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一种基于ARM的温度采集控制系统和控制方法   0    0

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专利申请流程有哪些步骤?
专利申请流程图
申请
申请号:指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。
申请日:提出专利申请之日。
2015-01-05
申请公布
申请公布指发明专利申请经初步审查合格后,自申请日(或优先权日)起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。
申请公布号:专利申请过程中,在尚未取得专利授权之前,国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。
申请公布日:申请公开的日期,即在专利公报上予以公开的日期。
2015-05-27
授权
授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由,授予发明专利权;或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由,授予实用新型专利权或外观设计专利权。
2017-11-03
预估到期
发明专利权的期限为二十年,实用新型专利权期限为十年,外观设计专利权期限为十五年,均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。
2035-01-05
基本信息
有效性 有效专利 专利类型 发明专利
申请号 CN201510002790.1 申请日 2015-01-05
公开/公告号 CN104571202B 公开/公告日 2017-11-03
授权日 2017-11-03 预估到期日 2035-01-05
申请年 2015年 公开/公告年 2017年
缴费截止日
分类号 G05D23/22 主分类号 G05D23/22
是否联合申请 独立申请 文献类型号 B
独权数量 1 从权数量 1
权利要求数量 2 非专利引证数量 0
引用专利数量 0 被引证专利数量 0
非专利引证
引用专利 被引证专利
专利权维持 3 专利申请国编码 CN
专利事件 事务标签 公开、实质审查、授权
申请人信息
申请人 第一申请人
专利权人 杭州电子科技大学 当前专利权人 杭州电子科技大学
发明人 高明煜、王夏明、朱琦、黄继业 第一发明人 高明煜
地址 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 邮编
申请人数量 1 发明人数量 4
申请人所在省 浙江省 申请人所在市 浙江省杭州市
代理人信息
代理机构
专利代理机构是经省专利管理局审核,国家知识产权局批准设立,可以接受委托人的委托,在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。
杭州君度专利代理事务所 代理人
专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务,取得一定资格的人。
黄前泽
摘要
本发明公开了一种基于ARM的温度采集控制系统和控制方法。一种基于ARM的温度采集控制系统包括ARM处理器、220V交流过零检测电路、热电偶温度采集放大滤波电路、室温采集放大电路以及温度控制输出电路。此处所用的ARM处理器为ST公司的STM32F103ZET6。本发明采用仪表放大器组成热电偶的温度采集放大滤波电路,对设备中的共模干扰有很好的抑制效果;交流过零检测的应用大大延长了系统的寿命和稳定性;相比独立的温控表的手动调节温度,本系统在实时调整控制温度方面有着不可替代的优势。
  • 摘要附图
    一种基于ARM的温度采集控制系统和控制方法
  • 说明书附图:图1
    一种基于ARM的温度采集控制系统和控制方法
  • 说明书附图:图2
    一种基于ARM的温度采集控制系统和控制方法
  • 说明书附图:图3
    一种基于ARM的温度采集控制系统和控制方法
  • 说明书附图:图4
    一种基于ARM的温度采集控制系统和控制方法
  • 说明书附图:图5
    一种基于ARM的温度采集控制系统和控制方法
法律状态
序号 法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
1 2017-11-03 授权
2 2015-05-27 实质审查的生效 IPC(主分类): G05D 23/22 专利申请号: 201510002790.1 申请日: 2015.01.05
3 2015-04-29 公布 公布
权利要求
权利要求书是申请文件最核心的部分,是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。
1.一种基于ARM的温度采集控制系统,包括ARM处理器、220V交流过零检测电路、热电偶温度采集放大滤波电路、室温采集放大电路以及温度控制输出电路;此处所用的ARM处理器为ST公司的STM32F103ZET6;
所述的220V交流过零检测电路包括6个电阻,2个二极管,第一运算放大器LM358和1片光耦NEC2501L-1;
第一电阻R1的一端接220V交流电的火线,另一端与第三电阻R3的一端、第一二极管D1的负极、第二二极管D2的正极、第一运算放大器U1A的正向输入端连接;第二电阻R2的一端接220V交流电的零线,另一端与第四电阻R4的一端、第一二极管D1的正极、第二二极管D2的负极、第一运算放大器U1A的反向输入端连接;第三电阻R3的另一端与第四电阻R4的另一端连接并接地,第一运算放大器U1A的正电源端与第一电容C1的一端连接并接12V电源,负电源端与第一电容C1的另一端连接并接地,输出端与光耦的1脚连接;光耦的2脚与第五电阻R5的一端连接,第五电阻R5的另一端接地;光耦的4脚接3.3V电源,3脚与第六电阻R6的一端连接并与ARM处理器的一个带定时器功能的I/O口连接;第六电阻R6的另一端接系统地;
所述的热电偶温度采集放大滤波电路包括仪表放大器U2、第二运算放大器U3、7个电阻和9个电容,仪表放大器U2的型号为INA126,第二运算放大器U3的型号为OP07;
第七电阻R7的一端与热电偶的负极连接,第七电阻R7的另一端与第二电容C2的一端、第九电阻R9的一端、第四电容C4的一端、仪表放大器U2的2脚负输入端连接,第八电阻R8的一端与热电偶的正极连接,第八电阻R8的另一端与第二电容C2的另一端、第十电阻R10的一端、第三电容C3的一端、仪表放大器U2的2脚正输入端连接;仪表放大器U2的1脚与第十一电阻R11的一端连接,8脚与第十一电阻R11的另一端连接,4脚与第五电容C5的一端连接并接负5V模拟电源,5脚与第九电阻R9的另一端、第四电容C4的另一端、第十电阻R10的另一端、第三电容C3的另一端、第五电容C5的另一端、第六电容C6的一端、第七电容C7的一端连接并接模拟地,6脚与第七电容C7的另一端、第十二电阻R12的一端连接,7脚与第六电容C6的另一端连接并接正5V模拟电源;第十二电阻R12的另一端与第十三电阻R13的一端、第八电容C8的一端连接,第八电容C8的另一端与第二运算放大器U3的2脚、第二运算放大器U3的6脚并与ARM处理器的一个模拟输入脚连接,第十三电阻R13的另一端与第二运算放大器U3的3脚、第九电容C9的一端连接,第九电容C9的另一端接模拟地;第二运算放大器U3的4脚与第十电容C10的一端连接并接负5V电源,7脚与第十电容C10的另一端连接并接正5V电源,1脚、
5脚、8脚架空;
室温采集放大电路包括温度传感器U4,第三运算放大器U5、3个电阻和2个电容,所述的温度传感器型号U4为LM35DZ,所述的第三运算放大器U5型号为OP07;
所述的温度传感器U4的1脚与第十四电阻R14的一端连接并接5V模拟电源,第十四电阻R14的另一端与第十六电阻R16的一端、第三运算放大器U5的2脚连接,温度传感器U4的2脚与第十五电阻R15的一端连接,第十五电阻R15的另一端与第十一电容C11的一端、第三运算放大器U5的3脚连接,第十一电容C11的另一端接5V模拟地,温度传感器U4的3脚接5V模拟电源;第三运算放大器U5的4脚与第十二电容C12的一端连接并接负5V电源,7脚与第十二电容C12的另一端连接并接正5V电源,1脚、5脚、8脚架空;6脚与第十六电阻R16的另一端连接并接ARM处理器另一个模拟输入脚,
所述的温度控制输出电路包括第二光耦,一个MOS管,一个继电器,一个二极管和一个电阻;
所述的第二光耦OC2的1脚接ARM处理器的控制信号输出脚,2脚接数字地,4脚接12V隔离电源,3脚与MOS管的栅极、第十七电阻R17的一端连接,第十七电阻R17的另一端与MOS管的源极S连接并接隔离地,MOS管的漏极D与继电器的3脚、第三二极管D3的正极连接,第三二极管D3的负极与继电器的4脚连接12V电源;继电器的2脚接220V零线,1脚与加热丝的一端连接,加热丝的另一端接220V火线。

2.根据权利要求1所述的一种基于ARM的温度采集控制系统的控制方法,其特征在,于该方法具体包括以下步骤:
步骤(1):ARM处理器实时读取热电偶的经过放大滤波的电压信号,经过查找热电偶分度表换算出相应的温度值T_k,同时读取通过放大滤波后的室温采集放大电路的信号,转换成温度值T_Base,则实际温度T为T_k与T_Base的和;
步骤(2):ARM处理器对检测到的温度值进行PID计算产生控制信号;
步骤(3):220V交流过零检测电路实时检测交流电的频率和过零点,当交流电频率在-
48Hz~52Hz时并且在交流电过零时,ARM处理器根据PID的计算结果输出控制信号控制继电器的打开与关闭;如果检测到交流电不正常,则立即关闭加热。
说明书

技术领域

[0001] 本发明涉及的是温控领域,特指是一种基于ARM的温度采集控制系统和控制方法。

背景技术

[0002] 在薄膜包装流水线中,需要经过薄膜的热切割,热接合,热收缩等工序,这些工序需要在一个恒定温度下进行,温度的控制直接影响到包膜的效果。目前的解决方案大都是外接独立的温控表,每个需要控制温度的地方都要外接一个温控表,增加了设备的生产成本,也降低了设备的工作稳定性。此外,由于是外接的温控表,与主控制处理器无法通信,改变控制温度都得手动进行,无法满足实时调节控制温度的需求。

发明内容

[0003] 本发明的目的在于解决现有技术的不足,提出了一种基于ARM的温度采集控制系统。本系统的控制算法在ARM处理器上实现,它的适用范围不仅仅在薄膜包装流水线,在任何基于ARM处理器的需要温度控制的系统都可以移植。
[0004] 为实现以上目的,本发明采用的技术方案为:
[0005] 一种基于ARM的温度采集控制系统包括ARM处理器、220V交流过零检测电路、热电偶温度采集放大滤波电路、室温采集放大电路以及温度控制输出电路。此处所用的ARM处理器为ST公司的STM32F103ZET6。
[0006] 所述的220V交流过零检测电路包括6个电阻,2个二极管,第一运算放大器LM358和1片光耦NEC2501L-1。
[0007] 第一电阻R1的一端接220V交流电的火线,另一端与第三电阻R3的一端、第一二极管D1的负极、第二二极管D2的正极、第一运算放大器U1A的正向输入端连接;第二电阻R2的一端接220V交流电的零线,另一端与第四电阻R4的一端、第一二极管D1的正极、第二二极管D2的负极、第一运算放大器U1A的反向输入端连接;第三电阻R3的另一端与第四电阻R4的另一端连接并接地,第一运算放大器U1A的正电源端与第一电容C1的一端连接并接12V模拟电源,负电源端与第一电容C1的另一端连接并接地,输出端与光耦的1脚连接;光耦的2脚与第五电阻R5的一端连接,第五电阻R5的另一端接地;光耦的4脚接3.3V电源,3脚与第六电阻R6的一端连接并与ARM处理器的一个带定时器功能的I/O口连接;第六电阻R6的另一端接系统地。
[0008] 所述的热电偶温度采集放大滤波电路包括仪表放大器U2、第二运算放大器U3、7个电阻和9个电容,仪表放大器U2的型号为INA126,第二运算放大器U3的型号为OP07;
[0009] 第七电阻R7的一端与热电偶的负极连接,第七电阻R7的另一端与第二电容C2的一端、第九电阻R9的一端、第四电容C4的一端、仪表放大器U2的2脚负输入端连接,第八电阻R8的一端与热电偶的正极连接,第八电阻R8的另一端与第二电容C2的另一端、第十电阻R10的一端、第三电容C3的一端、仪表放大器U2的2脚正输入端连接;仪表放大器U2的1脚与第十一电阻R11的一端连接,8脚与第十一电阻R11的另一端连接,4脚与第五电容C5的一端连接并接负5V模拟电源,5脚与第九电阻R9的另一端、第四电容C4的另一端、第十电阻R10的另一端、第三电容C3的另一端、第五电容C5的另一端、第六电容C6的一端、第七电容C7的一端连接并接模拟地,6脚与第七电容C7的另一端、第十二电阻R12的一端连接,7脚与第六电容C6的另一端连接并接正5V模拟电源;第十二电阻R12的另一端与第十三电阻R13的一端、第八电容C8的一端连接,第八电容C8的另一端与第二运算放大器U3的2脚、第二运算放大器U3的6脚并与ARM处理器的一个模拟输入脚连接,第十三电阻R13的另一端与第二运算放大器U3的3脚、第九电容C9的一端连接,第九电容C9的另一端接模拟地;第二运算放大器U3的4脚与第十电容C10的一端连接并接负5V模拟电源,7脚与第十电容C10的另一端连接并接正5V模拟电源,1脚、5脚、8脚架空;
[0010] 室温采集放大电路包括温度传感器U4,第三运算放大器U5、3个电阻和2个电容,所述的温度传感器U4型号为LM35DZ,所述的第三运算放大器U5型号为OP07;
[0011] 所述的温度传感器U4的1脚与第十四电阻R14的一端连接并接5V模拟电源,第十四电阻R14的另一端与第十六电阻R16的一端、第三运算放大器U5的2脚连接,温度传感器U4的2脚与第十五电阻R15的一端连接,第十五电阻R15的另一端与第十一电容C11的一端、第三运算放大器U5的3脚连接,第十一电容C11的另一端接5V模拟地,温度传感器U4的3脚接5V模拟电源;第三运算放大器U5的4脚与第十二电容C12的一端连接并接负5V模拟电源,7脚与第十二电容C12的另一端连接并接正5V模拟电源,1脚、5脚、8脚架空;6脚与第十六电阻R16的另一端连接并接ARM处理器另一个模拟输入脚,
[0012] 所述的温度控制输出电路包括第二光耦OC2,一个MOS管,一个继电器,一个二极管和一个电阻。
[0013] 所述的第二光耦OC2的1脚接ARM处理器的控制信号输出脚,2脚接数字地,4脚接12V隔离电源,3脚与MOS管的栅极、第十七电阻R17的一端连接,第十七电阻R17的另一端与MOS管的源极S连接并接隔离地,MOS管的漏极D与继电器的3脚、第三二极管D3的正极连接,第三二极管D3的负极与继电器的4脚连接12V模拟电源;继电器的2脚接220V火线,1脚与加热丝的一端连接,加热丝的另一端接220V零线。
[0014] 本发明的温度控制方法包括以下步骤:
[0015] 步骤(1):ARM处理器实时读取热电偶的经过放大滤波的电压信号,经过查找热电偶分度表换算出相应的温度值T_k,同时读取通过放大滤波后的室温采集放大电路的信号,转换成温度值T_Base,则实际温度T为T_k与T_Base的和。
[0016] 步骤(2):ARM处理器对检测到的温度值进行PID计算产生控制信号。
[0017] 步骤(3):220V交流过零检测电路实时检测交流电的频率和过零点,当交流电频率在-48Hz~52Hz时并且在交流电过零时,ARM处理器根据PID的计算结果输出控制信号控制继电器的打开与关闭。如果检测到交流电不正常,则立即关闭加热。
[0018] 本发明的有益效果是:实时检测220V交流电的频率和过零点,在交流电不正常时,能立即关闭加热输出,对系统起到了保护作用;只有在交流电过零的时候才会使继电器动作,延长了继电器的寿命;热电偶检测温度时候,要与金属器件直接接触,工业设备难免存在漏电流,这些漏电流会对热电偶检测温度产生很大的共模干扰,本电路采用仪表放大器进行前端放大,极大的抑制了这种干扰;二阶有源滤波器对热电偶的信号进一步滤波,大大改善了信号质量。

实施方案

[0024] 下面结合附图和实例对本发明进一步说明。
[0025] 如图1所示,一种基于ARM的温度采集控制系统包括ARM处理器、220V交流过零检测电路、热电偶温度采集放大滤波电路、室温采集放大电路以及温度控制输出电路。此处所用的ARM处理器为ST公司的STM32F103ZET6。
[0026] 如图2所示,所述的220V交流过零检测电路包括6个电阻,2个二极管,第一运算放大器LM358和1片光耦NEC2501L-1。
[0027] 第一电阻R1的一端接220V交流电的火线,另一端与第三电阻R3的一端、第一二极管D1的负极、第二二极管D2的正极、第一运算放大器U1A的正向输入端连接;第二电阻R2的一端接220V交流电的零线,另一端与第四电阻R4的一端、第一二极管D1的正极、第二二极管D2的负极、第一运算放大器U1A的反向输入端连接;第三电阻R3的另一端与第四电阻R4的另一端连接并接地,第一运算放大器U1A的正电源端与第一电容C1的一端连接并接12V模拟电源,负电源端与第一电容C1的另一端连接并接地,输出端与光耦的1脚连接;光耦的2脚与第五电阻R5的一端连接,第五电阻R5的另一端接地;光耦的4脚接3.3V电源,3脚与第六电阻R6的一端连接并与ARM处理器的一个带定时器功能的I/O口连接;第六电阻R6的另一端接系统地。
[0028] 如图3所示,所述的热电偶温度采集放大滤波电路包括仪表放大器U2、第二运算放大器U3、7个电阻和9个电容,仪表放大器U2的型号为INA126,第二运算放大器U3的型号为OP07;
[0029] 第七电阻R7的一端与热电偶的负极连接,第七电阻R7的另一端与第二电容C2的一端、第九电阻R9的一端、第四电容C4的一端、仪表放大器U2的2脚负输入端连接,第八电阻R8的一端与热电偶的正极连接,第八电阻R8的另一端与第二电容C2的另一端、第十电阻R10的一端、第三电容C3的一端、仪表放大器U2的2脚正输入端连接;仪表放大器U2的1脚与第十一电阻R11的一端连接,8脚与第十一电阻R11的另一端连接,4脚与第五电容C5的一端连接并接负5V模拟电源,5脚与第九电阻R9的另一端、第四电容C4的另一端、第十电阻R10的另一端、第三电容C3的另一端、第五电容C5的另一端、第六电容C6的一端、第七电容C7的一端连接并接模拟地,6脚与第七电容C7的另一端、第十二电阻R12的一端连接,7脚与第六电容C6的另一端连接并接正5V模拟电源;第十二电阻R12的另一端与第十三电阻R13的一端、第八电容C8的一端连接,第八电容C8的另一端与第二运算放大器U3的2脚、第二运算放大器U3的6脚并与ARM处理器的一个模拟输入脚连接,第十三电阻R13的另一端与第二运算放大器U3的3脚、第九电容C9的一端连接,第九电容C9的另一端接模拟地;第二运算放大器U3的4脚与第十电容C10的一端连接并接负5V模拟电源,7脚与第十电容C10的另一端连接并接正5V模拟电源,1脚、5脚、8脚架空;
[0030] 如图4所示,室温采集放大电路包括温度传感器U4,第三运算放大器U5、3个电阻和2个电容,所述的温度传感器U4型号为LM35DZ,所述的第三运算放大器U5型号为OP07;
[0031] 所述的温度传感器U4的1脚与第十四电阻R14的一端连接并接5V模拟电源,第十四电阻R14的另一端与第十六电阻R16的一端、第三运算放大器U5的2脚连接,温度传感器U4的2脚与第十五电阻R15的一端连接,第十五电阻R15的另一端与第十一电容C11的一端、第三运算放大器U5的3脚连接,第十一电容C11的另一端接5V模拟地,温度传感器U4的3脚接5V模拟电源;第三运算放大器U5的4脚与第十二电容C12的一端连接并接负5V模拟电源,7脚与第十二电容C12的另一端连接并接正5V模拟电源,1脚、5脚、8脚架空;6脚与第十六电阻R16的另一端连接并接ARM处理器另一个模拟输入脚,
[0032] 如图5所示,所述的温度控制输出电路包括第二光耦OC2,一个MOS管,一个继电器,一个二极管和一个电阻。
[0033] 所述的第二光耦OC2的1脚接ARM处理器的控制信号输出脚,2脚接数字地,4脚接12V隔离电源,3脚与MOS管的栅极、第十七电阻R17的一端连接,第十七电阻R17的另一端与MOS管的源极S连接并接隔离地,MOS管的漏极D与继电器的3脚、第三二极管D3的正极连接,第三二极管D3的负极与继电器的4脚连接12V模拟电源;继电器的2脚接220V火线,1脚与加热丝的一端连接,加热丝的另一端接220V零线。
[0034] 本发明的温度控制方法包括以下步骤:
[0035] 步骤(1):处理器MCU实时读取热电偶的经过放大滤波的电压信号,经过查找热电偶分度表换算出相应的温度值K-Temp,同时读取室温采集放大电路的信号转换成温度值Base-Temp,则实际温度T为K-Temp与Base-Temp的和。
[0036] 步骤(2):处理器MCU对检测到的温度值进行PID计算产生控制信号。
[0037] 步骤(3):220V交流过零检测电路实时检测交流电的频率和过零点,当交流电频率在合理范围内时,在交流电过零时,MCU输出控制信号控制继电器的打开与关闭。如果检测到交流电不正常,则立即关闭加热。

附图说明

[0019] 图1是本温度采集控制系统的整体框架图。
[0020] 图2是本发明的220V交流过零检测电路;
[0021] 图3是本发明的热电偶温度采集放大滤波电路;
[0022] 图4是本发明的室温采集放大电路;
[0023] 图5是本发明的温度控制输出电路。
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