首页 > 专利 > 东北石油大学 > 一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线专利详情

一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线 0 0

有效专利查看PDF

申请进展

基本信息

申请人信息

代理人信息

摘要

法律状态

权利要求

说明书

专利申请流程有哪些步骤？

申请

申请号：指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。

申请日：提出专利申请之日。

2018-01-30

申请公布

申请公布指发明专利申请经初步审查合格后，自申请日（或优先权日）起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。

申请公布号：专利申请过程中，在尚未取得专利授权之前，国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。

申请公布日：申请公开的日期，即在专利公报上予以公开的日期。

2018-08-21

授权

授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由，授予发明专利权；或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由，授予实用新型专利权或外观设计专利权。

2020-12-18

预估到期

发明专利权的期限为二十年，实用新型专利权期限为十年，外观设计专利权期限为十五年，均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。

2038-01-30

基本信息

有效性	有效专利	专利类型	发明专利
申请号	CN201810086810.1	申请日	2018-01-30
公开/公告号	CN108333652B	公开/公告日	2020-12-18
授权日	2020-12-18	预估到期日	2038-01-30
申请年	2018年	公开/公告年	2020年
缴费截止日
分类号	G02B5/00 、G02B6/10 、G02B6/122	主分类号	G02B5/00
是否联合申请	独立申请	文献类型号	B
独权数量	1	从权数量	1
权利要求数量	2	非专利引证数量	0
引用专利数量	0	被引证专利数量	0
非专利引证
引用专利		被引证专利
专利权维持	4	专利申请国编码	CN
专利事件		事务标签	公开、实质审查、授权

申请人信息

申请人	东北石油大学	第一申请人	东北石油大学
专利权人	东北石油大学	当前专利权人	东北石油大学
发明人	吕靖薇、刘超、汪发美、刘强、段志伟、牟海维	第一发明人	吕靖薇
地址	黑龙江省大庆市高新技术产业开发区学府街99号	邮编	163000
申请人数量	1	发明人数量	6
申请人所在省	黑龙江省	申请人所在市	黑龙江省大庆市

代理人信息

代理机构

专利代理机构是经省专利管理局审核，国家知识产权局批准设立，可以接受委托人的委托，在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。

大庆禹奥专利事务所

代理人

专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务，取得一定资格的人。

朱士文、杨晓梅

摘要

本发明涉及一种光学纳米天线，具体涉及一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线，包括两个对称分布的十字架，十字架的材质为硅，两个十字架之间的距离D为5 nm；十字架的截面尺寸L1为200nm，L2为150 nm，W1为60nm，W2为90nm，其高度H为90 nm。这种结构会激发出不同的表面等离子体共振模式：电偶极、电四极共振和磁偶极、磁四极共振；通过多级分解的方法，分析了纳米天线中不同共振模式的响应对散射特性的影响，这些共振模式的耦合作用导致了高介电材料硅十字架二聚体结构磁热点的产生和远场单向性散射；还论证了在电、磁偶极源辐射下对纳米天线不同共振模式响应特性的影响并有一定的调制作用。

摘要附图
说明书附图：图1
说明书附图：图2
说明书附图：图3
说明书附图：图4
说明书附图：图5
说明书附图：图6
说明书附图：图7
说明书附图：图8
说明书附图：图9
说明书附图：图10
说明书附图：图11
说明书附图：图12
说明书附图：图13
说明书附图：图14
说明书附图：图15
说明书附图：图16
说明书附图：图17
说明书附图：图18
说明书附图：图19
说明书附图：图20

法律状态

序号	法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1	2020-12-18	授权
2	2018-08-21	实质审查的生效	IPC(主分类): G02B 5/00 专利申请号: 201810086810.1 申请日: 2018.01.30
3	2018-07-27	公开

权利要求

权利要求书是申请文件最核心的部分，是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。

1.一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线，其特征在于：包括两个对称分布的十字架，所述十字架的材质为硅，两个十字架之间的距离D为5nm；所述十字架的截面尺寸中横杆长度L1为200nm，纵杆长度L2为150nm，横杆宽度W1为60nm，纵杆宽度W2为90nm，厚度H为90 nm；所述单向性光学纳米天线的背景折射率为常数1，十字架二聚体在外场的激发下，产生局域表面等离子体共振现象；所述单向性光学纳米天线的入射光为平面波，波矢平行于x轴方向，x轴沿横杆长度方向，偏振平行于y轴方向， y轴沿纵杆长度方向。

2.根据权利要求1所述的一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线，其特征在于：所述单向性光学纳米天线支持电偶极、电四极共振和磁偶极、磁四极共振中的任意一种。

说明书

1一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线