] 实施例10：
[0085] 一种HMX大单晶的快速制备方法，包括以下步骤：
[0086] 步骤一、将4.34g普通HMX晶体溶于15.66g分析纯DMSO中形成高浓度结晶溶液；采用的普通HMX晶体为工业奥克托今，粉状，β-晶型，形貌不规则、多缺陷，粒径分布为10～100μm；
[0087] 步骤二、将高浓度结晶溶液转移入结晶器中，置于通风橱内，在21℃～28℃下静置24h；
[0088] 步骤三、向静置后的高浓度结晶溶液中缓慢均匀加入0.45g异丙醇，得到待结晶溶液；
[0089] 步骤四、在21℃～28℃下，将待结晶溶液静置，溶剂自然挥发，结晶2.5d，然后将待结晶溶液置于脉冲磁场中，调节脉冲磁场强度为2特斯拉、频率3次/分钟和温度21℃～28℃，对待结晶溶液进行处理12min，然后继续静置结晶2.5d，然后过滤、去离子水洗涤、真空干燥，得到4.22g颗粒尺寸分布于3mm～4mm的β-HMX大尺寸多面体单晶晶体，晶体为透明、宝石状多面体；产率97.24％。
[0090] 实施例11：
[0091] 一种HMX大单晶的快速制备方法，包括以下步骤：
[0092] 步骤一、将4.34g普通HMX晶体溶于15.66g分析纯DMSO中形成高浓度结晶溶液；采用的普通HMX晶体为工业奥克托今，粉状，β-晶型，形貌不规则、多缺陷，粒径分布为10～100μm；
[0093] 步骤二、将高浓度结晶溶液转移入结晶器中，置于通风橱内，在21℃～28℃下静置24h；
[0094] 步骤三、向静置后的高浓度结晶溶液中缓慢均匀加入0.35g正戊醇，得到待结晶溶液；将待结晶溶液进行超声处理12min；所述超声的频率为60kHz，超声波功率密度为3000W/L，超声采用间歇辐照，间歇辐照时的间歇时间为20s/10s，即在超声过程中超声20s，停止超声10s，依次进行；
[0095] 步骤四、在21℃～28℃下，将待结晶溶液静置，溶剂自然挥发，结晶2.5d，然后将待结晶溶液置于脉冲磁场中，调节脉冲磁场强度为1.5特斯拉、频率2次/分钟和温度21℃～28℃，对待结晶溶液进行处理10min，然后继续静置结晶2.5d，然后过滤、去离子水洗涤、真空干燥，得到4.30g颗粒尺寸分布于4mm～5mm的β-HMX大尺寸多面体单晶晶体，晶体为透明宝石状多面体，趋向球形；产率99.08％。
[0096] 实施例12：
[0097] 一种HMX大单晶的快速制备方法，包括以下步骤：
[0098] 步骤一、将4.34g普通HMX晶体溶于15.66g分析纯DMSO中形成高浓度结晶溶液；采用的普通HMX晶体为工业奥克托今，粉状，β-晶型，形貌不规则、多缺陷，粒径分布为10～100μm；
[0099] 步骤二、将高浓度结晶溶液转移入结晶器中，置于通风橱内，在21℃～28℃下静置24h；
[0100] 步骤三、向静置后的高浓度结晶溶液中缓慢均匀加入0.45g异丙醇，得到待结晶溶液；将待结晶溶液进行超声处理15min；所述超声的频率为80kHz，超声波功率密度为2500W/L，超声采用间歇辐照，间歇辐照时的间歇时间为30s/15s，即在超声过程中超声30s，停止超声15s，依次进行；
[0101] 步骤四、在21℃～28℃下，将待结晶溶液静置，溶剂自然挥发，结晶2.5d，然后将待结晶溶液置于脉冲磁场中，调节脉冲磁场强度为2特斯拉、频率3次/分钟和温度21℃～28℃，对待结晶溶液进行处理12min，然后继续静置结晶2.5d，然后过滤、去离子水洗涤、真空干燥，得到4.27g颗粒尺寸分布于4mm～5mm的β-HMX大尺寸多面体单晶晶体，晶体为透明、宝石状多面体；产率98.39％。
[0102] 尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
