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一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法
一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法
发明专利
有效专利
微纳米制造
申请日:
2019-05-17
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B30/00
发明人:
张俐楠,朱伟华,刘红英,陈超,吴立群,王洪成
申请人:
杭州电子科技大学
一种基于相场和温度场控制硅基内部微结构的方法
一种基于相场和温度场控制硅基内部微结构的方法
发明专利
有效专利
微纳米制造
申请日:
2018-07-03
当前状态:
授权
国际分类号:
G06F30/20
、
G06F119/18
发明人:
张俐楠,郭子望,刘红英,陈超,吴立群,王洪成
申请人:
杭州电子科技大学
一种三维光子晶体内部缺陷成型定位的建模方法
一种三维光子晶体内部缺陷成型定位的建模方法
发明专利
有效专利
微纳米制造
申请日:
2019-05-17
当前状态:
授权
国际分类号:
G06F30/20
发明人:
张俐楠,朱伟华,刘红英,陈超,吴立群,王洪成
申请人:
杭州电子科技大学
一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法
一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法
发明专利
有效专利
微纳米制造
申请日:
2020-06-15
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B29/06
、
C30B33/12
、
C30B33/04
、
C30B33/02
发明人:
张俐楠,陈建龙,朱伟华,吴立群,王洪成
申请人:
杭州电子科技大学
基于激光超声技术的硅基内部微结构成型的控制方法
基于激光超声技术的硅基内部微结构成型的控制方法
发明专利
有效专利
微纳米制造
申请日:
2018-05-21
当前状态:
授权
国际分类号:
B23K26/55
发明人:
张俐楠,郭子望,刘红英,陈超,吴立群,王洪成
申请人:
杭州电子科技大学
一种控制硅基微结构内部空腔形成位置的研究方法
一种控制硅基微结构内部空腔形成位置的研究方法
发明专利
有效专利
微纳米制造
申请日:
2016-06-06
当前状态:
授权
国际分类号:
B81B7/02
、
B81C1/00
发明人:
张俐楠,郑伟,陈超,吴立群,王洪成
申请人:
杭州电子科技大学
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