实施方案
[0010] 下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
[0011] 如图1所示,无极灯安全浮动驱动电路,包括浮动电源与安全栅极控制电路、无极灯MOSFET单桥臂谐振驱动电路。
[0012] 浮动电源与安全栅极控制电路包括上限流电阻R1、上基极电阻R2、上封锁电阻R3、下限流电阻R4、下封锁电阻R5、光耦电阻R8、浮地电阻R9、控制三极管VT1、上封锁三极管VT2、下封锁三极管VT3、光电耦合器IC1、正驱动三极管VT4、负驱动三极管VT5、充电二极管D1、浮动电源电容C1,上限流电阻R1的一端与上桥臂控制信号端Uch端、下封锁电阻R5的一端连接,上限流电阻R1的另一端与上基极电阻R2的一端、上封锁三极管VT2的集电极连接,上基极电阻R2的另一端与控制三极管VT1的基极连接,控制三极管VT1的射极接地,下限流电阻R4的一端与下桥臂控制信号端Ucl端、上封锁电阻R3的一端连接,上封锁电阻R3的另一端与上封锁三极管VT2的基极连接,上封锁三极管VT2的射极接地,下限流电阻R4的另一端与下栅极电阻R6的一端、下封锁三极管VT3的集电极连接,下封锁三极管VT3的基极与下封锁电阻R5的另一端连接,下封锁三极管VT3的射极接地,控制三极管VT1的集电极与光电耦合器IC1的发光侧阴极连接,光电耦合器IC1的发光侧阳极与光耦电阻R8的一端连接,光耦电阻R8的另一端与低压电源端+VCC端、充电二极管D1的阳极连接,充电二极管D1的阴极与光电耦合器IC1的输出侧集电极、正驱动三极管VT4的集电极、浮动电源电容C1的一端连接,光电耦合器IC1的输出侧射极与正驱动三极管VT4的基极、负驱动三极管VT5的基极、浮地电阻R9的一端连接,正驱动三极管VT4的射极与负驱动三极管VT5的射极、上栅极电阻R10的一端连接;
[0013] 无极灯MOSFET单桥臂谐振驱动电路包括下栅极电阻R6、下源极电阻R7、上栅极电阻R10、上源极电阻R11、上功率控制管VT6、下功率控制管VT7、上续流二极管D2、下续流二极管D3、谐振电感L1、并联电容C2、串联电容C3、无极灯Y1,下栅极电阻R6的另一端与下源极电阻R7的一端、下功率控制管VT7的栅极g端连接,下源极电阻R7的另一端接地,上栅极电阻R10的另一端与上源极电阻R11的一端、上功率控制管VT6的栅极g端连接,上功率控制管VT6的漏极d端与上续流二极管D2的阴极、高压电源端+Us端连接,上功率控制管VT6的源极s端与上续流二极管D2的阳极、浮地电阻R9的另一端、负驱动三极管VT5的集电极、浮动电源电容C1的另一端、上源极电阻R11的另一端、谐振电感L1的一端、下功率控制管VT7的漏极d端、下续流二极管D3的阴极连接,下功率控制管VT7的源极s端接地,下续流二极管D3的阳极接地,谐振电感L1的另一端与并联电容C2的一端、串联电容C3的一端连接,并联电容C2的另一端接地,串联电容C3的另一端与无机灯Y1的一端连接,无机灯Y1的另一端接地。
[0014] 本实用新型所使用的包括光电耦合器IC1、控制三极管VT1、上封锁三极管VT2、下封锁三极管VT3、光电耦合器IC1、正驱动三极管VT4、负驱动三极管VT5、浮动电源电容C1、上功率控制管VT6、下功率控制管VT7等在内的主要器件均采用现有的成熟产品,可以通过市场取得。例如:光电耦合器采用6N136,控制三极管、上封锁三极管、下封锁三极管、正驱动三极管均采用C8050型NPN三极管,负驱动三极管采用C8550型PNP三极管,浮动电源电容采用CBB电容器,功率控制管采用SSH10N80A等。
[0015] 本实用新型中的主要电路参数配合关系如下:
[0016] 设:光电耦合器IC1的发光侧额定电流为IF、发光管压降为VF、控制三极管VT1的共射极电流增益为β,UcH为上桥臂控制信号Uch的高电平。则:
[0017]
[0018]
[0019] R1=R4 (3)
[0020] R3=R5=10R1 (4)
[0021] R6=R10 (5)
[0022] R7=R11=5000R6 (6)
[0023] 本实用新型工作过程如下:
[0024] (1)上桥臂控制信号Uch、下桥臂控制信号Ucl不能同时为高电平,若同时出现高电平的错误信号,则,上封锁三极管VT2、下封锁三极管VT3同时导通,进而使上功率控制管VT6、下功率控制管VT7均处于安全关断的保护状态;
[0025] (2)当下桥臂控制信号Ucl为高电平,上桥臂控制信号Uch为低电平时,则,上功率控制管VT6关断,下功率控制管VT7导通,低压电源+VCC即通过充电二极管D1给浮动电源电容C1充电,为接着即将导通的上功率控制管VT6的栅极驱动电路准备好电源支持条件;
[0026] (3)当下桥臂控制信号Ucl为低电平,上桥臂控制信号Uch为高电平时,则,下功率控制管VT7关断,光电耦合器IC1输出级饱和,正驱动三极管VT4导通,则上功率控制管VT6也导通,此时的VT6栅极驱动电源由充电的浮动电源电容C1电压提供,因MOSFET的栅极驱动电路为低功耗电路,所以浮动电源电容C1上的电压足以支持对上功率控制管VT6导通期间的电源支持。