搜索一下
登录/注册
首页
>
专利
>
寻找关于B82B:通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理领域相关可售专利
B82B领域相关在售专利
B82B大组
B82B1/00:通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构
B82B3/00:通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合的纳米结构的制造或处理
B82B1/00小组
找到
5
个相关信息
制造可控走向的硅纳米线的方法
制造可控走向的硅纳米线的方法
发明专利
有效专利
硅微纳米结构加工
申请日：
2017-01-22
当前状态：
授权
国际分类号：
B82B3/00
、
B82Y40/00
发明人：
巢炎,王志权,刘先欢,姚安琦,吴立群,席俊华
申请人：
杭州电子科技大学
一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法
一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法
发明专利
有效专利
硅表面加工
申请日：
2016-11-23
当前状态：
授权
国际分类号：
B82B3/00
、
B82Y40/00
发明人：
巣炎,刘先欢,姚安琦,王志权
申请人：
杭州电子科技大学
一种纳米氮化铝粉体的制备方法
一种纳米氮化铝粉体的制备方法
发明专利
有效专利
材料科学
申请日：
2010-09-30
当前状态：
授权
国际分类号：
C01B21/072
、
B82B3/00
发明人：
王焕平,徐时清,杨清华,邓德刚,赵士龙
申请人：
中国计量学院
一种低温烧结纳米钛酸镁粉体的制备方法
一种低温烧结纳米钛酸镁粉体的制备方法
发明专利
有效专利
材料科学
申请日：
2010-09-30
当前状态：
授权
国际分类号：
C01G23/00
、
B82B3/00
发明人：
王焕平,徐时清,缪锴,邓德刚,赵士龙
申请人：
中国计量学院
一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法
一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法
发明专利
有效专利
申请日：
2016-10-26
当前状态：
授权
国际分类号：
B82B3/00
、
B82Y40/00
发明人：
潘宏程,汤红园,李建平
申请人：
桂林理工大学
同类专利
1
制造可控走向的硅纳米线的方法
2
一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法
3
一种纳米氮化铝粉体的制备方法
4
一种低温烧结纳米钛酸镁粉体的制备方法
5
一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法
版权所有：盲专网 ©2023 zlpt.xyz
蜀ICP备2023003576号
