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一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构   0    0

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专利申请流程有哪些步骤?
专利申请流程图
申请
申请号:指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。
申请日:提出专利申请之日。
2019-05-08
申请公布
申请公布指发明专利申请经初步审查合格后,自申请日(或优先权日)起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。
申请公布号:专利申请过程中,在尚未取得专利授权之前,国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。
申请公布日:申请公开的日期,即在专利公报上予以公开的日期。
2019-09-17
授权
授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由,授予发明专利权;或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由,授予实用新型专利权或外观设计专利权。
2021-02-05
预估到期
发明专利权的期限为二十年,实用新型专利权期限为十年,外观设计专利权期限为十五年,均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。
2039-05-08
基本信息
有效性 有效专利 专利类型 发明专利
申请号 CN201910382618.1 申请日 2019-05-08
公开/公告号 CN110161598B 公开/公告日 2021-02-05
授权日 2021-02-05 预估到期日 2039-05-08
申请年 2019年 公开/公告年 2021年
缴费截止日
分类号 G02B5/00G02B6/10G02B6/122 主分类号 G02B5/00
是否联合申请 独立申请 文献类型号 B
独权数量 1 从权数量 5
权利要求数量 6 非专利引证数量 1
引用专利数量 1 被引证专利数量 0
非专利引证 1、2002.02.07J.H. Yan,P. Liu,Z.Y. Lin等.Magnetically induced forward scatteringat visible wavelengths in siliconnanosphere oligomers《.naturecommunications》.2015,全文. Kaleem Ullah,Braulio Garcia-Camara,Muhammad Habib et.al..Chiral all-dielectric trimer nanoantenna《.Journal ofQuantitative Spectroscopy & RadiativeTransfer》.2018,全文.;
引用专利 US2002014589A 被引证专利
专利权维持 3 专利申请国编码 CN
专利事件 事务标签 公开、实质审查、授权
申请人信息
申请人 第一申请人
专利权人 东北石油大学 当前专利权人 东北石油大学
发明人 刘超、许文静、吕靖薇、汪发美、孙宇丹、刘强、刘伟、杨琳、吕婷婷、刘睿骑 第一发明人 刘超
地址 黑龙江省大庆市高新技术产业开发区学府街99号 邮编 163000
申请人数量 1 发明人数量 10
申请人所在省 黑龙江省 申请人所在市 黑龙江省大庆市
代理人信息
代理机构
专利代理机构是经省专利管理局审核,国家知识产权局批准设立,可以接受委托人的委托,在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。
大庆禹奥专利事务所 代理人
专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务,取得一定资格的人。
朱士文、杨晓梅
摘要
本发明涉及一种光学纳米天线,具体涉及一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构,天线结构由三个纳米球以沿x=y轴对称的形式构成,三个纳米球的直径D为200‑280nm,位于对称轴两侧的纳米球与位于对称轴心的纳米球之间的距离为0;纳米球的材质为高介电材料硅。该结构可用于调节远场方向特性,入射波的波矢平行于X轴方向,偏振平行于Y轴方向。利用多级分解的方法分析,该结构是一类既支持电偶极,磁偶极共振,又支持电四极,环形偶极共振的结构,这些共振模式的耦合作用实现了高介电材料硅纳米球三聚体结构的远场单向性散射。还为实现远场的单向性可控纳米天线提供了坚实的理论基础。
  • 摘要附图
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图1
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图2
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图3
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图4
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图5
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图6
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图7
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图8
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图9
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图10
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图11
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图12
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图13
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图14
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  • 说明书附图:图15
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  • 说明书附图:图16
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  • 说明书附图:图17
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
  • 说明书附图:图18
    一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
法律状态
序号 法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
1 2021-02-05 授权
2 2019-09-17 实质审查的生效 IPC(主分类): G02B 5/00 专利申请号: 201910382618.1 申请日: 2019.05.08
3 2019-08-23 公开
权利要求
权利要求书是申请文件最核心的部分,是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。
1.一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构,其特征在于:所述天线结构由三个纳米球以沿x=y轴对称的形式构成,三个纳米球的直径D为200-280nm,位于对称轴两侧的纳米球与位于对称轴心的纳米球之间的距离为0;所述纳米球的材质为硅。

2.根据权利要求1所述的一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构,其特征在于:所述纳米球的直径D为240nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构,其特征在于:所述纳米天线结构的背景折射率为常数1,硅纳米球三聚体纳米天线在外场的激发下,会产生局域表面等离子体共振现象。

4.根据权利要求1或2所述的一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构,其特征在于:所述学纳米天线结构的入射光为平面波,波矢平行于X轴方向,偏振平行于Y轴方向,磁场方向平行于Z轴。

5.根据权利要求1或2所述的一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构,其特征在于:所述纳米天线结构支持电偶极、电四级共振,磁偶极和环形偶极共振中的任意一种。

6.根据权利要求1或2所述的一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构,其特征在于:所述光学纳米天线结构中不同共振模式响应的耦合作用导致高介电材料硅纳米球三聚体结构磁热点的产生。
说明书
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