[0028] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0029] 如图1至图3所示，本发明提供了一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，包括刻蚀箱1、激励线圈2、偏压提供装置3、放置台4、气体注入组件5和气体排出组件6，激励线圈2安装在刻蚀箱1的外壁上，放置台4设置在刻蚀箱1内部，其用于承载硅晶片，气体注入组件5用于向刻蚀箱1内部通入刻蚀气体，激励线圈2用于将刻蚀箱1内部的刻蚀气体激发成等离子体，偏压提供装置3设置在刻蚀箱1的内部，偏压提供装置3用于向刻蚀箱1内部的硅晶片施加偏压，气体排出组件6用于刻蚀气体及反应产物的排出，同时气体排出组件6还可以通过向刻蚀箱1内部通入惰性气体，利用惰性气体的流动带动反应产物一起流出，使反应产物快速被带出，避免反应产物停留在刻蚀箱1内，从而避免反应产物对刻蚀的影响，提升刻蚀效率。
[0030] 在本实施方式中，刻蚀气体通过气体注入组件5通入刻蚀箱1内，并直接通至放置台4用于承载硅晶片上方区域，然后在激励线圈2的约束下激发成等离子体，并在偏压提供装置3对硅晶片偏压配合下刻蚀气体到达硅晶片表面，激励线圈2在刻蚀气体的作用下对硅晶片进行刻蚀，而刻蚀过程中形成的气体反应产物流向气体排出组件6，并在气体排出组件6所通入的惰性气体的带动下快速流出刻蚀箱1，防止刻蚀气体产物残留在硅晶片上，提高硅晶片的刻蚀效率。
[0031] 在现有技术中，放置台4和硅晶片均水平设置，这样一来，硅晶体在进行刻蚀时是处于水平状态的，当刻蚀气体与硅晶片接触后，会以柱状刻蚀气体与硅晶片的接触点为中心向四周散去，在气流的带动作用下会向外流动一段距离，但再之后的重力作用下，逐渐附着在硅晶片的表面上，从而影响硅晶片的刻蚀效率，而本实施方式中刻蚀箱1的底部设置放置座7，放置座7的上部呈锥形，放置台4以放置座7的顶点为中心分布在放置座7的锥形表面上，放置台4倾斜设置，这样一来，硅晶体在进行刻蚀时是处于倾斜状态的，当刻蚀气体与硅晶片接触后，会以柱状刻蚀气体与硅晶片的接触点为中心向四周散去，从而一部分斜向上流动，另一部分则斜向下流动，并在重力作用下，斜向下流动的反应产物不断下滑，直至排出刻蚀箱1。
[0032] 本实施方式将放置台4倾斜设置，从而可以利用重力带动反应产物流出刻蚀箱1，从而避免现有技术中放置台4水平放置时气体产物容易附着在硅晶片表面而影响硅晶片刻蚀效率的问题。
[0033] 上述实施方式虽可利用重力带动反应产物流出刻蚀箱1，提高硅晶片的刻蚀效率，但其进行带动的仅是斜向下流动的那部分反应产物，对于斜向上的那部分反应产物则无法处理，且在上述实施方式中，斜向上的那部分反应产物在冲击之后下路，也无法穿过不断输入的刻蚀气流，从而停留在硅晶体的上方，最终附着在硅晶体的表面，反而加剧了附着现象。
[0034] 为了改进上述弊端，对斜向上的那部分反应产物进行处理，使之也快速流出刻蚀箱1，防止刻蚀气体产物残留在硅晶片上，提高硅晶片的刻蚀效率，本实施方式中气体排出组件6包括气体排出口601和惰性气体下部注入通道602，其中气体排出口601又包括了上部气体排出口601a和若干下部气体排出口601b，下部气体排出口601b设置在刻蚀箱1的底部，且下部气体排出口601b的位置与放置台4的位置对应，位于放置台4向下的一侧，斜向下流动的反应产物在重力作用下直接从下部气体排出口601b流出。
[0035] 重要的是，惰性气体下部注入通道602用于向刻蚀箱1内部通入惰性气体，且惰性气体下部注入通道602位于放置台4向上翘起的一侧，且上部气体排出口601a位于惰性气体下部注入通道602的正上方，当惰性气体进入刻蚀箱1后，向着上部气体排出口601a流动，在流经至放置台4时，带动斜向上流动的反应产物一同上移，快速流出刻蚀箱1。
[0036] 通过上述设置，本实施方式通过倾斜设置放置台4，利用重力带动斜向下流动反应产物流出刻蚀箱1，在通过通入从下向上流动的惰性气体带动斜向上流动反应产物流出刻蚀箱1，从而实现反应产物的快速流出，避免反应产物停留在刻蚀箱1内，从而避免现有技术中放置台4水平放置时气体产物容易附着在硅晶片，提高硅晶片的刻蚀效率。
[0037] 进一步地，为使斜向下流动反应产物快速流出刻蚀箱1，并避免残留有反应产物，气体排出组件6还包括若干惰性气体上部注入通道603，惰性气体上部注入通道603设置在刻蚀箱1的顶部，且惰性气体上部注入通道603的下端延伸至刻蚀箱1内，该部分惰性气体流经放置台4的下侧端的外部，从而为反应产物提供下移的驱动力，惰性气体上部注入通道603与放置台4一一对应，带动对应放置台4上的反应产物流出刻蚀箱1。
[0038] 同时，为了避免所通入的刻蚀气体流、斜向上流动的反应产物、斜向下柳丁的反应产物、向上流动的惰性气体以及向下流动的惰性气体之间相互干，扰，刻蚀箱1内设置有弧形闭合板8，弧形闭合板8由弧形板环绕成的通道状结构，该通道状结构的竖直轴线与刻蚀箱1的竖直轴线重合，弧形闭合板8的上端连接有上部连接管9，上部连接管9与刻蚀箱1的顶部相连，放置台4用于承载硅晶片，且放置台4位于弧形闭合板8的正下方。
[0039] 气体注入组件5用于向刻蚀箱1内部通入刻蚀气体，气体排出组件6包括气体排出口601和惰性气体下部注入通道602，惰性气体下部注入通道602用于向刻蚀箱1内部通入惰性气体，通过惰性气体的流动带动反应产物一起流动，最终从气体排出口处601排出。
[0040] 气体注入组件5包括设置在弧形闭合板8的板壁内部的若干弧形通道501，弧形通道501的上端连接有上部直管道502，上部直管道502位于上部连接管9的管壁中，且上部直管道502的上端延伸出上部连接管9，刻蚀气体由上部直管道502通入，之后进入弧形通道501，弧形通道501与放置台4一一对应，弧形通道501的下端出口正对着对应的放置台4，以使刻蚀气体对放置台4上的硅晶片进行刻蚀。
[0041] 弧形通道501的下端连接有下部直管道503，下部直管道503延伸出弧形闭合板8，且下部直管道503与对应的放置台4垂直，同时下部直管道503与对应的放置台4之间无接触，以使刻蚀气体能够垂直喷洒在硅晶片上，保证刻蚀效果。
[0042] 放置座7的竖直轴线与刻蚀箱1的竖直轴线重合，气体排出口601包括上部气体排出口601a和若干下部气体排出口601b，上部气体排出口601a设置于刻蚀箱1的顶部中心，且上部气体排出口601a位于弧形闭合板8的内腔的正上方，下部气体排出口601b设置在刻蚀箱1的底部，且下部气体排出口601b的位置与放置台4的位置对应，刻蚀气体喷洒在硅晶片上后，生成的气体反应产物中的一部分向侧下方流动，最终从下部气体排出口601b处排出。
[0043] 惰性气体上部注入通道603设置在刻蚀箱1的顶部，且惰性气体上部注入通道603的下端延伸至刻蚀箱1内，同时惰性气体上部注入通道603的下端位于刻蚀箱1的内壁与弧形闭合板8的外壁之间的区域，惰性气体由惰性气体上部注入通道603通入刻蚀箱1内，带动刻蚀气体喷洒在硅晶片上后生成的气体反应产物中的一部分向侧下方流动，最终从下部气体排出口601b处排出，惰性气体上部注入通道603与放置台4一一对应，带动对应放置台4上的反应产物流动。
[0044] 进一步地，刻蚀箱1内设置有导流板10，导流板10位于刻蚀箱1的顶板与侧板之间的夹角处，可以为上方惰性气体提供导流作用。
[0045] 惰性气体下部注入通道602设置在刻蚀箱1的底部中心，惰性气体下部注入通道602穿过放置座7，惰性气体下部注入通道602的轴线与放置座7竖直轴线重合，惰性气体下部注入通道602的上端出口正对着弧形闭合板8的内腔，且惰性气体下部注入通道602与上部气体排出口601a在同一竖直线上，惰性气体由惰性气体下部注入通道602通入刻蚀箱1内，带动刻蚀气体喷洒在硅晶片上后生成的气体反应产物中的一部分向上流动，最终从上部气体排出口处601a排出。
[0046] 本实施方式中放置座7的表面设置有安置槽11，放置台4转动设置在安置槽11内，安置槽11下方设置有转动电机12，转动电机12的输出轴与放置台4的底部中心垂直相连，通过转动电机12带动放置台4转动，进而使鬼禁片转动，提升刻蚀的均匀性，并且在放置台4转动的过程中，放置台4顺时针和逆时针交替旋转，避免了硅晶片沿单一方向旋转所引起的刻蚀得到的沟槽左右侧壁不对称的问题，也就避免了由此引起的沟槽隔离性能下降的问题，从而在提高晶圆的刻蚀均匀性的基础上，保证刻蚀得到的沟槽具有较好的隔离性能，提高集成电路的良率。
[0047] 以上实施例仅为本申请的示例性实施例，不用于限制本申请，本申请的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本申请的实质和保护范围内，对本申请做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本申请的保护范围内。
