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三维钴酸镍@硒化钴(II)纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用   0    0

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专利申请流程有哪些步骤?
专利申请流程图
申请
申请号:指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。
申请日:提出专利申请之日。
2019-06-24
申请公布
申请公布指发明专利申请经初步审查合格后,自申请日(或优先权日)起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。
申请公布号:专利申请过程中,在尚未取得专利授权之前,国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。
申请公布日:申请公开的日期,即在专利公报上予以公开的日期。
2019-09-17
授权
授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由,授予发明专利权;或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由,授予实用新型专利权或外观设计专利权。
2022-06-07
预估到期
发明专利权的期限为二十年,实用新型专利权期限为十年,外观设计专利权期限为十五年,均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。
2039-06-24
基本信息
有效性 有效专利 专利类型 发明专利
申请号 CN201910549889.1 申请日 2019-06-24
公开/公告号 CN110152692B 公开/公告日 2022-06-07
授权日 2022-06-07 预估到期日 2039-06-24
申请年 2019年 公开/公告年 2022年
缴费截止日
分类号 B01J27/057C25B1/04C25B11/054C25B11/061C25B11/091 主分类号 B01J27/057
是否联合申请 独立申请 文献类型号 B
独权数量 1 从权数量 7
权利要求数量 8 非专利引证数量 0
引用专利数量 6 被引证专利数量 0
非专利引证
引用专利 CN109621981A、CN109621981A、CN109174146A、CN109046394A、CN108615616A、US2019088930A1 被引证专利
专利权维持 3 专利申请国编码 CN
专利事件 事务标签 公开、实质审查、授权
申请人信息
申请人 第一申请人
专利权人 安徽师范大学 当前专利权人 安徽师范大学
发明人 王秀华、容芳、郭泽宇 第一发明人 王秀华
地址 安徽省芜湖市九华南路189号 邮编 241002
申请人数量 1 发明人数量 3
申请人所在省 安徽省 申请人所在市 安徽省芜湖市
代理人信息
代理机构
专利代理机构是经省专利管理局审核,国家知识产权局批准设立,可以接受委托人的委托,在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。
北京润平知识产权代理有限公司 代理人
专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务,取得一定资格的人。
张苗、张海应
摘要
本发明公开了一种三维钴酸镍@硒化钴(II)纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用,该制备方法包括:将ZnCo2O4纳米针阵列、硒氢化钠和钴源于水中进行水热反应以制得三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料。该三维钴酸镍@硒化钴(II)纳米针阵列复合材料具有优异的电催化活性和循环稳定性,可以在电催化水解的电极材料中得以应用,同时该制备方法操作简单、成本低廉、条件温和、绿色环保。
  • 摘要附图
    三维钴酸镍@硒化钴(II)纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用
  • 说明书附图:图1
    三维钴酸镍@硒化钴(II)纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用
  • 说明书附图:图2
    三维钴酸镍@硒化钴(II)纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用
  • 说明书附图:图3
    三维钴酸镍@硒化钴(II)纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用
  • 说明书附图:图4
    三维钴酸镍@硒化钴(II)纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用
  • 说明书附图:图5
    三维钴酸镍@硒化钴(II)纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用
  • 说明书附图:图6
    三维钴酸镍@硒化钴(II)纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用
法律状态
序号 法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
1 2022-06-07 授权
2 2019-09-17 实质审查的生效 IPC(主分类): B01J 27/057 专利申请号: 201910549889.1 申请日: 2019.06.24
3 2019-08-23 公开
权利要求
权利要求书是申请文件最核心的部分,是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。
1.一种三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的制备方法,其特征在于,包括:将ZnCo2O4纳米针阵列、硒氢化钠和钴源于水中进行水热反应以制得所述三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料;
所述ZnCo2O4纳米针阵列满足以下条件:直径为80‑100nm,长度为2‑3μm;
所述三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料是由二维CoSe薄片与一维ZnCo2O4纳米针阵列复合而得;其中,所述二维CoSe薄片包覆于一维ZnCo2O4纳米针阵列的表面,所述一维ZnCo2O4纳米针阵列是由ZnCo2O4纳米针负载于泡沫镍上形成。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述ZnCo2O4纳米针阵列、硒氢化钠和六水合醋酸钴的用量比为0.02g‑0.07g:0.5‑2.5mmol:0.5‑2.5mmol。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述ZnCo2O4纳米针阵列、水的用量比为
0.02g‑0.07g:25‑50mL。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述水热反应满足以下条件:反应温度为
140‑200℃,反应时间为0.5‑5h。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述钴源选自六水合醋酸钴、氯化钴、硝酸钴和碳酸钴中的至少一者。

6.根据权利要求1‑5中任意一项所述的制备方法,其中,所述ZnCo2O4纳米针阵列通过以下方法制得:
1)在泡沫镍上覆盖着ZnCo2O4前驱体;
2)将覆盖有ZnCo2O4前驱体的泡沫镍在400‑450℃的空气中退火2‑3h得到ZnCo2O4纳米针阵列。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其中,在泡沫镍上覆盖着ZnCo2O4前驱体的步骤为:
将Zn(NO3)2·6H2O、Co(NO3)2·6H2O、尿素、氟化氨和水按照0.5mmol:1‑1.5mmol:2.5‑3mmol:
1‑1.5mmol:30‑50mL的用量比在120‑140℃下水热反应5‑8h。

8.权利要求1所述的制备方法得到的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料在电催化水解电极材料中应用。
说明书

技术领域

[0001] 本发明涉及纳米针阵列复合材料,具体地,涉及一种三维钴酸镍@硒化钴(II)纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用。

背景技术

[0002] 为了解决由于化石燃料的滥用而致使全球范围内能源短缺、环境危机和气候恶化等一系列问题,更多的研究聚焦于寻找可再生和绿色环保的能源。优异的能量密度,出众的能量转换效率和零污染物排放的氢气被发现是传统化石燃料有前景的替代品。在大规模的工业化生产中碱性电解液被指出是产高纯氢的最有效的方法之一。但是,介于缓慢的阳极氧析出反应(OER)的动力学,这个反应过程一般会被效率低和电位过高影响。用高效的OER电催化剂来提高反应的速率并降低过电位。Ir和Ru的OER电催化剂是具有最优异的表现,但是由于过高的成本、稀有性和不稳定性,致使它们在商业上的应用变得不切实际。
[0003] 最近几年,过渡金属材料包括金属氧化物、硫族化物、氮化物、磷化物和硒化物被认为是有前景的OER电催化剂材料。与单一金属氧化物相比,双金属氧化物的元素化物具有更高的OER活性。另外,根据研究,材料的催化效率很大部分是因为其形貌,根据不同的形貌,它可以为电化学反应贡献更多不同的活性区域。因此,在过渡金属氧化物纳米片等二维纳米材料的想法和合成中做了很多的试验,以增加暴露的活性位点为重点,因此提高电催化性能。然而,由于它们之间存在着范德瓦尔斯吸引力,纳米片合成过程中会很容易聚集在一起,从而导致可用表面积的减少。

发明内容

[0004] 本发明的目的是提供一种三维钴酸镍@硒化钴(II)纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用,该三维钴酸镍@硒化钴(II)纳米针阵列复合材料具有优异的电催化活性和循环稳定性,可以电催化水解的电极材料中得以应用,同时该制备方法操作简单、成本低廉、条件温和、绿色环保。
[0005] 为了实现上述目的,本发明提供了一种三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料,三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料是由二维CoSe薄片与一维ZnCo2O4纳米针复合而得;其中,所述二维CoSe纳米片包覆于一维ZnCo2O4纳米针的表面,所述一维ZnCo2O4纳米针阵列是由ZnCo2O4纳米针负载于泡沫镍上形成。
[0006] 本发明还提供了上述的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的制备方法,包括:将ZnCo2O4纳米针阵列、硒氢化钠和钴源于水中进行水热反应以制得三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料。
[0007] 本发明还提供了如上述的一种三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料在电催化水解电极材料中应用。
[0008] 在上述技术方案中,本发明通过将二维CoSe薄片与一维ZnCo2O4纳米针阵列复合得到三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料,该纳米针阵列复合材料具有优异的电催化活2
性好和循环稳定性好,可用作电催化水解的电极材料;具体地,在10mA/cm电流密度下,三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的析氧过电势为288mV;经过1000次循环后,该纳米针阵列的电催化活性仍能保持比较稳定,说明三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料具有良好的稳定性。同时,该制备方法是一种操作简单、成本低廉、条件温和、绿色环保的水热反应法。
[0009] 本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

实施方案

[0017] 以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
[0018] 在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值,这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说,各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间,以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围,这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
[0019] 本发明提供了一种三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料,其特征在于,三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料是由二维CoSe薄片与一维ZnCo2O4纳米针复合而得;其中,所述二维CoSe纳米片包覆于一维ZnCo2O4纳米针的表面,所述一维ZnCo2O4纳米针阵列是由ZnCo2O4纳米针负载于泡沫镍上形成。
[0020] 本发明还提供了上述的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的制备方法,包括:将ZnCo2O4纳米针阵列、硒氢化钠和钴源于水中进行水热反应以制得三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料。
[0021] 在上述制备方法中,各物料的用量可以在宽的范围内选择,但是为了进一步提高制得的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的电催化活性和循环稳定性,优选地,ZnCo2O4纳米针阵列、硒氢化钠和六水合醋酸钴的用量比为0.02g‑0.07g:0.5‑2.5mmol:0.5‑2.5mmol。
[0022] 在上述制备方法中,水的用量可以在宽的范围内选择,但是为了提高反应速率以及产率,优选地,ZnCo2O4纳米针阵列、水的用量比为0.02g‑0.07g:25‑50mL。
[0023] 在上述制备方法中,水热反应的条件可以在宽的范围内选择,但是为了进一步提高制得的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的电催化活性和循环稳定性,优选地,水热反应满足以下条件:反应温度为140‑200℃,反应时间为0.5‑5h;优选0.5‑1h。
[0024] 在上述制备方法中,钴源的种类可以在宽的范围内选择,但是为了进一步提高制得的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的电催化活性和循环稳定性,优选地,钴源选自六水合醋酸钴、氯化钴、硝酸钴和碳酸钴中的至少一者。
[0025] 在上述制备方法中,ZnCo2O4纳米针阵列的尺寸可以在宽的范围内选择,但是为了进一步提高制得的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的电催化活性和循环稳定性,优选地,ZnCo2O4纳米针阵列满足以下条件:直径为80‑100nm,长度为2‑3μm;
[0026] 在本发明中中,ZnCo2O4纳米针阵列可以是市售品,也可以是通过自行制备制得,为了进一步提高制得的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的电催化活性和循环稳定性,优选地,ZnCo2O4纳米针阵列通过以下方法制得:
[0027] 1)在泡沫镍上覆盖着ZnCo2O4前驱体;
[0028] 2)将覆盖有ZnCo2O4前驱体的泡沫镍在400‑450℃的空气中退火2‑3h得到ZnCo2O4纳米针阵列。
[0029] 在上述ZnCo2O4纳米针阵列的制备方法中,步骤1)的具体操作可以在宽的范围内选择,但是为了提高制得的ZnCo2O4前驱体的产率,优选地,在泡沫镍上覆盖着ZnCo2O4前驱体的步骤为:将Zn(NO3)2·6H2O、Co(NO3)2·6H2O、尿素、氟化氨和水按照0.5mmol:1‑1.5mmol:2.5‑3mmol:1‑1.5mmol:30‑50mL的用量比在120‑140℃下水热反应5‑8h。其中,泡沫镍仅仅起到的是基底的作用,其含量对最终形成的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的电催化活性和循环稳定性没有明显的影响。
[0030] 本发明还提供了如上述的一种三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料在电催化水解电极材料中应用。
[0031] 以下将通过实施例对本发明进行详细描述。
[0032] 实施例1
[0033] 1)将1mmol六水合硝酸钴、0.5mmol六水合硝酸锌、1mmol氟化铵、2.5mmol尿素溶解于35ml去离子水中,磁力搅拌30min后,将混合溶液转入50ml反应釜中,再向其中加入清洗好的泡沫镍(单侧面的规格为2cm×3cm)。将反应釜放入120℃恒温箱中,反应5h。反应结束后,清洗,烘干,得到ZnCo2O4纳米针阵列前躯体;将ZnCo2O4纳米针阵列前驱体(含泡沫镍)在空气气氛中以400℃的温度煅烧2h,得到ZnCo2O4纳米针阵列;
[0034] 2)将1mmol四水合乙酸镍、1mmol硒氢化钠混合和水30ml加入50ml的反应釜中,再向釜中加入上述合成好的ZnCo2O4纳米针阵列(含泡沫镍),密封,将反应釜放入180℃的恒温干燥箱中反应时间为0.5h,反应完成后清洗,70℃干燥,得到三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料。
[0035] 实施例2
[0036] 1)将5mmol六水合硝酸钴、2.5mmol六水合硝酸锌、5mmol氟化铵、12.5mmol尿素溶解于35ml去离子水中,磁力搅拌30min后,将混合溶液转入50ml反应釜中,再向其中加入清洗好的泡沫镍(单侧面的规格为2×3cm)。将反应釜放入120℃恒温箱中,反应5h。反应结束后,清洗,烘干,得到ZnCo2O4纳米针阵列前躯体;将ZnCo2O4纳米针阵列前驱体(含泡沫镍)在空气气氛中以400℃的煅烧2h,得到ZnCo2O4纳米针阵列;
[0037] 2)将1mmol四水合乙酸镍、1mmol硒氢化钠混合和水30ml加入50ml的反应釜中,再向釜中加入上述合成好的ZnCo2O4纳米针阵列(含泡沫镍),密封,将反应釜放入180℃的恒温干燥箱中反应时间为0.5h,反应完成后清洗,70℃干燥,得到三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料。
[0038] 实施例3
[0039] 1)将1mmol六水合硝酸钴、0.5mmol六水合硝酸锌、1mmol氟化铵、2.5mmol尿素溶解于35ml去离子水中,磁力搅拌30min后,将混合溶液转入50ml反应釜中,再向其中加入清洗好的泡沫(单侧面的规格为2cm×3cm)。将反应釜放入120℃恒温箱中,反应5h。反应结束后,清洗,烘干,得到ZnCo2O4纳米针阵列前躯体;将ZnCo2O4纳米针阵列前驱体(含泡沫镍)在空气气氛中以400℃的煅烧2h,得到ZnCo2O4纳米针阵列;
[0040] 2)将5mmol四水合乙酸镍、5mmol硒氢化钠混合和水30ml加入50ml的反应釜中,再向釜中加入上述合成好的ZnCo2O4纳米针阵列,密封,将反应釜放入180℃的恒温干燥箱中反应时间为0.5h,反应完成后清洗,70℃干燥,得到三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料。
[0041] 实施例4
[0042] 1)将1mmol六水合硝酸钴、0.5mmol六水合硝酸锌、1mmol氟化铵、2.5mmol尿素溶解于35ml去离子水中,磁力搅拌30min后,将混合溶液转入50ml反应釜中,再向其中加入清洗好的泡沫镍(单侧面的规格为2cm×3cm)。将反应釜放入140℃恒温箱中,反应5h。反应结束后,清洗,烘干,得到ZnCo2O4纳米针阵列前躯体;将ZnCo2O4纳米针阵列前驱体(含泡沫镍)在空气气氛中以400℃的煅烧2h,得到ZnCo2O4纳米针阵列;
[0043] 2)将1mmol四水合乙酸镍、1mmol硒氢化钠混合和水30ml加入50ml的反应釜中,再向釜中加入上述合成好的ZnCo2O4纳米针阵列,密封,将反应釜放入180℃的恒温干燥箱中反应时间为0.5h,反应完成后清洗,70℃干燥,得到三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料。
[0044] 实施例5
[0045] 1)将1mmol六水合硝酸钴、0.5mmol六水合硝酸锌、1mmol氟化铵、2.5mmol尿素溶解于35ml去离子水中,磁力搅拌60min后,将混合溶液转入50ml反应釜中,再向其中加入清洗好的泡沫镍(单侧面的规格为2cm×3cm)。将反应釜放入120℃恒温箱中,反应5h。反应结束后,清洗,烘干,得到ZnCo2O4纳米针阵列前躯体;将ZnCo2O4纳米针阵列前驱体(含泡沫镍)在空气气氛中以400℃的煅烧2h,得到ZnCo2O4纳米针阵列;
[0046] 2)将1mmol四水合乙酸镍、1mmol硒氢化钠混合和水30ml加入50ml的反应釜中,再向釜中加入上述合成好的ZnCo2O4纳米针阵列,密封,将反应釜放入180℃的恒温干燥箱中反应时间为1h,反应完成后清洗,70℃干燥,得到三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料。
[0047] 实施例6
[0048] 按照实施例1的方法进行,所不同的是将四水合乙酸镍换为等摩尔量的六水合硝酸镍。
[0049] 检测例1
[0050] 1)用扫描电子显微镜(SEM)对实施例1所得产物(为了避免泡沫镍的干扰,样品采用超声的方法从泡沫镍刮下)进行形貌分析,结果如图1所示,表明所制得的样品为纳米针阵列复合结构。
[0051] 2)用透射电子显微镜(TEM)对实施例1所得产物形貌(为了避免泡沫镍的干扰,样品采用超声的方法从泡沫镍刮下)进行了分析,结果如图2所示;表明了该样品为纳米针阵列复合结构。
[0052] 3)用X射线衍射(XRD)检测实施例1所得产物(为了避免泡沫镍的干扰,样品采用超声的方法从泡沫镍刮下),结果如图3所示,得到图谱与JCPDS标准卡片NO.23‑1390所对应ZnCo2O4衍射峰及JCPDS标准卡片NO.89‑2004所对应的CoSe的衍射峰完全吻合;此XRD图充分地证明实施例1所得产物为ZnCo2O4@CoSe复合材料。
[0053] 检测例2
[0054] 以下测试所用仪器均为CHI660E电化学工作站,上海辰华仪器有限公司制造。以下测试均采用三电极体系,其中,将实施例1制得的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料(剪成1cm×1cm的片)作为工作电极;以碳棒电极和银氯化银电极分别作为对电极和参比电极;以1mol/L的KOH溶液作为电解液。
[0055] (1)电化学线性扫描伏安法(LSV)测试
[0056] 通过电化学线性扫描伏安法得出三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料在碱性溶液中的催化性能极化曲线:在析氧性能测试中,在电势为1.1~1.7Vvs.RHE区间内采用的扫‑1描速率为2mV·s 并有90%的iR补偿,从测试得到的极化曲线(图)可以看出在电流密度为‑2
10mA·cm 时,析氧的电势为1.485V(vs.RHE)。该复合材料析氧电势与理论水解电势相比,具有低过电势为288mV,可以看出该材料的析氧性能优越。
[0057] (2)循环伏安法(CV)测试
[0058] 通过电化学循环伏安法得出在碱性溶液中三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料‑1电催化稳定性。在没有iR补偿的情况下以50mV·s 的扫描速率对材料进行1000圈的析氧极化反应,并在1000圈后通过线性扫描伏安法测得极化曲线。由图5可以看出在1000圈后析氧极化曲线与最初的析氧极化曲线几乎相同,可以得到该材料具有稳定的析氧性能。
[0059] 按照检测例1‑2中相同的方法对实施例2‑6的产物进行检测,检测结果与实施例1的产物的检测结果基本一致。
[0060] 以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
[0061] 另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
[0062] 此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。

附图说明

[0010] 附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
[0011] 图1为实施例1制得的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的放大11K倍下扫描电子显微镜(SEM)图;
[0012] 图2为实施例1制得的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的透射电镜(TEM)图;
[0013] 图3为实施例1制得的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的X‑射线衍射谱(XRD)图;
[0014] 图4是实施例1制得的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的析氧极化曲线图;
[0015] 图5是实施例1制得的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的析氧1000圈后线性伏安曲线图;
[0016] 图6为实施例1制得的三维ZnCo2O4@CoSe纳米针阵列复合材料的放大35K倍下扫描电子显微镜(SEM)图。
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