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一种高分子行星研磨盘的破坏处理设备   0    0

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专利申请流程有哪些步骤?
专利申请流程图
申请
申请号:指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。
申请日:提出专利申请之日。
2016-04-01
申请公布
申请公布指发明专利申请经初步审查合格后,自申请日(或优先权日)起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。
申请公布号:专利申请过程中,在尚未取得专利授权之前,国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。
申请公布日:申请公开的日期,即在专利公报上予以公开的日期。
2016-09-14
授权
授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由,授予发明专利权;或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由,授予实用新型专利权或外观设计专利权。
2017-11-28
预估到期
发明专利权的期限为二十年,实用新型专利权期限为十年,外观设计专利权期限为十五年,均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。
2036-04-01
基本信息
有效性 有效专利 专利类型 发明专利
申请号 CN201610198483.X 申请日 2016-04-01
公开/公告号 CN105856454B 公开/公告日 2017-11-28
授权日 2017-11-28 预估到期日 2036-04-01
申请年 2016年 公开/公告年 2017年
缴费截止日
分类号 B29B17/00 主分类号 B29B17/00
是否联合申请 独立申请 文献类型号 B
独权数量 1 从权数量 0
权利要求数量 1 非专利引证数量 0
引用专利数量 0 被引证专利数量 0
非专利引证
引用专利 被引证专利
专利权维持 3 专利申请国编码 CN
专利事件 转让 事务标签 公开、实质审查、申请权转移、授权、权利转移
申请人信息
申请人 第一申请人
专利权人 南京汉尔斯生物科技有限公司 当前专利权人 宿州市徽腾知识产权咨询有限公司
发明人 邵根顺 第一发明人 邵根顺
地址 江苏省南京市麒麟科技创新园智汇路300号B单元二楼 邮编 211100
申请人数量 1 发明人数量 1
申请人所在省 江苏省 申请人所在市 江苏省南京市
代理人信息
代理机构
专利代理机构是经省专利管理局审核,国家知识产权局批准设立,可以接受委托人的委托,在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。
代理人
专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务,取得一定资格的人。
摘要
一种高分子行星研磨盘的破坏处理设备,其特征在于:该设备包括机架、机架上设有行星研磨盘破坏装置,所述的行星研磨盘破坏装置包括在机架上部设置有一组破坏夹具以及连接破坏夹具下部的电控移动座,所述的破坏夹具包括左夹紧腔、右夹紧腔,所述的左夹紧腔包括设置在移动轨道上的左外壳体,在左外壳体中设置行星研磨盘放置夹块,在左外壳体中设置左热熔圈,在左外壳体的中心位置设置液压顶紧块,所述的右夹紧腔包括设置在移动轨道上的右外壳体,在右外壳体中设置右热熔圈,在右外壳体的中心位置设置液压顶紧块形状匹配的压紧物收纳槽。本发明的有益效果:该设备结构简单、使用方便、适合各种高分子行星研磨盘融小体积的处理。节省了处理空间,提高重塑的能耗损失。
  • 摘要附图
    一种高分子行星研磨盘的破坏处理设备
  • 说明书附图:图1
    一种高分子行星研磨盘的破坏处理设备
  • 说明书附图:图2
    一种高分子行星研磨盘的破坏处理设备
  • 说明书附图:图3
    一种高分子行星研磨盘的破坏处理设备
法律状态
序号 法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
1 2019-10-22 专利权的转移 登记生效日: 2019.09.26 专利权人由南京汉尔斯生物科技有限公司变更为宿州市徽腾知识产权咨询有限公司 地址由211100 江苏省南京市麒麟科技创新园智汇路300号B单元二楼变更为234000 安徽省宿州市银河二路以北磬云路以东港丽锦绣江南(西区)B1楼1602室
2 2017-11-28 授权
3 2017-11-21 著录事项变更 发明人由刘超变更为邵根顺
4 2017-11-21 专利申请权的转移 登记生效日: 2017.11.01 申请人由刘超变更为南京汉尔斯生物科技有限公司 地址由239000 安徽省滁州市城北新区林楼小区7幢2单元变更为211100 江苏省南京市麒麟科技创新园智汇路300号B单元二楼
5 2016-09-14 实质审查的生效 IPC(主分类): B29B 17/00 专利申请号: 201610198483.X 申请日: 2016.04.01
6 2016-08-17 公开
权利要求
权利要求书是申请文件最核心的部分,是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。
1.一种高分子行星研磨盘的破坏处理设备,其特征在于:该设备包括机架、机架上设有行星研磨盘破坏装置,所述的行星研磨盘破坏装置包括在机架上部设置有一组破坏夹具以及连接破坏夹具下部的电控移动座,所述的破坏夹具包括左夹紧腔、右夹紧腔,所述的左夹紧腔包括设置在移动轨道上的左外壳体,在左外壳体中设置行星研磨盘放置夹块,在左外壳体中设置左热熔圈,在左外壳体的中心位置设置液压顶紧块,所述的右夹紧腔包括设置在移动轨道上的右外壳体,在右外壳体中设置右热熔圈,在右外壳体的中心位置设置液压顶紧块形状匹配的压紧物收纳槽,所述的液压顶紧块与机架中液压驱动装置连接,所述的左热熔圈、右热熔圈与机架中电热控制器连接,所述的移动轨道上的电控移动座与机架中移动控制器连接;所述的左外壳体的上部设置抽压真空嘴;所述的左外壳体的上部设置放气嘴。
说明书

技术领域

[0001] 本发明涉及行星研磨盘领域,尤其是涉及一种高分子行星研磨盘的破坏处理设备。

背景技术

[0002] 目前,研磨机的行星研磨盘为高分子塑料材料制作,在使用磨损后也无其他用处,若将粉碎处理;一方面粉碎处理的时间较长,一般粉碎设备的粉碎刀具容易损坏。研磨盘的体积较大,若缩小化处理再以后的回炉重塑造的过程更显方便。

发明内容

[0003] 本发明的目的是提供一种高分子行星研磨盘的破坏处理设备,解决高分子行星研磨盘热处理的问题。
[0004] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种高分子行星研磨盘的破坏处理设备,其特征在于:该设备包括机架、机架上设有行星研磨盘破坏装置,所述的行星研磨盘破坏装置包括在机架上部设置有一组破坏夹具以及连接破坏夹具下部的电控移动座,所述的破坏夹具包括左夹紧腔、右夹紧腔,
[0005] 所述的左夹紧腔包括设置在移动轨道上的左外壳体,在左外壳体中设置行星研磨盘放置夹块,在左外壳体中设置左热熔圈,在左外壳体的中心位置设置液压顶紧块,[0006] 所述的右夹紧腔包括设置在移动轨道上的右外壳体,在右外壳体中设置右热熔圈,在右外壳体的中心位置设置液压顶紧块形状匹配的压紧物收纳槽,所述的液压顶紧块与机架中液压驱动装置连接,所述的左热熔圈、右热熔圈与机架中电热控制器连接,所述的移动轨道上的电控移动座与机架中移动控制器连接。
[0007] 所述的左外壳体的上部设置抽压真空嘴。
[0008] 所述的左外壳体的上部设置放气嘴。
[0009] 本发明的有益效果:该设备结构简单、使用方便、适合各种高分子行星研磨盘融小体积的处理。节省了处理空间,提高重塑的能耗损失。
[0010] 以下将结合附图和实施例,对本发明进行较为详细的说明。

实施方案

[0014] 实施例1,如图1、2、3所示,一种高分子行星研磨盘的破坏处理设备,其特征在于:该设备包括机架1、机架1上设有行星研磨盘破坏装置,所述的行星研磨盘破坏装置包括在机架1上部设置有一组破坏夹具以及连接破坏夹具下部的电控移动座,所述的破坏夹具包括左夹紧腔、右夹紧腔;
[0015] 所述的左夹紧腔包括设置在移动轨道2上的左外壳体3,在左外壳体3中设置行星研磨盘放置夹块4,在左外壳体3中设置左热熔圈5,在左外壳体3的中心位置设置液压顶紧块6,
[0016] 所述的右夹紧腔包括设置在移动轨道2上的右外壳体7,在右外壳体7中设置右热熔圈8,在右外壳体7的中心位置设置液压顶紧块形状匹配的压紧物收纳槽9,所述的液压顶紧块6与机架1中的液压驱动装置10连接,所述的左热熔圈5、右热熔圈8与机架1中电热控制器11连接,所述的移动轨道2上的电控移动座12与机架1中移动控制器13连接。
[0017] 所述的左外壳体3的上部设置抽压真空嘴14。
[0018] 所述的左外壳体3的上部设置放气嘴15。所述的左外壳体3、右外壳体7的内边部设置隔热圈16.
[0019] 工作方式:左夹紧腔、右夹紧腔的紧和后,高分子行星研磨盘放置在行星研磨盘放置夹块4上通过左热熔圈5、右热熔圈8加热一段时间后液压顶紧块6将热熔过后的高分子行星研磨盘压进压紧物收纳槽9中此时高分子行星研磨盘形成较小的融化体。
[0020] 该设备结构简单、使用方便、适合各种高分子行星研磨盘融小体积的处理。节省了处理空间,提高重塑的能耗损失。
[0021] 以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明权利要求范围所做的均等变化,皆应属本发明权利要求的涵盖范围。

附图说明

[0011] 图1为发明的构造示意图。
[0012] 图2为发明中左夹紧腔构造示意图。
[0013] 图3为发明中右夹紧腔构造示意图。
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