实施方案
[0027] 参见图1，本发明提供了一种晶圆封装结构，包括：
[0028] 半导体衬底10，具有相对的上表面和下表面；
[0029] 位于所述上表面的多个焊盘11；
[0030] 位于所述多个焊盘上的多个焊球13；
[0031] 围绕所述多个焊盘11和焊球13的阻焊层12；
[0032] 围绕所述阻焊层12的金属导热层14，所述金属导热层14仅位于所述上表面的边缘；
[0033] 位于所述下表面的散热层15；以及
[0034] 连接所述金属导热层14和所述散热层15的多个导热通孔16。
[0035] 参见图2可知，焊球13呈阵列分布，阻焊层围绕所述焊球13，金属导热层14是环绕所述阻焊层12的形状，多个导热通孔位于金属导热层14的下方，也位于衬底的边缘位置。
[0036] 所述阻焊层12的上表面上具有一环形凹槽19，所述凹槽19深度小于阻焊层12的厚度，且所述凹槽19介于最外层的焊球13与所述金属导热层14之间。该环形凹槽19可以防止在制造金属导热层14时，多余的金属材料覆盖至焊球位置处。
[0037] 此外，根据本发明的实施例，所述金属导热层14的材料选自Cu和Ni中的至少一种。所述导热通孔16可以填充导电材料，优选为Cu或Au；所述导热通孔16也可以填充非导电材料，优选为Al2O3。所述散热层15的材料为金属或散热键合片等。所述散热层也可以为散热鳍片结构（未示出）。
[0038] 其具体的制造方法参见图3的流程示意图，包括：
[0039] （1）提供半导体衬底10，具有相对的上表面和下表面，所述上表面具有多个焊盘11；
[0040] （2）形成覆盖所述上表面的阻焊层12，所述阻焊层露出所述多个焊盘11，并且露出上表面的边缘位置；形成所述阻焊层12具体包括：先沉积阻焊剂材料覆盖整个上表面，然后进行光刻，以露出所述多个焊盘11和所述边缘位置，并进行第二次光刻，在所述阻焊层12的上表面上形成一环形凹槽19，所述凹槽19深度小于阻焊层12的厚度，且所述凹槽19介于最外层的焊球13与所述金属导热层14之间。
[0041] （3）在所述多个焊盘11上形成多个焊球13；
[0042] （4）在所述上表面的未被阻焊层12覆盖的边缘位置上形成围绕所述阻焊层12的金属导热层14；
[0043] （5）形成连接所述金属导热层14并贯通所述上表面和下表面的多个导热通孔16；形成所述多个导热通孔16具体包括：先刻蚀出贯通上表面和下表面的通孔，然后进行填充导热物质，形成导热通孔16，研磨所述下表面，使得导热通孔16与所述下表面齐平。
[0044] （6）形成覆盖所述下表面的散热层15。
[0045] 最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
