[0029] 以下将结合附图对本发明提供的技术方案作进一步说明。
[0030] 金纳米棒是具有良好的物理化学性质,具有表面等离激元共振性能,能够广泛应用在催化领域,尤其是光热转换。因此将制备好的金纳米棒添加NaOH和TEOS,形成介孔二氧化硅包覆的金纳米棒,然后在60℃油浴下,通过控制添加盐酸的量来将金纳米棒进行腐蚀。最后通过往被腐蚀的介孔二氧化硅包覆的金纳米棒中添加对应量的硝酸银溶液和抗坏血酸溶液,使银能够均匀地生长在金纳米棒的表面。这样一来,最终合成的一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料能够大大增强催化效率,具有更高的催化活性,同时兼具更高的稳定性。所以本发明提出了一种具有非对称结构金‑铂‑银材料的合成方法。
[0031] 参见图1,所示为本发明提出的金‑银材料的合成方法,具体包括以下步骤:
[0032] 步骤S1,利用种子生长法制备金纳米棒。
[0033] 步骤S2,腐蚀过程,即取已经清洗过并且分散在低浓度的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)中的金纳米棒将其离心加入一定量的NaOH溶液,再以30分钟间隔分6次加入TEOS溶液,搅拌两天,得到介孔二氧化硅包覆的金纳米棒,再将由介孔二氧化硅包覆的金纳米棒添加甲醇,置于60℃油浴中,控制添加盐酸的量,将金纳米棒进行腐蚀。
[0034] 步骤S3,再生长过程,即取出已经被腐蚀的由二氧化硅包覆的金纳米棒,然后添加硝酸银溶液,抗坏血酸溶液,搅拌2分钟,最终得到一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料(参见图2)。
[0035] 其中,所述步骤S1进一步还包括了以下步骤:
[0036] S10:将10mL CTAB(0.1M)与0.25mL HAuCl4(10mM)混合于瓶中,用冰水混合物与称量好的一定质量NaBH4混合,配成0.01M溶液,并加入0.6mL于瓶中剧烈搅拌。溶液由金黄色变为棕黄色,此为种子溶液。
[0037] S11:将2.5mL CTAB(0.1M)与0.037g NaOL在50℃下溶解于21.25mL水中。溶解后将溶液降温至30℃,之后加入0.9mL AgNO3(4mM)溶液。并于30℃恒温静置15分钟,之后加入0.25mL HAuCl4(10mM)。经过60‑90分钟的搅拌(400rpm),溶液由金黄色变为无色。此为生长溶液。
[0038] S12:向生长溶液中加入0.3mL HCl(37wt.%)调控pH值。之后依次加入75μL AA(64mM),40μL种子溶液并剧烈搅拌。最终溶液静置12小时于30℃水浴中。
[0039] S13:将生长之后的溶液离心(7000rpm,30分钟),去除上层清液后加入CTAB(1‑2mM),二次离心(7000rpm,30分钟)。去除清液后,分散于对应体积的CTAB(1‑2mM)中。
[0040] 所述步骤S2进一步包括以下步骤:
[0041] S20:取分散在CTAB中的金纳米棒于瓶中,添加0.4mL 0.1M的NaOH溶液,加入TEOS 0.05mL,搅拌30分钟,然后重复6次添加相同量的TEOS并搅拌30分钟,第六次之后将最终的溶液搅拌2天;
[0042] S21:将溶液置于60℃油浴中,加入0.2mL浓盐酸对其进行腐蚀10分钟,然后添加冷置的甲醇来结束腐蚀,然后离心(8000rpm,10min)。再将沉淀分散在2mL水溶液中;
[0043] 所述步骤S3进一步包括以下步骤:
[0044] S30:取出分散在在水溶液中的产物0.8mL,添加0.02mL 0.02M的硝酸银溶液,再添加0.04mL 0.04M的抗坏血酸溶液,搅拌2分钟。
[0045] S31:将上述得到的最终产物7000rpm,30分钟离心,去除上层清液后加入1‑2mM的CTAB,二次7000rpm,30分钟离心,制备透射电镜样品,即可观察到成功合成的一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料。
[0046] 现有的合成方法中,介孔二氧化硅包覆的金纳米棒表面生长银,存在银生长不均匀,以及会出现银的量难以调控,反应时间较长等缺点。本方法较于其他方法的优势在于:在60℃油浴中加热,提高了应的速率,通过添加0.02mL 0.02M的硝酸银溶液,再添加0.04mL
0.04M的抗坏血酸溶液,以这种比例添加能够使得银在金纳米棒的表面生长均匀,而且超过
99%的比例均为生长均匀的介孔二氧化硅包覆的金纳米棒表面生长银的产物。参见图2,为介孔二氧化硅包覆的金纳米棒表面生长银的透射电镜图。由图可知,此复合材料长度在
92nm,直径在49nm,长径比在1.9。还能从图中看出,这种复合材料中银均匀地生长在金的表面,此结构大大增强了稳定性,具有金和银两种金属的优良性能。
[0047] 实施例1:
[0048] 将10mL CTAB(0.1M)与0.25mL HAuCl4(10mM)混合于瓶中,用冰水混合物与称量好的一定质量NaBH4混合,配成0.01M溶液,并加入0.6mL于瓶中剧烈搅拌。溶液由金黄色变为棕黄色,此为种子溶液。将2.5mL CTAB(0.1M)与0.037g NaOL在50℃下溶解于21.25mL水中。溶解后将溶液降温至30℃,之后加入0.9mL AgNO3(4mM)溶液。并于30℃恒温静置15分钟,之后加入0.25mL HAuCl4(10mM)。经过60‑90分钟的搅拌(400rpm),溶液由金黄色变为无色。此为生长溶液。向生长溶液中加入0.3mL HCl(37wt.%)调控pH值。之后依次加入75μL AA(64mM),40μL种子溶液并剧烈搅拌。最终溶液静置12小时于30℃水浴中。将生长之后的溶液离心(7000rpm,30分钟),去除上层清液后加入CTAB(1‑2mM),二次离心(7000rpm,30分钟)。
去除清液后,分散于对应体积的CTAB(1‑2mM)中。取分散在CTAB中的金纳米棒于瓶中,添加
0.4mL 0.1M的NaOH溶液,加入TEOS 0.05mL,搅拌30分钟,然后重复6次添加相同量的TEOS并搅拌30分钟,第六次之后将最终的溶液搅拌2天;将溶液置于60℃油浴中,加入0.2mL浓盐酸对其进行腐蚀10分钟,然后添加冷置的甲醇来结束腐蚀,然后离心(8000rpm,10min)。再将沉淀分散在2mL水溶液中;取出分散在水溶液中的产物0.8mL,添加0.02mL 0.02M的硝酸银溶液,再添加0.04mL 0.04M的抗坏血酸溶液,混合均匀搅拌2分钟。将上述得到的最终产物
7000rpm,30分钟离心,去除上层清液后加入1‑2mM的CTAB,二次7000rpm,30分钟离心,制备透射电镜样品,即可观察到成功合成的一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料。
[0049] 实施例2:
[0050] 将10mL CTAB(0.1M)与0.25mL HAuCl4(10mM)混合于瓶中,用冰水混合物与称量好的一定质量NaBH4混合,配成0.01M溶液,并加入0.6mL于瓶中剧烈搅拌。溶液由金黄色变为棕黄色,此为种子溶液。将2.5mL CTAB(0.1M)与0.037g NaOL在50℃下溶解于21.25mL水中。溶解后将溶液降温至30℃,之后加入0.9mL AgNO3(4mM)溶液。并于30℃恒温静置15分钟,之后加入0.25mL HAuCl4(10mM)。经过60‑90分钟的搅拌(400rpm),溶液由金黄色变为无色。此为生长溶液。向生长溶液中加入0.3mL HCl(37wt.%)调控pH值。之后依次加入75μL AA(64mM),40μL种子溶液并剧烈搅拌。最终溶液静置12小时于30℃水浴中。将生长之后的溶液离心(7000rpm,30分钟),去除上层清液后加入CTAB(1‑2mM),二次离心(7000rpm,30分钟)。
去除清液后,分散于对应体积的CTAB(1‑2mM)中。取分散在CTAB中的金纳米棒于瓶中,添加
0.4mL0.1M的NaOH溶液,加入TEOS 0.05mL,搅拌30分钟,然后重复6次添加相同量的TEOS并搅拌30分钟,第六次之后将最终的溶液搅拌2天;将溶液置于60℃油浴中,加入0.2mL浓盐酸对其进行腐蚀10分钟,然后添加冷置的甲醇来结束腐蚀,然后离心(8000rpm,10min)。再将沉淀分散在2mL水溶液中;取出分散在水溶液中的产物0.5mL,添加0.0125mL 0.02M的硝酸银溶液,再添加0.025mL 0.04M的抗坏血酸溶液,混合均匀搅拌2分钟。取出1mL上述产物测量光谱,以此作为最终光谱。并将将上述得到的最终产物7000rpm,30分钟离心,去除上层清液后加入1‑2mM的CTAB,二次7000rpm,30分钟离心,制备透射电镜样品,即可观察到成功合成的一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料。
[0051] 实施例3:
[0052] 将10mL CTAB(0.1M)与0.25mL HAuCl4(10mM)混合于瓶中,用冰水混合物与称量好的一定质量NaBH4混合,配成0.01M溶液,并加入0.6mL于瓶中剧烈搅拌。溶液由金黄色变为棕黄色,此为种子溶液。将2.5mL CTAB(0.1M)与0.037g NaOL在50℃下溶解于21.25mL水中。溶解后将溶液降温至30℃,之后加入0.9mL AgNO3(4mM)溶液。并于30℃恒温静置15分钟,之后加入0.25mL HAuCl4(10mM)。经过60‑90分钟的搅拌(400rpm),溶液由金黄色变为无色。此为生长溶液。向生长溶液中加入0.3mL HCl(37wt.%)调控pH值。之后依次加入75μL AA(64mM),40μL种子溶液并剧烈搅拌。最终溶液静置12小时于30℃水浴中。将生长之后的溶液离心(7000rpm,30分钟),去除上层清液后加入CTAB(1‑2mM),二次离心(7000rpm,30分钟)。
去除清液后,分散于对应体积的CTAB(1‑2mM)中。取分散在CTAB中的金纳米棒于瓶中,添加
0.4mL0.1M的NaOH溶液,加入TEOS 0.05mL,搅拌30分钟,然后重复6次添加相同量的TEOS并搅拌30分钟,第六次之后将最终的溶液搅拌2天;将溶液置于60℃油浴中,加入0.2mL浓盐酸对其进行腐蚀10分钟,然后添加冷置的甲醇来结束腐蚀,然后离心(8000rpm,10min)。再将沉淀分散在2mL水溶液中;取出分散在水溶液中的产物0.6mL,添加0.015mL 0.02M的硝酸银溶液,再添加0.03mL 0.04M的抗坏血酸溶液,混合均匀搅拌2分钟。将上述得到的最终产物
7000rpm,30分钟离心,去除上层清液后加入1‑2mM的CTAB,二次7000rpm,30分钟离心,制备透射电镜样品,即可观察到成功合成的一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料。
[0053] 实施例4:
[0054] 将10mL CTAB(0.1M)与0.25mL HAuCl4(10mM)混合于瓶中,用冰水混合物与称量好的一定质量NaBH4混合,配成0.01M溶液,并加入0.6mL于瓶中剧烈搅拌。溶液由金黄色变为棕黄色,此为种子溶液。将2.5mL CTAB(0.1M)与0.037g NaOL在50℃下溶解于21.25mL水中。溶解后将溶液降温至30℃,之后加入0.9mL AgNO3(4mM)溶液。并于30℃恒温静置15分钟,之后加入0.25mL HAuCl4(10mM)。经过60‑90分钟的搅拌(400rpm),溶液由金黄色变为无色。此为生长溶液。向生长溶液中加入0.3mL HCl(37wt.%)调控pH值。之后依次加入75μL AA(64mM),40μL种子溶液并剧烈搅拌。最终溶液静置12小时于30℃水浴中。将生长之后的溶液离心(7000rpm,30分钟),去除上层清液后加入CTAB(1‑2mM),二次离心(7000rpm,30分钟)。
去除清液后,分散于对应体积的CTAB(1‑2mM)中。取分散在CTAB中的金纳米棒于瓶中,添加
0.4mL 0.1M的NaOH溶液,加入TEOS 0.05mL,搅拌30分钟,然后重复6次添加相同量的TEOS并搅拌30分钟,第六次之后将最终的溶液搅拌2天;将溶液置于60℃油浴中,加入0.2mL浓盐酸对其进行腐蚀10分钟,然后添加冷置的甲醇来结束腐蚀,然后离心(8000rpm,10min)。再将沉淀分散在2mL水溶液中;取出分散在水溶液中的产物1mL,添加0.025mL 0.02M的硝酸银溶液,再添加0.05mL 0.04M的抗坏血酸溶液,混合均匀搅拌2分钟。将上述得到的最终产物
7000rpm,30分钟离心,去除上层清液后加入1‑2mM的CTAB,二次7000rpm,30分钟离心,制备透射电镜样品,即可观察到成功合成的一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料。
[0055] 实施例5:
[0056] 将10mL CTAB(0.1M)与0.25mL HAuCl4(10mM)混合于瓶中,用冰水混合物与称量好的一定质量NaBH4混合,配成0.01M溶液,并加入0.6mL于瓶中剧烈搅拌。溶液由金黄色变为棕黄色,此为种子溶液。将2.5mL CTAB(0.1M)与0.037g NaOL在50℃下溶解于21.25mL水中。溶解后将溶液降温至30℃,之后加入0.9mL AgNO3(4mM)溶液。并于30℃恒温静置15分钟,之后加入0.25mL HAuCl4(10mM)。经过60‑90分钟的搅拌(400rpm),溶液由金黄色变为无色。此为生长溶液。向生长溶液中加入0.3mL HCl(37wt.%)调控pH值。之后依次加入75μL AA(64mM),40μL种子溶液并剧烈搅拌。最终溶液静置12小时于30℃水浴中。将生长之后的溶液离心(7000rpm,30分钟),去除上层清液后加入CTAB(1‑2mM),二次离心(7000rpm,30分钟)。
去除清液后,分散于对应体积的CTAB(1‑2mM)中。取分散在CTAB中的金纳米棒于瓶中,添加
0.4mL 0.1M的NaOH溶液,加入TEOS 0.05mL,搅拌30分钟,然后重复6次添加相同量的TEOS并搅拌30分钟,第六次之后将最终的溶液搅拌2天;将溶液置于60℃油浴中,加入0.2mL浓盐酸对其进行腐蚀10分钟,然后添加冷置的甲醇来结束腐蚀,然后离心(8000rpm,10min)。再将沉淀分散在2mL水溶液中;取出分散在水溶液中的产物0.7mL,添加0.0175mL 0.02M的硝酸银溶液,再添加0.035mL 0.04M的抗坏血酸溶液,混合均匀搅拌2分钟。将上述得到的最终产物7000rpm,30分钟离心,去除上层清液后加入1‑2mM的CTAB,二次7000rpm,30分钟离心,制备透射电镜样品,即可观察到成功合成的一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料。
[0057] 最后应说明的是,以上实施例仅用以帮助理解本发明的方法及其核心思想,而非对其限制。本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明装置方案的精神和范围。因此,本发明将不会被限制与本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。