[0032] 参见图2，本发明提供了一种MIM电容器结构，在半导体衬底10上表面具有多个功能器件，功能器件可以是晶体管；所述半导体衬底10的下表面具有一凹槽17，形成于所述凹槽17中的MIM电容器；其中，所述MIM电容器与所述功能器件电连接。
[0033] 所述上表面上具有焊盘11、位于焊盘11之上的焊球13以及覆盖所述上表面的阻焊层12，所述阻焊层12漏出所述焊球13和所述上表面的边缘位置。
[0034] 所述边缘位置设置有围绕所述阻焊层的且位于所述边缘位置的金属导热层14，所述金属导热层14断开为多个分立的导电部分（参见图3），其断开位置可以是绝缘沟道22，所述金属导热层14通过导电图案21与所述焊球13中的部分电连接。
[0035] 所述半导体衬底10还具有贯穿所述上表面和下表面的导电导热通孔15，所述导电导热通孔15物理接触所述金属导热层14，所述导电导热通孔15的材质为Cu。
[0036] 在所述下表面还具有与所述导电导热通孔15电连接的导电图案16，所述导电图案16通过在所述凹槽17中的导电柱18与所述MIM电容器的两个电极板电连接。
[0037] 在所述凹槽中的两个电极板间绝缘介电材料19，所述介电材料19填充满所述凹槽17，与所述下表面齐平，所述下表面还具有覆盖所述导电图案16及凹槽17的绝缘保护层20。
所述绝缘保护层20的材料为一散热材料，优选的，所述绝缘保护层20的材料为氧化铝或氮化硅。
[0038] 其具体的制造方法如图4所述，具体包括：
[0039] （1）S1，提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的上表面和下表面以及位于上表面的多个焊盘和形成于所述上表面的功能器件。
[0040] （2）S2，形成覆盖所述上表面的阻焊层，并通过刻蚀漏出所述多个焊盘和所述上表面的边缘位置。
[0041] （3）S3，形成与所述多个焊盘相对应的多个焊球。
[0042] （4）S4，在所述边缘位置形成围绕所述阻焊层的金属导热层，所述金属导热层断开为多个分立的导电部分。
[0043] （5）S5，形成电连接所述多个焊球中的至少一个与所述多个导电部分中的至少一个的第一导电图案；具体包括：选择性在所述边缘位置形成一金属层，然后刻蚀出多个隔离沟道，再在所述多个隔离沟道中填充绝缘材料。所述金属导热层的材质为铜。
[0044] （6）S6，在所述下表面形成凹槽；所述凹槽的深度小于所述半导体衬底的厚度一半。可通过干法或湿法刻蚀而得，其深度不会影响到上表面的功能器件。
[0045] （7）S7，在凹槽中形成MIM电容器结构；该MIM电容器包括两个电极板，以及位于电极板间的介电材料，还包括形成所述MIM电容器包括形成所述凹槽中的导电柱与所述MIM电容器的两个电极板电连接。
[0046] （8）S8，形成电连接所述金属导热层的并贯穿所述上表面和下表面的多个导电导热通孔；所述导电导热通孔的材质为Cu。
[0047] （9）S9，形成电连接所述多个导热导电通孔中的至少一个与所述MIM电容器的第二导电图案。
[0048] 其中，在步骤（9）之后还包括形成一绝缘保护层，覆盖所述下表面以及第二导电图案。所述绝缘保护层的材料为一散热材料，优选为氧化铝或氮化硅。
[0049] 最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
