[0015] 首先请参见图1，图1是本发明手机的优选实施例的电路结构示意图。如图1所示，根据本发明实施例的手机10包括第一SIM卡卡槽11、第二SIM卡卡槽、第一受控开关13、第二受控开关14、电源管理芯片15、低压差线性稳压器16、NFC控制芯片17、电池18、第一电阻R1、第二电阻R2以及电容C1。
[0016] 其中，第一SIM卡卡槽11设置有第一数据连接端112，在NFC智能卡（图未示）插入第一SIM卡卡槽时，第一数据连接端112与NFC智能卡的数据传输引脚连接。第二SIM卡卡槽12设置有第二数据连接端122，在NFC智能卡插入第二SIM卡卡槽12时，第二数据连接端122与NFC智能卡的数据传输引脚连接。
[0017] NFC控制芯片17包括第三数据连接端171，第三数据连接端171分别与第一数据连接端112和第二数据连接端122连接，在NFC智能卡插入至第一SIM卡卡槽11与第二SIM卡卡槽12中的任一者时，NFC控制芯片通过第三数据连接端171以及NFC智能卡的数据传输引脚与NFC智能卡进行数据传输。在本实施例中，第三数据连接端171为NFC控制芯片17的SWP端口。
[0018] 在本实施例中，由于NFC控制芯片17的第三数据连接端171与第一数据连接端112和第二数据连接端122连接，因此，在NFC智能卡插入至第一SIM卡卡槽11与第二SIM卡卡槽12中的任一者时，NFC控制芯片均的第三数据连接端171均可与NFC智能卡的数据传输引脚连接，从而与NFC智能卡进行通信。
[0019] 在本实施例中，第一SIM卡卡槽11进一步设置有第一电源输入端111，以在NFC智能卡（图未示）插入第一SIM卡卡槽11时通过第一电源输入端111向插入至第一SIM卡卡槽11的NFC智能卡供电。第二SIM卡卡槽12设置进一步有第二电源输入端121，以在NFC智能卡（图未示）插入第二SIM卡卡槽12时通过第二电源输入端121向插入至第二SIM卡卡槽12的NFC智能卡供电。
[0020] 并且，电源管理芯片15包括第一电源输出端151、第二电源输出端152、控制电压输出端153以及电源输入端154。第一电源输出端151与第一电源输入端111连接，以在手机10正常工作时向第一SIM卡卡槽11提供第一供电电压，并在手机10关机时停止向第一SIM卡卡槽11提供第一供电电压。第二电源输出端152与第二电源输入端121连接，以在手机10正常工作时向第二SIM卡卡槽12提供第一供电电压，并在手机10关机时停止向第二SIM卡卡槽12提供第一供电电压。控制电压输出端153在手机10正常工作时输出控制电源，并在手机10关机时停止输出控制电压。
[0021] 低压差线性稳压器16（Low Dropout Regulator，LDO）用于提供第二供电电压，其包括IN端口、EN端口、OUT端口以及接地端口，低压差线性稳压器16的接地端口接地。在本实施例中，低压差线性稳压器16的OUT端口输出的第二供电电压的最大电压值优选为1.8V。
[0022] NFC控制芯片17进一步包括SIMMVCC端口以及VDHF端口。其中，NFC控制芯片17的SIMVCC端口连接低压差线性稳压器16的EN端口，以在手机10靠近读卡器（图未示）时产生使能电压，使得低压差线性稳压器16在使能电压的控制下输出第二供电电压。NFC控制芯片17的VDHF端口连接电容C1的一端，电容C1的另一端接地。在手机10靠近读卡器时，手机10具有卡模拟功能，读卡器会发出一个13.56MHz的磁场，此时NFC控制芯片17感应到该磁场并且在NFC控制芯片17的VDHF端口会产生一个2.5V的电压。在本实施例中，NFC控制芯片17优选为PN544芯片，VDHF端口产生的电压在NFC智能卡作为卡模拟功能时为NFC控制芯片17供电，在NFC控制芯片17从VDHF端口获取2.5V的电压后，NFC控制芯片17的SIMVCC端口产生使能电压为1.8V，并向低压差线性稳压器16的EN端口提供
5mA的电流。
[0023] 并且，手机10中设置有电池18，电池18分别与电源管理芯片15的电源输入端154以及低压差线性稳压器16的IN端口连接，以同时向电源管理芯片15以及低压差线性稳压器16供电。在本实施例中，电池18为电源管理芯片15提供的最低电压为手机10设定的最小关机电压，为低压差线性稳压器16供电的最小电压为2.6V。
[0024] 因此，在手机10靠近读卡器时，NFC控制芯片17从VDHF端口获取2.5V的电压，并产生1.8V的使能电压至低压差线性稳压器16的EN端口，使得低压差线性稳压器16从OUT端口输出第二供电电压。
[0025] 并且，请进一步参见图1，第一受控开关13包括第一端131、第二端132以及第三端133。第二受控开关14包括第一端141、第二端142以及第三端143。其中，第一受控开关13的第一端131和第二受控开关14的第一端141与低压差线性稳压器16的OUT端连接以获取第二供电电压。第一受控开关13的第三端133和第二受控开关14的第三端143与控制电压输出端153连接。第一受控开关13的第二端132与第一电源输入端111连接，第二受控开关14的第二端142与第二电源输入端121连接。
[0026] 其中，在手机10正常工作时，第一受控开关13的第三端133和第二受控开关14的第三端143从控制电压输出端153获取控制电压，第一受控开关13的第一端131与第一受控开关的第二端132断开连接，第二受控开关14的第一端141与第二受控开关的第二端142断开连接，此时，第一SIM卡卡槽11通过第一电源输入端111以及第一电源输出端151从电源管理芯片15获取第一供电电压，第二SIM卡卡槽12过第二电源输入端121以及第一电源输出端152从电源管理芯片15获取第一供电电压。
[0027] 而在手机10处于关机状态时，电源管理芯片15停止工作，并停止输出控制电压和第一供电电压，在手机10靠近读卡器时，低压差线性稳压器16获取使能信号，通过OUT端口提供第二供电电压。第一受控开关13的第三端133和第二受控开关14的第三端143停止从控制电压输出端153获取控制电压，此时，第一受控开关13的第一端131与第一受控开关13的第二端132连接在一起，因此，第一SIM卡卡槽11通过第一电源输入端111、第一受控开关13的第二端132以及第一受控开关13的第一端131从低压差线性稳压器16的OUT端获取第二供电电压。同理，第二SIM卡卡槽12通过第二电源输入端121、第二受控开关14的第二端142以及第二受控开关14的第一端141从低压差线性稳压器16的OUT端获取第二供电电压。
[0028] 因此，无论在手机10正常工作，抑或是手机10处于关机状态，只要手机10靠近读卡器，第一SIM卡卡槽11以及第二SIM卡卡槽12均可获得稳定的电源输入，并且，由于NFC控制芯片17的第三数据连接端171与第一数据连接端112和第二数据连接端122连接，因此，在NFC智能卡插入至第一SIM卡卡槽11与第二SIM卡卡槽12中的任一者时，NFC控制芯片的第三数据连接端171均可与NFC智能卡的数据传输引脚连接，从而实现无论手机10处于正常工作或关机状态下，NFC控制芯片均可与NFC智能卡进行通信，以保证手机10在任何状态下均可实现卡模拟功能。
[0029] 请进一步参见图1，在本发明的优选实施例中，手机10进一步设置有第一电阻R1以及第二电阻R2，第一电阻R1的第一端191与控制电压输出端153连接，第一电阻R1的第二端192与第一受控开关13的第三端133和第二受控开关14的第三端143连接，第二电阻R2的第一端193与控制电压输出端153连接，第二电阻R2的第二端194接地。第一电阻R1可起到限流保护的作用，而第二电阻R2的电阻值设置为大于100kΩ，可避免控制电压输出端15漏电流过大。
[0030] 值得注意的是第一受控开关13和第二受控开关14可由现有技术中各种受控开关模块实现，如继电器，模拟开关等。而在本发明的优选实施例中第一受控开关13和第二受控开关14可均由双MOS管反接串联组成。
[0031] 其中，第一受控开关13包括第一P型MOS管M1和第二P型MOS管M2。第一P型MOS管M1的栅极连接第二P型MOS管M2的栅极，第一P型MOS管M1的源极连接第二P型MOS管M2的源极。第一P型MOS管M1的漏极为第一受控开关13的第一端131，第一P型MOS管M1的栅极与第二P型MOS管M2的栅极的连接点作为第一受控开关13的第三端133，第二P型MOS管M2的漏极为第一受控开关13的第二端132。
[0032] 第二受控开关14包括第三P型MOS管M3和第四P型MOS管M4，第三P型MOS管M3的栅极连接第四P型MOS管M4的栅极，第三P型MOS管M3的源极连接第四P型MOS管M4的源极。第三P型MOS管M3的漏极为第二受控开关14的第一端141，第三P型MOS管M3的栅极与第四P型MOS管M4的栅极的连接点作为第二受控开关14的第三端143，第四P型MOS管M4的漏极为第二受控开关14的第二端142。
[0033] 其中，第一受控开关13的工作原理如下：第一P型MOS管M1的漏极和源极之间可等效为一寄生二极管D1，因此，在第一P型MOS管M1的栅极无论有没有获取到控制电压的情况下，只要低压差线性稳压器16的OUT端输出第二工作电压，该第二工作电压均可通过第一P型MOS管M1的漏极和源极传输至第二P型MOS管M2的源极。因此，在第二P型MOS管M2的源极电压为第二工作电压的前提下，只要第二P型MOS管M2的栅极电压比第二工作电压小，即满足栅级和源极电压之差小于0V时，就可以使得第二P型MOS管的漏极和源极导通，故在电源管理芯片停止输出控制电压，使得第二P型MOS管M2的栅极电压不能获取控制电压时，第二P型MOS管M2的栅极电压为0V，此时，第二P型MOS管的漏极和源极导通，使得第二P型MOS管M2的漏极可输出第二工作电压至第一SIM卡卡插槽以及第二SIM卡卡槽。
[0034] 同样地，第二受控开关14的工作原理与第一受控开关13一致，于此不再赘述。
[0035] 由于上述的双MOS管具有更低的导通电阻，其一般为0.2欧姆左右，非常适合NFC智能卡对电源的要求，因此，在本发明的优选实施例中，优选采用上述的双MOS管作为受控开关。
[0036] 值得注意的是，在本实施例中，采用了两个受控开关（即第一受控开关13和第二受控开关14）以及两个SIM卡卡槽（即第一SIM卡卡槽11和第二SIM卡卡槽12）的技术方案作出阐述，但，在本发明的其他实施例中，只要低压差线性稳压器16以及电源管理芯片15的性能允许，也可设置两个以上的受控开关和SIM卡卡槽，本发明对其数量不作具体限定，本领域技术人员在领会本发明思想后均可作出相应扩展。
[0037] 因此，通过以上所介绍的技术方案，本发明提供了一种手机，其在NFC智能卡插入手机的第一SIM卡卡槽与第二SIM卡卡槽中的任一者时，均能保证NFC智能卡正常工作。
[0038] 以上仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
